welcome_spice
.pdf
V1 |
Начальное значение |
|
В и А |
V2 |
Максимальное значение |
|
В и А |
TD |
Начало переднего фронта |
0.0 |
С |
TR |
Длительность переднего фронта |
TSTEP |
С |
TF |
Длительность заднего фронта |
TSTEP |
С |
PW |
Ширина импульса |
TSTOP |
С |
PER |
Период |
TSTOP |
с |
Синусоидальная функция
Формат:
SIN(VO VA FREQ TD THETA)
Пример:
VIN 3 0 SIN(0 1 100MEG 1NS 1E10)
|
|
|
Таблица 3. |
|
Обозначение |
Параметр |
Значение по умолчанию |
Единицы измерения |
|
VO |
Постоянная составляющая |
|
В и А |
|
VA |
Амплитуда |
|
В и А |
|
FREQ |
Частота |
1/TSTOP |
Гц |
|
TD |
Задержка |
0.0 |
с |
|
THETA |
Фаза |
0.0 |
1/с |
|
Экспоненциальная функция
Формат:
EXP(V1 V2 TD1 TAU1 TD2 TAU2)
Пример:
VIN 3 0 EXP(-4 -1 2NS 30NS 60NS 40NS)
|
|
|
|
Таблица 4. |
||
Обозначение |
Параметр |
Значение по |
|
Единицы измерения |
|
|
|
|
умолчанию |
|
В и А |
|
|
V1 |
Начальное значение |
|
|
|
||
V2 |
Максимальное значение |
|
|
В и А |
|
|
TD1 |
Начало переднего фронта |
0.0 |
|
с |
|
|
TAU1 |
Постоянная времени переднего фронта |
TSTEP |
|
с |
|
|
TD2 |
Начало заднего фронта |
TD1+TSTEP |
|
с |
|
|
TAU2 |
Постоянная времени заднего фронта |
TSTEP |
|
с |
|
|
Кусочно-линейная функция
Формат:
PWL(T1 V1 <T2 V2 T3 V3 T4 V4 ...>)
Пример:
VCLOCK 7 5 PWL(0 -7 10NS -7 11NS -3 17NS -3 18NS -7 50NS -7)
Каждая пара значений (Ti, Vi) является координатами точек, через которые проходит функция. Соседние точки соединяются прямыми линиями.
Синусоидальная функция с частотной модуляцией
Формат:
11
SFFM(VO VA FC MDI FS)
Пример:
V1 12 0 SFFM(0 1M 20K 5 1K)
|
|
|
Таблица 5. |
|
Обозначение |
Параметр |
Значение по умолчанию |
Единицы измерения |
|
VO |
Постоянная составляющая |
|
В и А |
|
VA |
Амплитуда |
|
В и А |
|
FC |
Частота несущей |
1/TSTOP |
Гц |
|
MDI |
Индекс частотной модуляции |
|
|
|
FS |
Частота модуляции |
1/TSTOP |
Гц |
|
Зависимые источники
Система Spice допускает в рассчитываемых схемах четыре типа линейных зависимых источников и один тип нелинейного зависимого источника. Линейные зависимые источники описываются уравнениями приведенными ниже:
i = gv, v = ev, i = fi, v = hi
где g, e, f, и h – постоянные коэффициенты представляющие крутизну, коэффициент усиления напряжения, коэффициент усиления тока, и коэффициент передачи сопротивления, соответственно.
Источник тока, управляемый напряжением
Инструкция для описания источника тока, управляемого напряжением имеет вид:
GXXXXXXX N+ N- NC+ NCVALUE
Пример:
G1 2 0 5 0 0.1MMHO
N+ и N- положительный и отрицательный узлы включения источника.
NC+ and NCположительный и отрицательный узлы управляемого напряжения. VALUE – значение крутизны.
Источник напряжения, управляемый напряжением
Инструкция для описания источника напряжения, управляемого напряжением имеет
вид:
EXXXXXXX N+ N- NC+ NCVALUE
Пример:
E1 2 3 14 1 2.0
N+ и N- положительный и отрицательный узлы включения источника.
NC+ and NCположительный и отрицательный узлы управляемого напряжения. VALUE – значение коэффициента усиления.
Источник тока, управляемый током
Инструкция для описания источника тока, управляемого током имеет вид:
FXXXXXXX N+ N- VNAM VALUE
Пример:
12
F1 13 5 VSENS 5
N+ и N- положительный и отрицательный узлы включения источника. VNAM – имя ветви в которой протекает управляемый ток.
VALUE – значение коэффициента усиления тока.
Источник напряжения, управляемый током
Инструкция для описания источника напряжения, управляемого током имеет вид:
HXXXXXXX N+ N- VNAM VALUE
Пример:
HX 5 17 VZ 0.5K
N+ и N- положительный и отрицательный узлы включения источника. VNAM – имя ветви в которой протекает управляемый ток.
VALUE – значение коэффициента передачи сопротивления.
Нелинейный зависимый источник
Инструкция для описания нелинейного зависимого источника имеет вид:
BXXXXXXX N+ N- <I=EXPR> <V=EXPR>
Примеры:
B1 0 1 I=cos(v(1))+sin(v(2))
B1 0 1 V=ln(cos(log(v(1,2)^2)))-v(3)^4+v(2)^v(1)
B1 3 4 I=17
B1 3 4 V=exp(pi^i(vdd))
N+ и N- положительный и отрицательный узлы включения источника.
V и I – указывают тип зависимого источника и определяют функцию которая реализует закон управления. Если указано I, то описываемый источник является источником тока, а если указано V, то источником напряжения. Выражение для V и I может быть функцией напряжений узлов и токов ветвей.
аbs(), asinh(), cosh(), sin(), acos(), atan(), exp(), sinh(), acosh(), atanh(), ln(), sqrt(), asin(), cos(), log(), tan() - простейшие функции, которые можно использовать в выражении для V и I.
В описании выражения допустимы следующие стандартные операции +, -, *, /, ^.
Диоды и транзисторы
Диод
Инструкция для описания диода имеет вид:
DXXXXXXX N+ N- MNAME <AREA> <IC=VD> <TEMP=T>
Примеры:
DBRIDGE 2 10 DIODE1
DCLMP 3 7 DMOD 3.0 IC=0.2
N+ и N- узел анода и узел катода соответственно.
MNAME –имя модели.
AREA – коэффициент кратности, по умолчанию = 1.
13
IC=VD – позволяет задать начальное значение напряжения на диоде, если в инструкции TRAN указана опция UIC.
TEMP – значение температуры диода.
Биполярный транзистор
Инструкция для описания биполярного транзистора имеет вид:
QXXXXXXX NC NB NE <NS> MNAME <AREA> <IC=VBE, VCE> <TEMP=T>
Примеры:
Q23 10 24 13 QMOD IC=0.6, 5.0
Q50A 11 26 4 20 MOD1
NC, NB и NE – узлы коллектора, базы и эмиттера соответственно.
NS – узел подложки, если это узел не указан, то его номер считается нулевым. MNAME –имя модели.
AREA – коэффициент кратности, по умолчанию = 1.
IC=VBE, VCE – позволяет задать начальное значение напряжений база-эмиттер и коллекторэмиттер, если в инструкции TRAN указана опция UIC.
TEMP – значение температуры транзистора.
Полевой транзистор
Инструкция для описания полевого транзистора имеет вид:
JXXXXXXX ND NG NS MNAME <AREA> <OFF> <IC=VDS, VGS> <TEMP=T>
Пример:
J1 7 2 3 JM1 OFF
ND, NG, и NS – узлы стока, затвора и истока соответственно. MNAME –имя модели.
AREA – коэффициент кратности, по умолчанию = 1.
IC=VDS, VGS – позволяет задать начальное значение напряжений сток-исток и затвор-исток, если в инструкции TRAN указана опция UIC.
TEMP – значение температуры транзистора.
МОП - транзистор
Инструкция для описания МОП - транзистора имеет вид:
MXXXXXXX ND NG NS NB MNAME <L=VAL> <W=VAL> <AD=VAL> <AS=VAL>
+ <PD=VAL> <PS=VAL> <NRD=VAL> <NRS=VAL><IC=VDS, VGS, VBS> <TEMP=T>
Примеры:
M1 24 2 0 20 TYPE1
M31 2 17 6 10 MODM L=5U W=2U
M1 2 9 3 0 MOD1 L=10U W=5U AD=100P AS=100P PD=40U PS=40U
ND, NG, NS NB – узлы стока, затвора и истока и подложки соответственно. MNAME –имя модели.
IC=VDS, VGS, VBS – позволяет задать начальное значение напряжений сток-исток, затвористок и подложка исток если в инструкции TRAN указана опция UIC.
TEMP – значение температуры транзистора.
L и W – определяют длину и ширину канала в метрах.
14
AD и AS – определяют площадь диффузионной области стока и истока в квадратных метрах. Если L, W, AD, и AS не указаны, то используются умалчиваемые значения из инструкции
OPTIONS.
PD и PS – периметр диффузионной области стока и истока, значение по умолчанию = 0. NRD и NRS – удельное относительное сопротивление стока и истока, значение по умолчанию = 1.
Арсенид – галлиевый транзистор
Инструкция для описания арсенид - галлиевого транзистора имеет вид:
ZXXXXXXX ND NG NS MNAME <IC=VDS, VGS>
Пример:
Z1 7 2 3 ZM1
ND, NG, и NS – узлы стока, затвора и истока соответственно. MNAME –имя модели.
AREA – коэффициент кратности, по умолчанию = 1.
IC=VDS, VGS – позволяет задать начальное значение напряжений сток-исток и затвор-исток, если в инструкции TRAN указана опция UIC.
Линии задержки без потерь
Инструкция для описания линии задержки без потерь имеет вид:
TXXXXXXX N1 N2 N3 N4 Z0=VALUE <TD=VALUE> <F=FREQ <NL=NRMLEN>>
+<IC=V1, I1, V2, I2>
Пример:
T1 1 0 2 0 Z0=50 TD=10NS
N1 и N2 – входные узлы линии задержки.
N3 и N4 – выходные узлы линии задержки.
Z0 – волновое сопротивление линии задержки.
Длина линии задержки может быть задана двумя способами: либо временем задержки TD, либо частотой F и электрической длиной линии задержки NL (по умолчанию NL=0.25) на частоте F.
IC позволяет задать начальные значения входных и выходных напряжений и токов при наличие в инструкции TRAN опции UIC.
Модели
Параметры моделей радиоэлементов моделируемой схемы указываются с помощью инструкции MODEL.
Инструкция для описания моделей имеет вид:
.MODEL MNAME TYPE(PNAME1=PVAL1 PNAME2=PVAL2 ... )
Пример:
.MODEL MOD1 NPN (BF=50 IS=1E-13 VBF=50)
MNAME – имя модели.
TYPE – тип модели.
PNAME – имя параметра.
15
PVAL – значение параметра.
В табл. 6, 7, 8, 9 и 10 приведены параметры моделей диода, биполярного, полевого, МОП и арсенид – галлиевого транзисторов.
|
|
Параметры модели диода |
Таблица 6. |
||
|
|
|
|
||
Имя |
|
Параметр |
Единицы |
Значение по |
|
|
|
|
измерения |
умолчанию |
|
IS |
|
Ток насыщения |
A |
1.0e-14 |
|
RS |
|
Объемное сопротивление |
Ω |
0 |
|
N |
|
Коэффициент неидеальности |
- |
1 |
|
TT |
|
Время переноса заряда |
c |
0 |
|
CJO |
|
Барьерная емкость при нулевом смещении |
Ф |
0 |
|
VJ |
|
Контактная разность потенциалов |
В |
1 |
|
M |
|
Коэффициент плавности перехода |
- |
0.5 |
|
EG |
|
Ширина запрещенной зоны |
эВ |
1.11 |
|
XTI |
|
Температурный коэффициент тока насыщения |
- |
3.0 |
|
KF |
|
Коэффициент фликкер – шума |
- |
0 |
|
AF |
|
Показатель степени фликкер – шума |
- |
1 |
|
FC |
|
Коэффициент нелинейности барьерной |
- |
0.5 |
|
|
|
емкости прямосмещенного перехода |
|
|
|
BV |
|
Напряжение обратного пробоя |
В |
∞ |
|
IBV |
|
Начальный ток пробоя |
A |
1.0e-3 |
|
TNOM |
|
Номинальная температура |
°C |
27 |
|
|
|
Параметры модели биполярного транзистора |
Таблица 7. |
||
|
|
|
|
||
Имя |
|
Параметр |
Единицы |
Значение по |
|
|
|
|
измерения |
умолчанию |
|
IS |
|
Ток насыщения. |
A |
1.0e-16 |
|
BF |
|
Максимальный коэффициент усиления тока |
- |
100 |
|
|
|
базы в нормальном режиме в схеме с ОЭ. |
|
|
|
NF |
|
Коэффициент неидеальности перехода в |
- |
1.0 |
|
|
|
нормальном режиме. |
|
|
|
VAF |
|
Напряжение Эрли в номальном режиме. |
В |
∞ |
|
IKF |
|
Ток начала спада зависимости BF от тока |
A |
∞ |
|
|
|
коллектора в нормальном режиме. |
|
|
|
ISE |
|
Обратный ток эмиттерного перехода. |
A |
0 |
|
NE |
|
Коэффициент неидеальности эмиттерного |
- |
1.5 |
|
|
|
перехода в нормальном режиме. |
|
|
|
BR |
|
Максимальный коэффициент усиления тока |
- |
1 |
|
|
|
базы в инверсном режиме в схеме с ОЭ. |
|
|
|
NR |
|
Коэффициент неидеальности перехода в |
- |
1 |
|
|
|
инверсном режиме. |
|
|
|
VAR |
|
Напряжение Эрли в инверсном режиме. |
В |
∞ |
|
IKR |
|
Ток начала спада зависимости BF от тока |
A |
∞ |
|
|
|
эмиттера в инверсном режиме. |
|
|
|
ISC |
|
Обратный ток коллекторного перехода. |
A |
0 |
|
NC |
|
Коэффициент неидеальности коллекторного |
- |
2 |
|
|
|
перехода в нормальном режиме. |
|
|
|
RB |
|
Объемное сопротивление базы. |
Ω |
0 |
|
IRB |
|
Ток базы, при котором сопротивление базы Rb |
A |
∞ |
|
|
|
уменьшается на 50% полного перепада между |
|
|
|
|
|
RB и RBM. |
|
|
|
RBM |
|
Минимальное сопротивление базы при |
Ω |
RB |
|
|
|
больших токах. |
|
|
|
RE |
|
Объемное сопротивление эмиттера. |
Ω |
0 |
|
RC |
|
Объемное сопротивление коллектора. |
Ω |
0 |
|
16
Имя |
Параметр |
Единицы |
Значение по |
|
|
измерения |
умолчанию |
CJE |
Емкость эмиттерного перехода при нулевом |
Ф |
0 |
|
смещении. |
|
|
VJE |
Контактная разность потенциалов перехода |
В |
0.75 |
|
база-эмиттер. |
|
|
MJE |
Коэффициент, учитывающий плавность |
- |
0.33 |
|
эмиттерного перехода. |
|
|
TF |
Время переноса заряда через базу в |
С |
0 |
|
нормальном режиме. |
|
|
XTF |
Коэффициент, определяющий зависимость TF |
- |
0 |
|
от смещения база-коллектор. |
|
|
VTF |
Напряжение, характеризующее зависимость TF |
В |
∞ |
|
от смещения база-коллектор. |
|
|
ITF |
Ток, характеризующий зависимость TF от тока |
A |
0 |
|
коллектора при больших токах. |
|
|
PTF |
Дополнительный фазовый сдвиг на граничной |
град. |
0 |
|
частоте транзистора freq=1.0/(TF*2PI) Гц. |
|
|
CJC |
Емкость коллекторного перехода при |
Ф |
0 |
|
нулевом смещении |
|
|
VJC |
Контактная разность потенциалов перехода |
В |
0.75 |
|
база-коллектор. |
|
|
MJC |
Коэффициент, учитывающий плавность |
- |
0.33 |
|
коллекторного перехода. |
|
|
XCJC |
Коэффициент расщепления емкости база – |
- |
1 |
|
коллектор. |
|
|
TR |
Время переноса заряда через базу в инверсном |
C |
0 |
|
режиме. |
|
|
CJS |
Емкость коллектор-подложка при нулевом |
Ф |
0 |
|
смещении. |
|
|
VJS |
Контактная разность потенциалов перехода |
В |
0.75 |
|
коллектор-подложка. |
|
|
MJS |
Коэффициент, учитывающий плавность |
- |
0 |
|
перехода коллектор-подложка. |
|
|
XTB |
Температурный коэффициент BF и BR. |
- |
0 |
EG |
Ширина запрещенной зоны. |
эВ |
1.11 |
XTI |
Температурный коэффициент IS. |
- |
3 |
KF |
Коэффициент, определяющий спектральную |
- |
0 |
|
плотность фликкер-шума. |
|
|
AF |
Показатель степени фликкер – шума. |
- |
1 |
FC |
Коэффициент нелинейности барьерных |
- |
0.5 |
|
емкостей прямосмещенных переходов. |
|
|
TNOM |
Номинальная температура |
°C |
27 |
|
|
Параметры модели полевого транзистора |
Таблица 8. |
||
|
|
|
|
||
Имя |
|
Параметр |
Единицы |
Значение по |
|
|
|
|
измерения |
умолчанию |
|
VTO |
|
Пороговое напряжение. |
В |
-2.0 |
|
BETA |
|
Коэффициент пропорциональности. |
A/В2 |
1.0e-4 |
|
LAMBDA |
|
Параметр модуляции длины канала. |
1/В |
0 |
|
RD |
|
Объемное сопротивление области стока. |
Ω |
0 |
|
RS |
|
Объемное сопротивление области истока. |
Ω |
0 |
|
CGS |
|
Емкость перехода затвор-исток при нулевом |
Ф |
0 |
|
|
|
смещении. |
|
|
|
CGD |
|
Емкость перехода затвор-сток при нулевом |
Ф |
0 |
|
|
|
смещении. |
|
|
|
PB |
|
Контактная разность потенциалов p-n перехода |
В |
1 |
|
|
|
затвора |
|
|
|
17
Имя |
Параметр |
Единицы |
Значение по |
|
|
измерения |
умолчанию |
IS |
Ток насыщения p-n перехода затвор-канал |
A |
1.0e-14 |
KF |
Коэффициент, определяющий спектральную |
- |
0 |
|
плотность фликкер-шума. |
|
|
AF |
Показатель степени фликкер – шума. |
- |
1 |
FC |
Коэффициент нелинейности емкостей |
- |
0.5 |
|
переходов при прямом смещении. |
|
|
TNOM |
Номинальная температура |
°C |
27 |
|
|
Параметры модели МОП – транзистора |
Таблица 9. |
||
|
|
|
|
||
Имя |
|
Параметр |
Единицы |
Значение по |
|
|
|
|
измерения |
умолчанию |
|
LEVEL |
Тип модели |
|
- |
1 |
|
VTO |
Пороговое напряжение при нулевом смещении. |
В |
0.0 |
|
|
KP |
Коэффициент пропорциональности. |
A/В2 |
2.0e-5 |
|
|
GAMMA |
Коэффициент влияния подложки на пороговое |
В1/2 |
0.0 |
|
|
|
напряжение. |
|
|
|
|
PHI |
Контактная разность потенциалов перехода |
В |
0.6 |
|
|
|
диэлектрик – полупроводник. |
|
|
|
|
LAMBDA |
Коэффициент модуляции длины канала. |
1/В |
0.0 |
|
|
RD |
Объемное сопротивление стока. |
Ω |
0.0 |
|
|
RS |
Объемное сопротивление истока. |
Ω |
0.0 |
|
|
CBD |
Емкость перехода подложка – сток при |
Ф |
0.0 |
|
|
|
нулевом смещении. |
|
|
|
|
CBS |
Емкость перехода подложка – исток при |
Ф |
0.0 |
|
|
|
нулевом смещении. |
|
|
|
|
IS |
Ток насыщения p-n перехода подложки. |
A |
1.0e-14 |
|
|
PB |
Напряжение инверсии приповерхностного слоя |
В |
0.8 |
|
|
|
подложки. |
|
|
|
|
CGSO |
Удельная емкость перекрытия затвор – исток. |
Ф/м |
0.0 |
|
|
CGDO |
Удельная емкость перекрытия затвор – сток. |
Ф/м |
0.0 |
|
|
CGBO |
Удельная емкость перекрытия затвор – |
Ф/м |
0.0 |
|
|
|
подложка. |
|
|
|
|
RSH |
Удельное сопротивление диффузионных |
Ω/[] |
0.0 |
|
|
|
областей истока и стока. |
|
|
|
|
CJ |
Удельная емкость p-n перехода при нулевом |
Ф/м2 |
0.0 |
|
|
|
смещении. |
|
|
|
|
MJ |
Коэффициент, учитывающий плавность |
- |
0.5 |
|
|
|
перехода подложка – сток (исток). |
|
|
|
|
CJSW |
Удельная емкость боковой поверхности |
Ф/м |
0.0 |
|
|
|
перехода при нулевом смещении. |
|
|
|
|
MJSW |
Коэффициент наклона боковой поверхности |
- |
0.50 (level1) |
|
|
|
перехода подложка - сток. |
|
0.33 (level2, 3) |
|
|
JS |
Плотность тока насыщения. |
A/м2 |
|
|
|
TOX |
Толщина окисла. |
м |
1.0e-7 |
|
|
NSUB |
Уровень легирования подложки. |
1/cм3 |
0.0 |
|
|
NSS |
Эффективная плотность заряда. |
1/cм2 |
0.0 |
|
|
NFS |
Эффективная плотность быстрых |
1/cм2 |
0.0 |
|
|
|
поверхностных состояний. |
|
|
|
|
TPG |
Материал затвора: |
- |
1.0 |
|
|
|
+1 |
противоположный материалу |
|
|
|
|
подложки; |
|
|
|
|
|
-1 |
такой же, как у подложки; |
|
|
|
|
0 |
алюминий. |
|
|
|
XJ |
Металлургическая глубина перехода. |
м |
0.0 |
|
|
LD |
Длина боковой области диффузии. |
м |
0.0 |
|
|
18
Имя |
Параметр |
Единицы |
Значение по |
|
|
измерения |
умолчанию |
UO |
Поверхностная подвижность носителей. |
cм2/Vs |
600 |
UCRIT |
Критическая напряженность поля, при которой |
В/cм |
1.0e4 |
|
подвижность носителей уменьшается в два раза |
|
|
|
(только MOS2). |
|
|
UEXP |
Эмпирическая константа, определяющая |
- |
0.0 |
|
подвижность носителей (только MOS2). |
|
|
VMAX |
Максимальная скорость дрейфа носителей. |
м/с |
0.0 |
NEFF |
Коэффициент обобщенного заряда канала |
- |
1.0 |
|
(только MOS2). |
|
|
KF |
Коэффициент, определяющий спектральную |
- |
0.0 |
|
плотность фликкер-шума. |
|
|
AF |
Показатель степени фликкер – шума. |
- |
1.0 |
FC |
Коэффициент нелинейности барьерной |
- |
0.5 |
|
емкости прямосмещенного перехода подложки. |
|
|
DELTA |
Коэффициент влияния ширины канала на |
- |
0.0 |
|
пороговое напряжение (MOS2 и MOS3). |
|
|
THETA |
Коэффициент модуляции подвижности |
1/В |
0.0 |
|
носителей (только MOS3). |
|
|
ETA |
Коэффициент статической обратной связи, |
- |
0.0 |
|
влияющей на пороговое напряжение (только |
|
|
|
MOS3). |
|
|
KAPPA |
Коэффициент насыщения поля. (MOS3 only) |
- |
0.2 |
TNOM |
Номинальная температура |
°C |
27 |
Таблица 10.
Параметры модели арсенид - галлиевого транзистора
Имя |
Параметр |
Единицы |
Значение по |
|
|
измерения |
умолчанию |
VTO |
Пороговое напряжение. |
В |
-2.0 |
BETA |
Коэффициент пропорциональности в |
A/В2 |
1.0e-4 |
|
выражении для тока стока. |
|
|
B |
Параметр легирования. |
1/В |
0.3 |
ALPHA |
Константа, определяющая ток Idrain. |
1/В |
2 |
LAMBDA |
Коэффициент модуляции длины канала. |
1/В |
0 |
RD |
Объемное сопротивление стока. |
Ω |
0 |
RS |
Объемное сопротивление исстока. |
Ω |
0 |
CGS |
Емкость затвор-исток при нулевом смещении. |
Ф |
0 |
CGD |
Емкость затвор-сток при нулевом смещении. |
Ф |
0 |
PB |
Контактная разность потенциалов. |
В |
1 |
KF |
Коэффициент, определяющий спектральную |
- |
0 |
|
плотность фликкер-шума. |
|
|
AF |
Показатель степени фликкер – шума. |
- |
1 |
FC |
Коэффициент нелинейности барьерной |
- |
0.5 |
|
емкости перехода при прямом смещении. |
|
|
Подсхемы
Описание подсхемы начинается с инструкции SUBCKT и заканчивается инструкцией ENDS. Между этими инструкциями располагаются инструкции, описывающие элементы подсхемы. Номера узлов в подсхеме являются локальными и только узел «0» является глобальным.
Инструкция для описания подсхемы имеет вид:
.SUBCKT subnam N1 <N2 N3 ...>
Пример:
19
.SUBCKT OPAMP 1 2 3 4
SUBNAM - имя подсхемы.
N1, N2, - внешние узлы подсхемы.
Инструкция, указывающая конец описания подсхемы имеет вид:
.ENDS <SUBNAM>
Пример:
.ENDS OPAMP
SUBNAM - имя подсхемы.
Инструкция ENDS должна быть последней в описании подсхемы. Включение подсхемы в нужное место моделируемой схемы осуществляется
следующей инструкцией языка Spice.
Инструкция для описания вызова подсхемы имеет вид:
XYYYYYYY N1 <N2 N3 ...> SUBNAM
Пример:
X1 2 4 17 3 1 MULTI
N1, N2… - узлы схемы к которым подключена подсхема.
Помещать в описании подсхемы вызов другой подсхемы не разрешается.
Параметры расчета
Установка и изменение параметров расчета в системе Spice осуществляется с помощью инструкции .OPTIONS.
Инструкция для установки и изменения параметров расчета имеет вид:
.OPTIONS OPT1 OPT2 ... (or OPT=OPTVAL ...)
Примеры:
.OPTIONS LIST
.OPTIONS RELTOL=.005 TRTOL=8
OPT1 … OPTN - опции изменяющие параметры расчета.
В Spice имеется два типа опций: опции с устанавливаемыми величинами и опции без величин (флаги). Для флагов достаточно ввести их имя. Команды директивы .OPTIONS являются кумулятивными. Это значит, что если имеется две (или более) директив .OPTIONS, то это равноценно тому, что эти опции заданы вместе в одной директиве. Если какая либо опция задана более чем один раз, то используется ее последнее значение. В таблице 11 перечислены флаги. Для флагов действующим по умолчанию значением является "выключено" (то есть значение, противоположное заданию функции).
Таблица 11.
Опция |
Наименование |
ACCT |
Печать статистики времени выполнения видов расчета, |
|
характеристик схемы и других данных о задании на |
|
моделирование. |
20