- •1.Фактори які впливають на людину при ураженні електричним стумом.
- •2.Використання припоїв.
- •3.Флюси та їх призначення.
- •4.Резистори. Основні параметри. Умовні і графічні позначення.
- •Характеристики
- •5. Кольорове маркумання резисторів. Номинальное сопротивление, Ом | Допуск
- •Примеры
- •6. Конденсатори. Основні параметри. Умовні і графічні позначення.
- •8. Діоди. Умовні і графічні позначення. Кольрове маркування.
- •Види діодів
- •Рівняння ідеального діода
- •7.Кольорове маркування конденсаторів.
- •Характеристики діодів
- •9. Стабілітрони. Умовні і графічні позначення. Кольрове маркування.
- •10. Транзистори. Умовні і графічні позначення. Кольрове маркування.
- •11. Інтегральні мікросхеми широкого застосування.
- •12.Силові трансформатори. Основні параметри. Умовні і графічні позначення.
- •[Компоненты трансформатора Клеммы
- •Кабельные соединения
- •Соединения с элегазовыми устройствами sf6 Охладители
- •Оборудование для регулирования напряжения
- •Навесное оборудование Газовое реле
- •Индикация температуры
- •Встроенные трансформаторы тока
- •13. Комутаційні пристрої..
- •Види комутаційних електричних апаратів
- •Параметри комутаційних апаратів
- •14.Вибір блоку живлення.Основні характеристики.
Характеристики діодів
Is — струм насичення (тепловий струм) Rб — опір бази діода Rа — активний опір RД — диференційний опір Cб — бар'єрна ємність СД — дифузійна ємність Rтп к — тепловий опір перехід-корпус КВ — коефіцієнт випростування φк — контактна різниця потенціалів
Допустимі зворотні напруги кремнієвих діодів — 1000—1500 В, а германієвих 100—400 В. Інтервал робочих температур кремнієвого діода — від −60 °C до +150 °C; а для германієвого — від −60 °C до +85 °C. Тому зараз в основному використовують кремнієві діоди.
9. Стабілітрони. Умовні і графічні позначення. Кольрове маркування.
Обозначение стабилитрона на принципиальных схемах
Вольт-амперная характеристика нескольких стабилитронов
Стабилитрон (диод Зенера) — полупроводниковый диод, предназначенный для поддержаниянапряжения источника питания на заданном уровне. По сравнению с обычными диодами имеет достаточно низкое регламентированное напряжение пробоя (при обратном включении) и может поддерживать это напряжение на постоянном уровне при значительном изменении силы обратного тока. Материалы, используемые для создания p-n перехода стабилитронов, имеют высокую концентрацию легирующих элементов (примесей). Поэтому, при относительно небольших обратных напряжениях в переходе возникает сильное электрическое поле, вызывающее его электрический пробой, в данном случае являющийся обратимым (если не наступает тепловой пробой вследствие слишком большой силы тока).
В основе работы стабилитрона лежат два механизма:
Лавинный пробой p-n перехода
Туннельный пробой p-n перехода (Эффект Зенера (англ.)русск. в англоязычной литературе)
Несмотря на схожие результаты действия, эти механизмы различны, хотя и присутствуют в любом стабилитроне совместно, но преобладает только один из них. У стабилитронов до напряжения 5,6 вольт преобладает туннельный пробой с отрицательным температурным коэффициентом, выше 5,6 вольт доминирующим становится лавинный пробой с положительным температурным коэффициентом. При напряжении, примерно равном 5,6 вольт, оба эффекта уравновешиваются, поэтому выбор такого напряжения стабилизации является одним из способов снижения его зависимости от температуры[1].
Пробойный режим не связан с инжекцией неосновных носителей заряда. Поэтому в стабилитроне инжекционные явления, связанные с накоплением и рассасыванием носителей заряда при переходе из области пробоя в область запирания и обратно, практически отсутствуют. Это позволяет использовать их в импульсных схемах в качестве фиксаторов уровней и ограничителей.
Виды стабилитронов:
прецизионные — обладают повышенной стабильностью напряжения стабилизации, для них вводятся дополнительные нормы на временную нестабильность напряжения и температурный коэффициент напряжения (например: 2С191, КС211, КС520);
двусторонние — обеспечивают стабилизацию и ограничение двухполярных напряжений, для них дополнительно нормируется абсолютное значение асимметрии напряжения стабилизации (например: 2С170А, 2С182А);
быстродействующие — имеют сниженное значение барьерной ёмкости (десятки пФ) и малую длительность переходного процесса (единицы нс), что позволяет стабилизировать и ограничивать кратковременные импульсы напряжения (например: 2С175Е, КС182Е, 2С211Е).
На принципиальных электрических схемах позиционное обозначение стабилитронов - VD (ГОСТ 2.710-81), а в англоязычных странах - ZD.
Существуют микросхемы линейных регуляторов напряжения с двумя выводами, которые имеют такую же схему включения, что и стабилитрон, и зачастую, такое же обозначение на электрических принципиальных схемах[2].
Стаби́стор (ранее нормистор) — полупроводниковый диод, в котором для стабилизации напряжения используется прямая ветвь вольт-амперной характеристики (то есть в области прямого смещения напряжение на стабисторе слабо зависит от тока). Отличительной особенностью стабисторов по сравнению со стабилитронами является меньшее напряжение стабилизации[1], которое составляет примерно 0,7 В. Последовательное соединение двух или трёх стабисторов даёт возможность получить удвоенное или утроенное значение напряжения стабилизации. Некоторые типы стабисторов представляют собой единый набор с последовательным соединением отдельных элементов.
Стабисторам присущ отрицательный температурный коэффициент сопротивления, то есть напряжение на стабисторе при неизменном токе уменьшается с увеличением температуры. В связи с этим стабисторы используют для температурной компенсации стабилитронов с положительным коэффициентом напряжения стабилизации.
Примеры стабисторов
КС107А — Uст = 0,7 В
КС113А — Uст = 1,3 В
КС119А — Uст = 1,9 В
Д220С — Uст = 0,59 В
