- •1. Основные понятия и расчетные формулы
- •1.1. Физические процессы в р-n-переходе
- •1.1.1. Образование p-n перехода. P-n переход в равновесном состояние
- •1.2. Полупроводниковые диоды
- •1.3. Типы полупроводниковых диодов
- •2. Задания на теоретические расчёты
- •3. Задания на Экспериментальные исследования и методические указания к ним
- •Задание 3. Исследовать статическую вах стабилитрона
- •Задание 5. Исследовать работу выпрямителя
- •4. Указания к отчёту
- •Вопросы для самоконтроля
- •2 .5. Исследовать начальный участок обратной ветви вах диодов на основе Ge и Si по схеме на рис.3.7. Установить на выходе генератора треугольный сигнал с амплитудой 5в, смещением Рис.3.7.
- •0В, частотой 1Гц и получить на экране осциллографа изображение вах.
- •6. Список литературы
2. Задания на теоретические расчёты
1. Построить теоретическую ВАХ, представив её выражение в виде:
U= т ln [I/I0+1]
и приняв I0=0,1 мА, т=0,026В.
При построении прямой ветви подставить положительные значения токов от 0 до 10 мА (5-6 точек). Обратную ветвь ВАХ удобнее строить по формуле (8), подставляя значения обратных напряжений от 0 до-10В и вычисляя значения токов.
2. Определить значения дифференциального сопротивления диода в двух выбранных точках на прямой ветви ВАХ выпрямительного диода Д9Б по формуле (9).
3. Для стабилизатора напряжения (рис.9) найти коэффициент стабилизации Кст при условии, что ΔЕ=5В; Е=12,5В; ΔU= 0,2В; Uст=5,6В.
3. Задания на Экспериментальные исследования и методические указания к ним
Каждый из студентов выполняет вариант по заданию преподавателя:
Вариант № |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
Диод - Si |
1N914 |
1N914A |
1N4009 |
1N4150 |
1N4152 |
1N4154 |
Диод - Ge |
mbrb1040 |
mbr1060 |
mbr7030 |
mbrb4030 |
mbr340 |
mbr835 |
Стабилитрон |
1N4372 |
1N4773A |
1N4733A |
1N4735A |
1N4740A |
1N4742A |
Задание 1. Снять по точкам статическую Вольтамперную
характеристику (ВАХ) диода
С
нять
прямую ветвь ВАХ диода на основе кремния
(1N914).
Для ее измерения собрать схему (рис.3.1).
Последовательно устанавливая значения прямого тока Iпр диода, задаваемого источника тока (0 - 10мА), запишите значения напряжения Unp и тока Iпр в табл.1.
1.2. Снять обратную ветвь ВАХ диода на основе кремния (1N914). Собрать схему (рис.3.2). Переверните диод. Последовательно устанавливая ЭДС источника равными О - 50 В, запишите значения тока Iобр и напряжения Uобр в табл.2.
1
.3.
По полученным данным постройте графики
Iпр(Unp)
и Iобр(Uобр).
1.4. Рассчитать дифференциальное сопротивление диода по графику прямой ветви ВАХ по формуле Rдиф= ∆U/∆I│Iпр=const, при Iпр = 8 мА. Проделать ту же процедуру для Iпр = 4 мА, Iпр = 2 мА и 1пр =0.5 мА. Результаты расчетов запишите в отчет: Rдиф= ∆U/∆I│Iпр=8мА=__. Построить график зависимости Rдиф= f(Iпр).
1.5. Вычислите статическое сопротивление диода на постоянном токе по формуле Rcтат= U0/I0 при I0 = 8 мА и занесите результат в отчет.
1.6. Вычислить дифференциальное сопротивление диода при обратном напряжении 5, 10В и запишите результаты в отчет.
1.7. Исследовать статическую ВАХ диода на основе германия. Повторить пункты 1.1 – 1.6 для диода mbrd835.
Задание 2. Снять статическую Вольтамперную характеристику (ВАХ) диода используя осциллограф
Э
то
наиболее быстрый и удобный способ
исследования ВАХ, непосредственно
наблюдая ее на экране осциллографа.
2.1. Собрать схему, приведенную на рис.3.3.
2.2. Получить на экране осциллографа изображение ВАХ. Для этого: на выходе генератора установить треугольный сигнал с амплитудой 10В, частотой 10Гц . Осциллограф поставить в режим В/А. При таком подключении координата точки луча по горизонтальной оси осциллографа будет пропорциональна напряжению, подаваемому на А - вход, а по вертикальной- току через диод. Поскольку напряжение в вольтах на резисторе 1 Ом численно равно току через диод в амперах (I=U/R=U/1=U), по вертикальной оси можно непосредственно считывать значения тока. Это и позволит получить вольтамперную характеристику непосредственно на экране осциллографа. Таким образом, ток и напряжение в каждой точке ВАХ вычисляются из соотношений: I= Y Ky.канВ, U= X Ky.канА, где Y,X – координата точки луча, в делениях шкалы осциллографа; Ky.канА, Ky.канВ – масштабные множители осциллографа по оси Y каналов А и В, причем в размерности множителя канала В Ky.канВ 1мВ соответствует 1мА.
Подобрать значения Ky.канА, Ky.канВ так, чтобы луч не выходил за пределы экрана, а изображение ВАХ было по возможности максимальным. Осевые линии на сетке экрана совпадают с осями ВАХ.
2.3. Снять статическую ВАХ диода в режиме большого сигнала, когда амплитуда сигнала превышает максимальное допустимое обратное напряжение т.е. Um>|Uобр.max|.
У
становить
на выходе генератора треугольный сигнал
с амплитудой 40В, смещением –10В, частотой
1Гц и получить
на экране
осциллографа изображение ВАХ (рис.3.4.).
Рис.3.4.
Зарисовать в отчет статическую ВАХ с нанесением по осям координат масштабов соответствующих значениям токов и напряжений. Определить максимальное допустимое обратное напряжение (Uобр.max=__).
2
.4.
Снять статическую ВАХ диода на основе
германия mbrd835
в режиме малого сигнала. Установить на
выходе генератора треугольный сигнал
с амплитудой 5В, смещением 0В, частотой
1Гц и получить
на экране
осциллографа изображение ВАХ (рис.3.5.).
Рис.3.5.
Обратите внимание на изгиб ВАХ. Измерьте и запишите в отчет величину напряжения изгиба для диода на основе германия mbrd835 (Uизг.Ge=__ ). Напряжение изгиба определяется из вольтамперной характеристики диода, для точки, где характеристика претерпевает резкий излом.
Повторить задание для диода (рис.3.6) на основе кремния 1N914 (Uизг.Si=__).
Р
ис.3.6.
