77. Динамическая память: принцип работы, организация, применение, основные типы

Динамическая память (DRAM) – тип электронной памяти, ячейки которой реализованы на конденсаторах. Конденсатор имеет два состояния (закрыт - 0, открыт - 1), имеет способность разряжаться. Потому ячейкам динамический памяти требуется цикл регенерации (восстановления) каждые 2 миллисекунды.

Организация

Ячейки электронной памяти организованы в матрицы, матрицы в микросхемы, микросхемы в модули. Матрица – совокупность ячеек, организованных в строки (raw) и столбцы (column). Количество строк и столбцов – размерность матрицы. Микросхема – объединение матриц одинаковой размерности для оптимизации обращения к ячейкам. Количество матриц – глубина микросхемы. Модуль – совокупность микросхем на одной плате (SIP – модули, SIMM – модули, DIMM – модули).

Цепи, поддерживающие работу памяти – это усилители для считывания сигналов, схемы адресации строк и столбцов, схемы выбора строк и столбцов, цепи записи и чтения, схемы разрешения вывода.

Цикл чтения включает следующие события (цикл записи подобен циклу чтения):

Выбор строки, сигнал RAS.

Выбор столбца, сигнал CAS.

Разрежение записи, сигнал WE. Высокий сигнал – запись, низкий – чтение.

Разрешение вывода, сигнал OE.

Ввод/вывод данных, I/O/

Типы динамической памяти: асинхронная и синхронная.

В настоящее время используется синхронная память: SDRAM (старая), DDR SDRAM (память с удвоенной скоростью передачи данных), DDR-II SDRAM (вдвое увеличен размер выборки данных), SLDRAM (повышение производительности за счет распространение пакетного режиа протокола передачи данных на сигналы управления), ESDRAM (улучшенная SDRAM, работает в режиме «упреждающего обращения), CDRAM (с КЭШ памятью, улучшенная ESDRAM).

Динамическая память (DRAM) используется в качестве оперативной (ОЗУ, RAM) памяти.

79. Статическая памяти: принцип работы, организация, применение, основные типы

Статическая память (SRAM) - наиболее производительный тип электронной памяти (на триггерах), используется в качестве сверхоперативной памяти (СОЗУ, кэш – память, Carche Memory) для кэширования оперативной памяти и данных в механических устройствах.

Организация элементов SRAM идентична организации элементов DRAM, то есть ячейки организованы в матрицы, матрицы в микросхемы, микросхемы в модули. Ячейки статической реализованы на триггерах. Триггер – схема, предназначена для приема, хранения, выдачи одного разряда двоичной информации. Имеет 2 состояния (0 и 1). Матрица – совокупность ячеек, организованных в строки (raw) и столбцы (column). Количество строк и столбцов – размерность матрицы. Микросхема – объединение матриц одинаковой размерности для оптимизации обращения к ячейкам. Количество матриц – глубина микросхемы. Модуль – совокупность микросхем на одной плате.

В отличии от динамической, эта память не нуждается в регенерации. Если бы SRAM устанавливалась в качестве оперативной, это обеспечило бы значительное увеличение быстродействия. Однако при этом существенно изменилась бы и стоимость компьютера. Поэтому элементы SRAM устанавливают только для выполнения специальных задач, одной из важнейших является кэширование, является временной, т.е. энергозависимой.

Существуют типы SRAM:

ASRAM – асинхронная статическая память;

SBSRAM - синхронная пакетная статическая память;

PBSRAM – конвейерная пакетная статическая память.

ASRAM имеет простейший асинхронный интерфейс, подобный интерфейсу DRAM. До недавнего времени была стандартом SRAM.

SBSRAM синхронизирована с работой системной шины.

PBSRAM – усовершенствованная SBSRAM. Конвейерная архитектура позволяет получать данные без тактов ожидания на частотах более 75 Мгц.