Лекция 18 микроэлектроника

Полупараболы, представляющие собой край зоны проводимости E_c и валентной зоны E_v, соответствуют плотностям состояний объемного полупроводника. Ступенчатое изменение плотности состояний характеризует структуру с квантовыми ямами. Междузонные рекомбинационные переходы (правило отбора ) происходит из основного состояния в зоне проводимости (например, E₁) в основное состояние в валентной зоне (например, E_hh1). Энергия перехода дается выражением:

Носители, захваченные из широкозонного полупроводника в квантовую яму при малой толщине ямы , не успевают релаксировать на наиболее глубокие уровни, прежде чем рекомбинируют с дырками, в результате происходит ослабления полос излучения.

Квантово-размерный лазер имеет высокую спектральную и пространственную когерентность излучения, низкие потери излучения на поглощение в активной области, низкую пороговую плотность тока и ее меньшую чувствительность к температурным изменениям.

Полупроводниковые лазеры с квантово-размерными слоями изготовляются с помощью жидкофазной и газофазной эпитаксии.