Достоинства составного транзистора:
Высокий коэффициент
усиления по току.
Cхема
Дарлингтона изготавливается в виде
интегральных схем и при одинаковом токе
рабочая поверхность кремния меньше,
чем у биполярных транзисторов. Данные
схемы представляют большой интерес при
высоких напряжениях.
Недостатки
составного транзистора:
Низкое быстродействие,
особенно перехода из открытого состояния
в закрытое. По этой причине составные
транзисторы используются преимущественно
в низкочастотных ключевых и усилительных
схемах, на высоких частотах их параметры
хуже, чем у одиночного транзистора.
Прямое падение
напряжения на переходе база-эмиттер в
схеме Дарлингтона почти в два раза
больше чем в обычном транзисторе, и
составляет для кремниевых транзисторов
около 1,2 — 1,4 В (не может быть меньше, чем
удвоенное падение напряжения на p-n
переходе).
Большое
напряжение насыщения коллектор-эмиттер,
для кремниевого транзистора около 0,9 В
(по сравнению с 0,2 В у обычных транзисторов)
для маломощных транзисторов и около 2
В для транзисторов большой мощности
(не может быть меньше чем падение
напряжения на p-n переходе плюс падение
напряжения на насыщенном входном
транзисторе).
