- •2. Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?
- •3. Який тип мають напівпровідникові матеріали з донорними домішками?
- •4. Що з перерахованого нижче використовується для виправлення змінного струму?
- •3. Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?
- •4. Який тип мають напівпровідникові матеріали з донорними домішками?
- •2. Що з перерахованого нижче використовується для виправлення змінного струму?
- •3. Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?
- •10. Розв’яжіть задачу.
- •11. Розв’яжіть задачу.
- •5. Що з перерахованого нижче використовується для виправлення змінного струму?
- •3. Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?
- •5. Який тип мають напівпровідникові матеріали з донорними домішками?
- •6. Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?
- •10. Розв’яжіть задачу.
- •11. Розв’яжіть задачу.
- •6. Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?
- •10. Розв’яжіть задачу.
- •11. Розв’яжіть задачу.
- •5. Що з перерахованого нижче використовується для виправлення змінного струму?
- •6. Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?
- •10. Розв’яжіть задачу.
- •11. Розв’яжіть задачу.
- •6. Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?
- •10. Розв’яжіть задачу.
- •11. Розв’яжіть задачу.
- •4. Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?
- •5. Що з перерахованого нижче використовується для виправлення змінного струму?
- •10. Розв’яжіть задачу.
- •11. Розв’яжіть задачу.
2. Що з перерахованого нижче використовується для виправлення змінного струму?
а) напівпровідниковий кристал;
б) напівпровідниковий діод;
в) напівпровідниковий транзистор.
3. Який тип провідності мають напівпровідникові матеріали без домішок?
а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
4. Яка область біполярного транзистора називається базою?
а) середня область транзистора; б) область з малою концентрацією;
в) область, у яку інжектують неосновні носії заряду.
5. Який тип мають напівпровідникові матеріали з акцепторними домішками?
а) в основному електронний; б) в основному дірковий;
в) однаковою мірою електронний і дірковий; г) не проводять електричний струм.
6. Напругу, прикладену до напівпровідникового діода, підвищили в п разів. Як змінилася сила струму, що тече через напівпровідник?
а) не змінилася; б) зросла в 100 разів;
в) зросла в 8п раза; г) зросла лінійно.
ІІ рівень
7. Чи може емітувати з урану електрон, що рухається зі швидкістю 2000 км/с терпен-дикулярно до поверхні металу, якщо робота виходу складає 3,74 еВ.
8. Поясніть, що таке ширина забороненої зони та на які властивості напівпровідників вона впливає.
9. Наведіть графіки залежності опору металів і напівпровідників від температури.
10. Як пояснити різку відмінність залежності питомого опору металів і напівпровідників від температури, маючи розуміння їх будови (наявність кристалічної гратки та вільних електронів).
ІІІ рівень
11. Розв’яжіть задачу.
Концентрація електронів в деякому металі складає 10 м ³. Визначити максимальне значення енергії для любого електрона в цьому зразку при 0 К (рівень Фермі).
12. Розв’яжіть задачу.
Визначте середню швидкість направленого руху електронів у мідному провіднику при густині струму в ньому 12,0 А/ мм²? Вважайте, що на кожний атом міді в металі припадає один вільний електрон.
З а в д а н н я
для проведення зрізу знань
з предмета
«Фізика»
викладача
Роздайбіди В.А.
Варіант 1
І рівень
1. При якому з’єднанні резистора і напівпровідникового термістора, опір якого зменшується з нагріванням, опір всієї ділянки в певному інтервалі не залежить від температури?
а) при паралельному; б) при послідовному;
в) при будь-якому; г) варіант з’єднання неможливий.
2. Вкажіть форму матерії, через яку здійснюються електричні взаємодії:
а) магнітне поле; б) гравітаційне поле;
в) електричне поле; г) такої форми матерії не існує.
