Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

testy_po_OEiIT

.doc
Скачиваний:
65
Добавлен:
06.03.2016
Размер:
658 Кб
Скачать
☆

$

$$$327 Какая из приведённых схем соответствует полевому транзистору со встроенным n- каналом, работающем в режиме обогащения?

$$

$

$

$

$$$328 Какая из приведённых схем соответствует полевому транзистору с индуцированным каналом р-типа?

$$

$

$

$

$$$329 Как определить по виду стоковых характеристик, что они для полевого транзистора со встроенным каналом?

$$Характеристика при Uзи=0 находится в середине стоковых характеристик

$Характеристика при Uзи=0 находится выше всех стоковых характеристик

$Характеристика при Uзи=0 находится ниже всех стоковых характеристик

$Характеристики Uзи начинаются не из канала координат

$$$330 Как по виду стоковых характеристик определить, что они для полевого транзистора с индуцированным каналом?

$$Характеристика при Uзи=0 находится в середине стоковых характеристик.

$Характеристика при Uзи=0 находится выше всех стоковых характеристик.

$Характеристика при Uзи=0 находится ниже всех стоковых характеристик..

$Характеристики Uзи начинаются не из канала координат.

$$$331 Какие из приведенных условных обозначений соответствует выпрямительному диоду ?

$$

$

$

$

$$$332 Укажите правильную ВАX полупроводникового диода.

$$

$

$

$

$$$333 Какие из приведенных условных обозначений соответствует стабилитрону ?

$$

$

$

$

$$$334 Укажите правильную ВАX стабилитрона.

$$

$

$

$

$$$335 Какие из приведенных условных обозначений соответствует варикапу ?

$$ $ $ $ $

$$$336 Укажите правильную ВАX туннельного диода.

$$ $

$ $

$$$337 Какие из приведенных условных обозначений соответствует диоду Шоттки ?

$$ $ $ $

$$$338 Какое из приведенных условных обозначений полупроводниковых приборов верно для биполярного транзистора ?

$$ $ $ $

$$$339 Какое из приведенных условных обозначений полупроводниковых приборов верно для полевого транзистора канала n-типа?

$$ $ $ $

$$$340 Какое из приведенных условных обозначений полупроводниковых приборов верно для полевого транзистора канала p-типа ?

$$ $ $ $

$$$341 Какое из приведенных условных обозначений полупроводниковых приборов верно для полевого транзистора с индуцированным каналом?

$$ $ $ $)

$$$342 В каком направлении включается эмиттерный переход биполярного транзистора в усилительном режиме?

$$эммитерный - в прямом

$коллекторный в прямом

$оба перехода в прямом

$оба перехода в обратном.

$$$343 Укажите правильную схему включения транзистора структурой n-p-n в статическом режиме с общим эмиттером

$$ $ $ $

$$$344 Укажите правильную схему включения транзистора структурой p-n-р в статическом режиме с общей базой

$$ $ $ $

$$$345 Укажите правильную схему включения транзистора структурой p-n-p в статическом режиме с общим коллектором

$$ $ $ $

$$$346 Укажите правильную схему включения транзистора структурой n-p-п в статическом режиме с общим коллектором

$$ $ $ $

$$$347 Униполярными транзисторами называются потому, …

$$что ток образован движением только одного типа носителей заряда электр. или дырки

$что ток образован движением только двух типов носителей заряда электр. и дырки

$что ток образован движением только положительных ионов

$нет правильного ответа

$$$348 Для какого транзистора приведена эта характеристика?

$$для полевого транзистора со встроенным n – каналом

$для полевого транзистора с управляющим р – n переходом, с каналом n – типа

$для полевого транзистора с управляющим р – n переходом с каналом р – типа

$для полевого транзистора с индуцированным каналом

$$$349 Укажите условия максимального усиления мощности

$$Rн = Rвых УЭ

$Rн << Rвых УЭ

$Rн = Rвх УЭ

$Rн >> Rвых УЭ

$$$350 По какой причине точка покоя может изменять своё положение на нагрузочной прямой?

$$из-за дестабилизирующих факторов

$причины изменения положения точки покоя отсутствуют

$из-за увеличения количества элементов схемы

$из-за изменяющейся нагрузки.

$$$351 Что такое полупроводник?

$Вещество, при температуре абсолютного нуля являющееся диэлектриком, а при нагревании становится проводником.

$Металл с большим удельным сопротивлением.

$Вещество проводимость которого обусловлена движением ионов

$Жидкости проводящие электрический ток.

$$Вещество, при температуре абсолютного нуля являющееся диэлектриком, а при нагревании становится проводником.

$$$352 Какие материалы используется для изготовления полупроводниковых приборов?

$As, Sn, Si.

$$Si, Ge.

$Al, Б, Ge.

$Si, Jn, Fe.

$$$353 Какова валентность полупроводников?

$$Четыре

$Семь

$Три

$Пять

$$$354 Каково количество электронов и дырок в собственном полупроводнике?

$$Одинаковое

$Дырок вообще нет, а электронов и отрицательных ионов очень много.

$Электронов вообще нет, а дырок и положительных ионов очень много.

$Электронов много, дырок - мало.

$$$355 Какой полупроводник называется примесным?

$$Полупроводник содержащий в небольшой концентрации примесь с валентностью, отличной от валентности основного вещества

$Сплав кремния и германия.

$Сплав трех и пяти валентных материалов

$Сплав нескольких различных полупроводников

$$$356 Примеси какой валентности обеспечивают получение полупроводника n- типа?

$$С валентностью большей, чем у исходного материала

$Трехвалентные

$Четырехвалентные

$Двухвалентные

$$$357 Примеси какой валентности обеспечивают получение полупроводника р- типа?

$$С валентностью меньшей, чем у исходного материала

$Четырехвалентные

$Двухвалентные

$С валентностью большей, чем у исходного материала

$$$358 С какой целью применяют добавление примесей в полупроводник?

$$Для увеличения электропроводности

$Для получения металла

$Для получения диэлектрика

$Для получения односторонней проводимости

$$$359 Какие подвижные носители заряда являются основными в проводнике p-типа?

$$Дырки

$Электроны

$Положительные ионы

$Отрицательные ионы

$$$360 Какие подвижные носители заряда являются основными в проводнике n-типа?

$$Электроны

$Положительные ионы

$Отрицательные ионы

$Дырки