Вопрос 23

Статические характерстики транзисторов показывают функциональные связи между постоянными токами и напряжениями электродов транзистора. Для каждой схемы включения в активном режиме существует своя совокупность семейств характеристик, описывающих связь токов и напряжений в транзисторе. 4 вида характеристик описывают свойства любого 3-электродного прибора:

1) входные характеристики: ; Iвых = const или Uвых = const.

2) выходные характеристики: ; Iвх = const или Uвх = const

3) характеристики управления (хар-ки прямой передачи): ; Uвых = const

4) характеристики обратной связи (действия): ; Iвх = const

Существуют характеристики в схеме с общей базой и характеристики в схеме с общим эмиттером.

Характеристики в схеме с ОЭ

Наиболее точными и употребительными являются характеристики с схемах с ОЭ, так как в этом случае ток базы есть аргумент для входных характеристик и характеристик прямой передачи и пар-р для остальных.

На рисунке 48 представлено семейство характеристик биполярного транзистора для схемы с ОЭ:

1. семейство входных (базовых) характеристик транзистора (48а): ; Uкэ = const

2. семейство выходных (коллекторных) характеристик транзистора (48б): ; Iб = const

3. семейство характеристик прямой передачи по току (48в): ; Iкэ = const

4. семейство характеристик обратного действия (48г): ; Iб = const

рис 48 статические характеристики БТ в схеме с ОЭ. а) – входные, б) выходные, в) хар-ки управления, г) хар-ки обратного действия

Вопрос 21 часть 3

Выражения (29) и (31) устанавливают связь между токами транзистора и справедливы для любой схемы включения. Аналогичные процессы происходят в n-p-n транзисторах.

Обратное напряжение, приложенное к коллекторному переходу значительно больше напряжения прямо включенного эмиттерного перехода, а токи в цепях эмиттера и коллектора практически равны. Поэтому мощность в нагрузке, создаваемая переменной составляющей коллекторного тока, оказывается значительно больше мощности, затрачиваемой на управление током в цепи эмиттера. Следовательно, транзистор обладает исключительными свойствами.

Инверсный режим

В инверсном режиме эмиттерный переход обратно включен, а коллекторный находится под прямым напряжением. Поэтому по сравнению с активным, в инверсном режиме инжекция носителей осуществляется коллекторным переходом, а экстракция – эмиттером. Практически эмиттер и коллектор меняются функциями и местами в схеме.

Для схемы с ОБ:

Поскольку площадь эмиттерного перехода много меньше площади коллекторного перехода и концентрация Nб<Nб, то

для схемы с ОК:

для схемы с ОЭ:

дифференциальный коэффициент передачи тока

для переменных сигналов, амплитуда которых много меньше величины питающих напряжений, связь между током коллектора и эмиттера определяется дифф-ем соотношения (29) как функции двух аргументов в предположении, что , то есть

- дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттера в схеме с ОБ