5. Пристрій елемента "не" (інвертора)

Якщо на затвори подається нульовий рівень, то відкривається тільки p-канал, а n-канал залишається розімкнутим. У результаті, на виході з’являється живлячуа напруга, тобто високий рівень. Якщо на затвори подається високий рівень, то розмикається n-канал, а p-канал - замикається. Вихід виявляється закорочен на масу й на ньому встановлюється нульова напруга, тобто низький рівень

6. Цикл запису відбувається у зворотному до зчитування порядку. Спочатку на шину адреси виставляється адреса ділянки, а потім сигнал WE переходить до низького стану.

Після декодування адреси сигнал CS переходить до низького рівня, тобто передається команда мікросхемі подати сигнал високого рівня на необхідну лінію row. Засувка, що втримує тригер, відкриється й залежно від стану bit-лінії, тригер перемкнеться в те або інший стан.

7.Застосування ядра мкс статичної памь’яті Ядро МКС стат. Оперативної памь’яті (SRAM –static ndom acces memory) э сукупність тригерів – логічних елементів.У сучасних ОЗП записана інформація постійно зберігається у виділеному для неї місці і не руйнується під годиною її зчитування. Руйнування інф. можливе тільки під годиною її примусового стирання або використання напруги джерела живлення. Розрізня.ть озп з однорозрядною та багаторозрядною організацією. Для ОЗП з однороздрядною організацією інформаційна ємність дорівнює 2хТбіт, де Т-кількість адресних ліній в/с ОЗП. З багаторозрядною 2хn біта, де n кількість лінійних даних. В основі всії тришерив лежить кільце із двох логічних елементів «не» (інверторів) зєднаних по типу «зсуву».

8.Основні параметри памь’яті

Оперативна пам'ять (ОЗУ – Оперативне Запам'ятовуючий Пристрій, або RAM - Random Access Memory). Цей компонент відноситься до класу енергозалежності пам'яті (при відключенні живлення всі дані видаляються). У процесі роботи ОЗУ виступає в якості буфера між дисковими накопичувачами і процесором, завдяки значно більшій швидкості читання і запису даних. Основні параметри - Тип, Об'єм, Частота, Таймінги...

- Типи оперативної пам'яті. В процесі еволюції ОЗУ, змінювалася її форма, а також положення і принципи взаємодії чіпів. Фактично, кожна така конфігурація і є окремий тип. Застарілі SIMM, DIMM, DDR2, актуальний сьогодні тип - це DDR3 (Третє покоління Double Data Rate). У порівнянні з попереднім, другим поколінням (DDR2), всі планки DDR3 мають кращу продуктивність при значно зменшеному енергоспоживанні.

- Об'єм оперативної пам'яті. Описати його затребуваність можна таким чином: Під час Вашої роботи за комп'ютером, велика кількість даних (файли операційної системи, що запускаються програм та ігор) переміщаються з дискових накопичувачів в оперативну пам'ять для подальшої обробки процесором і зберігаються там до тих пір, поки

- Частота оперативної пам'яті це пропускна спроможність каналів, по яких дані передаються на материнську плату, а звідти - в процесор. Чим більше - тим краще і дорожче. Бажано, щоб цей параметр збігався з допустимою частотою мат.плати. Якщо у оперативної пам'яті, припустимо, частота 1600 МГц, а у системній плати - 1066, тоді Ваша ОЗУ не зможе повністю розкрити свій потенціал і буде працювати на більш низькій частоті в 1066 МГц.

Таймінги оперативної пам'яті. Іншими словами - затримка або латентність (Latency) ОЗУ. Характеризується цей параметр часом затримки даних при переході між різними модулями мікросхеми ОЗП. Цих параметрів багато, але в специфікаціях та описаних вказуються тільки 4 основні:1. CAS Latency2. RAS to CAS Delay3. RAS Precharge Time4. DRAM Cycle Time