Фотодиоды
Фотодиоды – это полупроводниковые приборы p-n-типа, принцип действия которых основан на внутреннем фотоэффекте. При освещении в p-n-переходе возникает фотоэлектрический эффект. В результате неравновесной концентрации носителей зарядов в p- и n-областях появляются электроны и дырки. Электронно-дырочные пары движутся к p-n-переходу, где разделяются и под действием контактной разности потенциалов неосновные носители зарядов проходят через p-n-переход, образуя фототок (вентильный режим фотодиода - фотодиод работает в режиме фотогенератора, рис. б).
Если к n-области подсоединить плюс источника, а к p-области – мину, то и при отсутствии освещения ЭДП через фотодиод будет проходить малый темновой ток. Обратный ток возрастает при освещении. Это так назывемый фотодиодный режим, схема включения показана на рис. в.
В основном фотодиоды характеризуются напряжением питания Uп (порядка 10..30 В), темновым током Iт (от 1 до 25 мкА).
П
ри
отсутствии освещенности через фотодиод
протекает темновой ток Iт,
а при освещении - световой ток Ic.
Большинство фотодиодов имеют герметичные
металлические корпуса с окном-отверстием,
закрытым стеклом. Чтобы обеспечить
наилучшее попадание света на ЭДП,
фотодиоды снабжают миниатюрными
собирательными линзами, вмонтированными
в их корпус.
Фотодиоды предназначены для работы в видимой области спектра (3..7,5)10-7 м, а также в области инфракрасных волн.
Германиевые фотодиоды широко применяют в качестве индикаторов инфракрасного излучения; кремниевые – в качестве фотоэлементов для преобразования световой энергии в электрическую, а селеновые – для фотоэкспонометров и светотехнических измерений, так как их спектральная характеристика близка к спектральной характеристике человеческого глаза.
Кроме указанных выше фотодиоды характеризуется также следующими параметрами:
- темновым Rт и световым Rс сопротивлениями;
- кратностью изменения сопротивления при освещении Rс/Rт
- удельной чувствительностью K0=Iф/(ФU) – она характеризует фототок Iф, проходящий через фотодиод при освещении его световым потоком Ф=1 миллилюмен при напряжении 1 В.
-
спектральной чувствительностью.
Характеристики фотодиодов представленны на рис г и д.
Ф0, Ф1, Ф2 и U0, U1, U2 – световые потоки и напряжения на фотодиоде.
Режим фотогенератора можно представить взаимозависимостью между током и напряжением во втором квадранте (рис. г), а фотодиодный режим в третьем. Полоса пропускания быстродействующих кремниевых фотодиодов лежит в пределах 108…109 Гц.
Лавинный фотодиод – это фотодиод с лавинным умножением тока. Когда обратное напряжение приближается к напряжению пробоя, электронно-дырочные пáры, образованные поглощёнными фотонами, приобретают энергию, достаточную для возникновения новых электронно-дырочных пар. В результате ударной ионизации увеличивается число носителей и соответственно возрастает коэффициент усиления фототока (в 100 и более раз).
Лавинные фотодиоды имеют малый уровень шумов и соответственно низкий порог чувствительности. По этому их используют для детектирования слабых оптических сигналов (оптические линии связи, лазерная индикация).
