3.4 Розрахунок базового кола кінцевого каскаду

За вхідною динамічною характеристикою (рисунок 3.2) визначаємо значення вхідного сигналу:

- напругу на базі в робочій точці спокою - ;

- струм бази в робочій точці спокою - ;

- амплітудне значення змінної складової бази - А ;

- амплітудне значення змінної напруги на базі – Uбме В;.

Визначаємо амплітудне значення вхідної напруги кінцевих транзисторів за формулою:

, (3.16)

В

Визначаємо вхідний опір транзистора без урахування негативного зворотного зв’язку:

, ( 3.17)

Ом

Визначаємо коефіцієнт підсилення за напругою:

, (3.18)

Рисунок 3.2- Вихідна динамічна характеристика

де q₂₁ – усереднена крутизна характеристики транзистора в кінцевому каскаді:

, (3.19)

А/В

Визначаємо вхідну потужність транзистора:

, (3.20)

Вт

Визначаємо коефіцієнт підсилення за потужністю:

(3.21)

3.5 Вибір складених транзисторів vt6, vt8 кінцевого каскаду

Визначаємо максимальні граничні параметри обраних складених транзисторів кінцевого каскаду за такими формулами:

• максимальний струм колектора транзистора VT6

(3.22)

А

- максимальну напругу колектор-емітер транзистораVT1

(3.23)

В

Таблиця 3.2 - Параметри транзистора передкінечного каскаду

максимальну потужність розсіювання на транзисторі VT1

(3.24)

Вт

Параметри					Тип транзистора
Розрахункові граничні параметри	0,2	57,6	0,97	_	_
Параметри вибраного транзистора	1,5	60	10	70	КТ814Г КТ815Г

- граничну частоту коефіцієнта передачі струму, мГц

(3.25)

кГц

Визначаємо величину опору резисторів R3 - R6 з такого співвідношення

Ом

Згідно ряду номінальних значень вибираємо стандартні значення резисторів R10,R11

R10=R11=510 Ом

Визначаємо потужність розсіювання на резисторах:

(3.26)

А

де -постійна складова струму

Згідно із ГОСТ 9663 приймаємо найближче стандартне більше за величиною значення потужності розсіювання. Записуємо значення резисторів відповідно до стандарту.

R10, R11 - MЛТ– 0,5Вт – 510 Ом

Визначаємо амплітудне значення змінного струму бази транзистора VT7

, А (3.27)

А

Визначаємо постійну складову струму бази транзистора:

(3.28)

А

Визначаємо амплітуду вхідної напруги ПП на складених транзисторах:

(3.29)

В

Визначаємо вхідний опір каскаду без урахування зворотного зв’язку:

(3.30)

Ом

Визначаємо вхідний опір каскаду з урахуванням зворотного зв’язку :

(3.31)

Ом

де F- глибина місцевого зворотного зв’язку в плечі

(3.32)

де - усереднена крутизна характеристики транзистора VT6;

(3.33)

А\В

- усереднена крутизна характеристики транзистора VT7

- вхідний опір транзистора VT7:

(3.34)

Ом