- •Введение
- •Классификация измерительных приборов
- •Классификация измерительных информационных систем (иис)
- •Разновидности и структура иис
- •Измерительные системы (ис)
- •Системы автоматизированного контроля (сак)
- •Системы технической диагностики (стд)
- •Статические метрологические характеристики
- •Измерительно-вычислительные комплексы (ивк)
- •Характеристики качества средств измерения
- •Динамические характеристики си
- •Неметрологические характеристики си
- •Нормирование метрологических характеристик
- •Измерительные сигналы
- •Классификация видов сигналов, используемых в си
- •Математические модели измерительных сигналов
- •Общая классификация
- •Модель квазидетерминированных сигналов
- •Математические модели случайных сигналов
- •Структурно математические модели процессов в си
- •Преобразования измерительных сигналов в си.
- •Преобразователи различных физических величин и полей
- •Основные понятия
- •Масштабные измерительные преобразователи
- •Преобразователи магнитных полей
- •Реостатные преобразователи
- •Тензорезисторные преобразователи
- •Емкостные преобразователи
- •Пьезоэлектрические преобразователи
- •Индуктивные преобразователи
- •Трансформаторные преобразователи
- •Индукционные преобразователи
- •Магнитоупругие преобразователи
- •Терморезисторы
- •Методы построения и анализа математических моделей Средств Измерений
- •Построение математической модели си по его структурной схеме
- •Моделирование си на основании закона сохранения энергии
- •Моделирование си с использованием принципа Гамильтона и уравнение Лагранжа
- •Моделирование си методом аналогий
- •Методы анализа математических моделей си
- •Помехозащищённость средств измерений
- •Виды помех, влияющих на си и способы их снижения
- •Расчет электромагнитных экранов
- •Проектирование средств измерений с учётом требований надёжности
- •Основные понятия
- •Количественные характеристики надёжности
- •Расчёты надёжности при проектировании си
- •Основные сведения о системах автоматизированного проектирования (сапр) средств измерений
- •Этапы проектирования си
- •Техническое обеспечение сапр
- •Программное обеспечение сапр
- •Основные задачи сапр си
- •Учебное издание
- •Основы проектирования приборов и систем
- •346428, Г. Новочеркасск, ул. Просвещения, 132, тел. 55-305
Расчет электромагнитных экранов
Эффективность экранирования электрических полей обозначается буквой SE и определяется по формуле:
|
(9.2) |
где: Е и ЕЭ – напряженность электрического поля соответственно при отсутствии экрана и с экраном.
Эффективность магнитного поля определяется формулой:
|
(9.3) |
Аналитический метод расчета экранирования электромагнитных полей базируется на решении уравнения Максвелла:
|
(9.4) |
где:
σ – электропроводность;
ω – круговая частота;
ε – электрическая проницаемость;
μ – магнитная проницаемость.
При расчете используется представление об экране как о линейной системе, т.е. исключены нелинейные искажения.
Для плоской электромагнитной волны уравнение (10.3) можно представить в виде:
|
(9.5) |
Решение такого уравнения представляется в виде:
|
(9.6) |
Анализ эффективности электромагнитного экранирования производится по формуле:
|
(9.7) |
где: А – затухание за счет поглощения вызываемого тепловыми потерями от возбужденных вихревых токов в листе металла; R – затухание за счет отражения электромагнитной энергии от границ раздела диэлектрик – экран; В – затухание за счет многократных внутренних переотражений в толщине экрана от стенок.
Для квазистатического поля
|
(9.8) |
где t – толщина стенки экрана; r – расстояние от источника помехи до точки, в которой определяется эффективность экранирования.
Для квазимагнитостатического поля
|
(9.9) |
|
(9.10) |
где μr – относительная магнитная проницаемость ферромагнитного экрана
|
|
Эффективность конкретных защитных экранов в зависимости от их формы и материала определяется так:
для экрана в форме немагнитного прямого параллелепипеда:
|
(9.11) |
для экрана в форме магнитного прямого параллелепипеда:
|
(9.12) |
для экрана в форме немагнитного прямого кругового цилиндра:
|
(9.13) |
для экрана в форме магнитного прямого кругового цилиндра:
|
(9.14) |
для экрана в форме немагнитной сферы:
|
(9.15) |
для экрана в форме магнитной сферы:
|
(9.16) |
Как правило, наибольшие помехи в СИ создаются низкочастотными электромагнитными (квазимагнитостатическими) полями с частотой 50Гц ÷ 20кГц и постоянными магнитными полями, а также полями с частотой <50Гц. В первом случае используются, как правило, немагнитные металлические экраны, во втором – ферромагнитные экраны.
В качестве материалов для первой группы экранов используют алюминий и магниевые сплавы, а также листовая латунь и медь.
Для второй группы экранов используют малоуглеродистую конструкционную сталь, магнитный чугун, электротехническую сталь, листовой пермолой (сплав, содержащий до 80% никеля).
