4.7 Оформлення звіту

Звіт про виконану роботу повинен містити методичні вказівки до виконання роботи, результати проведених розрахунків, модель теоретичної кривої, побудованої на основі проведених розрахунків та висновки до лабораторної роботи.

4.8 Контрольні запитання

4.8.1 Що таке ефект екранування електричного струму?

4.8.2 Чому на межі розділу двох середовищ оберненим градієнт-зондом у точці «б» (див. рис.4.1) реєструється мінімальне _поз?

4.8.3 Чому k₁₂= – k₂₁?

4.8.4 Чи зміниться форма кривої позірного електричного опору, зареєстрованої оберненим градієнт-зондом у випадку, коли ₂<₁?

Лабораторна робота №5 Розрахунок кривої позірного електричного опору у пластах без врахування впливу свердловини (три однорідні та ізотропні середовища. Ідеальний потенціал-зонд)

5.1 Мета роботи

Основна мета роботи – навчити студентів методики розрахунку і побудови кривої позірного електричного опору при переміщенні ідеального потенціал-зонда у пласті великої товщини, питомий електричний опір якого перевищує питомі електричні опори нижнього і верхнього напівпросторів.

5.2 Завдання

Студент зобов’язаний для заданих геологічних умов провести розрахунок позірних електричних опорів та побудувати теоретичну криву електрокаротажу на комп’ютері з використанням відповідного програмного забезпечення.

Умови задачі: ₁<₂>₃; h>L; ₁=₃; MN→ ∞, = 0.

5.3 Теоретична частина

Криві позірного електричного опору у пластах обмеженої товщини мають різну конфігурацію в залежності від того, більша чи менша товщина пласта (h) від розміру зонда (L). Тому, пласти з товщиною h>L умовно називаються пластами великої товщини, а з товщиною h<L – пластами малої товщини.

При розв'язанні прямої задачі електрометрії свердловин, питомі електричні опори досліджуваних середовищ задаються. Побудувавши криву позірного електричного опору для заданих умов і зіставляючи її з кривою, зареєстрованою у свердловині, можна з тією чи іншою точністю (яка залежатиме від точності початкових даних для побудови теоретичної кривої) вивчити розріз досліджуваної свердловини.

При побудові кривої опорів слід виділити п’ять положень ідеального потенціал-зонда відносно меж розділу середовищ («І», «ІІ», «ІІІ», «IV», «V» – рис.5.1).

У положенні «І», при розташуванні ідеального потенціал-зонда від нижньої межі розділу середовищ на віддалі, яка перевищує у 5 разів і більше розмір зонда, позірний електричний опір практично дорівнює питомому електричному опорові середовища, у якому розміщується зонд.

Рисунок 5.1 – Теоретична крива питомого електричного опору при перетині ідеальним потенціал-зондом пласта великої товщини з високим електричним опором

З наближенням зонда до нижньої межі розділу середовищ, на його покази починає впливати пласт високого опору. У результаті, струмові лінії від електрода «А» будуть відхилятися до низу. У зв’язку зі збільшенням густини струму в напівпросторі, який розміщений нижче від електрода «M», _поз зростає (ділянка кривої «а-б», див. рис.5.1). Найбільше значення позірного електричного опору зареєструється в момент суміщення струмового електрода з нижньою межею розділу середовищ. У точці «б» значення _поз тим більше, чим більше співвідношення і , та за умови досягає 2₁. На кривій позірного електричного опору цей максимум розміщений нижче від межі розділу середовищ на віддалі .

Після перетину електродом «А» підошви пласта (положення «ІІ») значення позірного електричного опору залишається сталим (ділянка «б-в»). Потім (положення «ІІІ») _поз зростає спочатку різко, а далі більш плавно і досягає максимуму у середині пласта. Зростання _поз зумовлене під’єднанням середовища «2» високого питомого електричного опору у півпростір М∞.

Із середини пласта позірний електричний опір спочатку поступово, а далі різко зменшується (до точки «г») через витікання все більшої кількості струму у провідне середовище «3». Відношення різко зменшується і стає набагато меншим за ₂. Після перетину електродом «А» покрівлі пласта (положення «IV») _поз залишається сталим (ділянка кривої «г-д»), а потім після перетину вимірювальним електродом покрівлі пласта асимптотично досягає ₃ (положення «V»).