Глазачев А.В., Петрович В.П. -- Физические основы электроники. Конспект лекции

Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники. Конспект лекций

D – мощные низкочастотные транзисторы;

E– туннельные диоды;

F– маломощные высокочастотные транзисторы;

G– приборы специального назначения (например, генераторные), а также сложные приборы, содержащие в одном корпусе несколько различных компонентов;

H– магниточувствительные диоды;

K – приборы на основе эффекта Холла;

L – мощные высокочастотные транзисторы;

M – модуляторы и умножители на основе эффекта Холла;

N – оптроны;

P – светочувствительные приборы (фотодиоды, фототранзисторы и т.п.);

Q– светоизлучающие приборы (светодиоды, ИК-диоды и т.п.);

R– маломощные переключательные приборы (тиристоры и т.п.);

S– маломощные переключательные транзисторы;

T– мощные переключательные приборы;

U– мощные переключательные транзисторы;

X – умножительные диоды (варакторы и т.п.);

Y– выпрямительные диоды, бустеры;

Z– стабилитроны, стабисторы, ограничители.

Третий элемент – буква, которая ставится только для приборов, предназначенных для применения в аппаратуре специального назначения (профессиональной, военной и т.п.). Это обычно буквы: Z, Y, X и W.

Четвертый элемент – двух-, трехили четырехзначный серийный номер полупроводникового прибора.

В системе Pro Electron также могут присутствовать дополнительные элементы. Например, как и в системе JEDEC, суффикс, отражающий разбивку приборов одного типа на различные типономиналы по характерным параметрам.

Для некоторых типов полупроводниковых приборов(стабилитроны, мощные тиристоры и др.) может применяться дополнительная классификация. В этом случае к основному обозначению через дефис или дробь добавляется дополнительный код. К примеру, для стабилитронов часто используется дополнительный код, содержащий сведения о напряжении стабилизации и его разбросе(А – 1 %, В – 2 %, С – 5 %, D – 10 %, E – 15 %). Если напряжение стабилизации – не целое число, то вместо запятой ставится буква V. Для выпрямительных диодов в дополнительном коде указывается максимальная амплитуда обратного напряжения.

Например, BZY85-C6V8 – кремниевый стабилитрон специального назначения с регистрационным номером 85, напряжением стабилизации 6,8 В с максимальным отклонением этого напряжения от номинального значения на ± 5 %.

В системе Pro Electron, как и в системе JEDEC, также предусмотрена цветовая маркировка полупроводниковых приборов. Она начинается с двух широких полос. Первой широкой полосе соответствуют первые две буквы обозначения (табл. П.5). Причем что цветовая марка по системе Pro Electron предусмотрена только для маломощных кремниевых и германиевых диодов.

Вторая широкая полоса соответствует третьей букве обозначения прибора (если такая буква в обозначении присутствует).

Таблица П.5

Цветная маркировка букв по системе Pro Electron

131

Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники. Конспект лекций

Затем идут тонкие полосы, кодирующие серийный номер прибора, при этом цветовое кодирование цифрового кода такое же, как и в системе JEDEC (см. табл. П.4).

Пример цветовой маркировки Pro Electron приведен на рис. П.2.

Рис. П.2. Пример цветовой маркировки по системе Pro Electron

Система JIS. Система стандартных обозначений, разработанная в Японии (стандарт JIS-C-7012, принятый ассоциацией EIAJ – Electronic Industries Association of Japan), позволяет определить класс полупроводникового прибора (диод или транзистор), его назначение, тип проводимости полупроводника. Вид полупроводникового материала в японской системе не отражается.

Условное обозначение полупроводниковых приборов по стандартуJIS-C-7012 состоит из пяти элементов.

Первый элемент. Первый элемент – цифра, обозначает тип полупроводникового прибора. Используются 3 цифры (0, 1, 2 и 3) в соответствии с типом прибора. В табл. П.6 приведены обозначения для первого элемента.

Второй элемент. Второй элемент обозначается буквой S и указывает на то, что данный прибор является полупроводниковым. Буква S используется как начальная буква от слова Semiconductor.

Таблица П.6

Первый элемент в системе JIS-C-7012

Третий элемент. Третий элемент – буква, обозначает подкласс полупроводниковых приборов. В табл. П.7 приведены буквы, используемые для обозначения подклассов.

Таблица П.7

Третий элемент в системе JIS-C-7012

Четвертый элемент. Четвертый элемент обозначает регистрационный номер технологической разработки и начинается с числа 11.

132

Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники. Конспект лекций

Пятый элемент. Пятый элемент отражает модификацию разработки(А и В – первая и вторая модификация).

3.Условные графические обозначения полупроводниковых приборов

Втехнической документации и специальной литературе применяются условные графические обозначения полупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТ2.730–73 «Обозначения условные, графические в схемах. Приборы полупроводниковые». В табл. П.8 приведены графические обозначения основных полупроводниковых приборов.

Таблица П.8

Графические обозначения полупроводниковых приборов

Биполярный транзистор n–p–n-типа

Полевой транзистор с управляющим переходом с каналом p-типа

133

Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники. Конспект лекций

Полевой транзистор с изолированным затвором с индуцированным каналом p-типа

Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом n-типа

Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом p-типа

Диодный тиристор

Диодный симметричный тиристор

Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении с управлением по аноду

Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении с управлением по катоду

Триодный симметричный тиристор

Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении, выключаемый с управлением по аноду

Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении, выключаемый с управлением по катоду

Излучающий диод

Фоторезистор

Фотодиод

Фототранзистор p–n–p-типа

134

Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники. Конспект лекций

Фототиристор

Оптрон диодный

Оптрон тиристорный

Оптрон резисторный

Оптрон транзисторный

4. Условные буквенные обозначения полупроводниковых приборов в электрических схемах

Элементы, входящие в состав изделия, на электрической принципиальной схеме должны иметь буквенно-цифровые обозначения.

Типы условных буквенно-цифровых обозначений и правила их построения устанавливает ГОСТ

2.710–81.

Позиционное обозначение элемента в общем случае состоит из трех частей, указывающих вид, номер и функцию элемента и записывается без разделительных знаков и пробелов. Вид и номер являются обязательной частью условного буквенно-цифрового обозначения и присваивается всем элементам схемы.

Буквенные коды некоторых полупроводниковых элементов приведены в табл. П.9.

Таблица П.9

Буквенные коды полупроводниковых приборов

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1.Быстров Ю.А. Электронные цепи и микросхемотехника: учебник / Ю.А. Быстров, И.Г. Миро-

ненко. – М.: Высш. шк., 2002. – 384 с.

2.Валенко В.С. Полупроводниковые приборы и основы схемотехники электронных устройств/ под ред. А.А. Ровдо. – М.: Издательский дом «Додэка XXI», 2001. – 368 с.

3.Виноградов Ю.В. Основы электронной и полупроводниковой техники. – М: Энергия, 1968. –

624 с.

4.Воронин П.А. Силовые полупроводниковые ключи: семейства, характеристики, применение. Изд. 2-е, перераб. и доп. – М.: Издательский дом «Додэка XXI», 2005. – 384 с.

5.Гуртов В.А. Твердотельная электроника: учебное пособие. – 2-е изд., доп. – М.: Техносфера, 2005. – 408 с.

135

Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники. Конспект лекций

6.Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника и микропроцессорная техника: учебник для вузов. – 3-е изд., перераб. и доп. – М.: Высш. шк., 2004. – 790 с.

7.Данилов И.А., Иванов П.М. Общая электротехника с основами электроники: учебное пособие. 4-е изд. – М.: Высш. шк., 2000.– 752 с.

8.Лачин В.И., Савелов Н.С. Электроника: учебное пособие. – Ростов н/Д.: Изд-во «Феникс», 2000. – 448 с.

9.Морозов А.Г. Электротехника, электроника и импульсная техника. – М: Высшая школа, 1987.

–447 с.

10.Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: учебник для вузов. 7-е изд., испр. –

СПб.: Изд-во «Лань», 2003. 480 с.

11.Петров К.С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника: учебное пособие. – СПб.: Изд-

во Питер, 2004. – 522 с.

12.Петрович В.П., Воронина Н.А. Силовые преобразователи электрической энергии: учебное пособие. – Томск: Изд-во ТПУ, 2004. – 255 с.

13.Ровдо А.А. Полупроводниковые диоды и схемы с диодами. – М.: Лайт Лтд., 2000. – 288 с.

14.Ровдо А.А. Схемотехника усилительных каскадов на биполярных транзисторах. – М.: Издательский дом «Додэка XXI», 2002. – 256 с.

15.Тугов Н.М. и др. Полупроводниковые приборы: учебник для вузов / Н.М. Тугов, Б.А. Глебов, Н.А. Чарыков; под ред. В.А. Лабунцова. – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 576 с.

16.Усатенко С.Т., Каченюк Т.К., Терехова М.В. Выполнение электрических схем по ЕСКД: справочник. – М.: Изд-во стандартов, 1989. – 325 с.

136