- •Часть 1
- •Раздел 1 Пассивные элементы электронных устройств
- •1.1 Резисторы. Конденсаторы
- •1.2 Катушки индуктивности
- •1.3 Коммутационные устройства
- •Раздел 2 Полупроводниковые приборы
- •2.1 Основные свойства полупроводников. Беспереходные полупроводниковые приборы
- •2.2 Полупроводниковые диоды
- •Транзистор позволяет регулировать ток в цепи от нуля до максимального значения
- •2.3 Биполярные транзисторы
- •1) Активный режим
- •2) Режим насыщения
- •3) Режим отсечки
- •2.4 Полевые транзисторы
- •2.5 Тиристоры
- •2.6 Полупроводниковые фотоэлектронные приборы
- •2.7 Общие сведения об интегральных микросхемах. Гибридные и плёночные имс
- •2.8 Полупроводниковые имс
- •Обозначение полупроводниковых приборов
- •1) Материал полупроводника
- •3) Цифра (буква), определяющая параметр или назначение
- •4) Номер разработки
- •5) Буквы а-я, тип параметрической группы
- •Раздел 3 Приборы и устройства индикации
- •3.1 Общая характеристика приборов и устройств индикации. Электровакуумные и газоразрядные приборы
- •3.2 Полупроводниковые и жидкокристаллические индикаторы Полупроводниковые индикаторы
- •Раздел 4 Электронные усилители
- •4.1 Общие сведения об электронных усилителях
- •4.2 Усилители синусоидальных сигналов
- •4.3 Усилители постоянного тока
- •4.4 Операционные усилители
- •4.5 Усилители мощности
- •Двухтактная трансформаторная схема усилителя мощности
- •Схемы двухтактных бестрансформаторных усилителей
- •Раздел 5 Электронные генераторы гармонических колебаний
- •5.1 Общие сведения об электронных генераторах. Генераторы с внешним возбуждением
- •5.2 Автогенераторы
2.6 Полупроводниковые фотоэлектронные приборы
Фотоэлектрические приборы - это электронные приборы, в которых световое излучение преобразуется в электрический ток.
В зависимости от вида фотоэффекта различают:
1) Фотоэлектронные приборы с внешним фотоэффектом (электровакуумные и ионные фотоэлементы, фотоумножители)
2) Фотоэлектронные приборы с внутренним фотоэффектом (фоторезисторы, полупроводниковые фотоэлементы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры)
Увеличение проводимости под воздействием электромагнитного излучения называют внутренним фотоэффектом. Наблюдается только в полупроводниках. Под действием облучения за счет энергии фотонов часть электронов полупроводника освобождается от ковалентных связей, то есть образуется дополнительные электронно-дырочные пары. Концентрация свободных носителей увеличивается, и проводимость полупроводника возрастает.
Фоторезисторы
Это полупроводниковые приборы, сопротивление которых изменяется под действием светового потока.
Рисунок 32 – Схема включения и ВАХ фоторезистора
При отсутствии освещения, сопротивление фоторезистора велико (102 –109). В цепи протекает малый ток, называемый темновым. При освещении поверхности полупроводника за счёт внутреннего фотоэффекта, сопротивление фоторезистора падает и через него протекает световой ток. При увеличении светового потока Ф фототок также увеличивается. Кроме того, величина тока зависит от материала полупроводника, спектрального состава светового потока, температуры.
Параметры фоторезистора ФСК-1:
Рабочее U-50В;
Темновой ток-5мкА;
Световой ток-2мА;
Кратность изменения сопротивления -100.
Применяются как датчики освещённости в автоматике и измерительной технике.
Фотодиоды
Это полупроводниковые диоды, обратный ток которых управляется с помощью светового потока.
Устройство фотодиода аналогично обычному диоду, но снабжённого окном с одной стороны p-n-перехода.
Рисунок 33 – Схема включения и ВАХ фотодиода
Фотодиод работает при обратном смещении p-n-перехода. При освещении фотодиода в области p-n-перехода, генерируются дополнительные электроны и дырки, и обратный ток через переход увеличивается.
Фотодиод, работающий в генераторном режиме, называется фотоэлементом. Он преобразует световую энергию в электрическую. ЭДС между выводами фотодиода создаётся за счёт разделения возникающих носителей заряда электрическим полем перехода. Возникающая ЭДС достигает 0,9В.
По сравнению с фоторезисторами, фотодиоды являются более быстродействующими, но имеют меньшую чувствительность и более сильную зависимость от температуры.
Фототранзисторы
Э
то
полупроводниковые транзисторы, ток в
которых управляется с помощью светового
потока. В отличии от обычных транзисторов,
у них имеется окно в области базы.
При отсутствии освещения, фототранзистор работает так же как и обычный транзистор. При попадании светового потока Ф на область базы, ток коллектора транзистора увеличивается.
Чувствительность фототранзистора значительно выше, чем у фотодиода.
Оптоэлектронные приборы
Это приборы, преобразующие электрические сигналы в оптические и передающие эту энергию индикаторам или фотоэлектрическим преобразователям.
Оптоэлектроника – это раздел науки и техники, в которой изучаются вопросы генерации, обработки и хранения информации на основе совместного использования электрических и оптических явлений.
Простейший оптоэлектронный прибор состоит из источника излучения - светодиода, и приемника излучения (фоторезистор, фотодиод, фототранзистор, фототиристор), имеющих между собой оптическую связь. Такой прибор называется оптопара.
Рисунок 34 – Варианты оптопар
Основное назначение оптопар – устранение электрической связи между отдельными узлами и элементами. В них полностью отсутствует электрическая и магнитная связь между излучателем и приемником. Оптопара имеет широкую полосу пропускания – могут передаваться сигналы с частотой от 0 до 1014 Гц.
