2 Расчет усилительного каскада.

Схема включения биполярного транзистора

Рисунок 1. Схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером и с эмиттерной стабилизацией

2.1 Выбор режима работы транзистора

Рисунок 2. Входные и выходные характеристики транзистора

Нагрузочную прямую строим по двум точкам (0,Е/(R_k+R_э) и (Е,0) :

1. I_к=0 и U_кэ= E_п =12В

2. U_кэ=0 и

Рассчитаем напряжение коллектор-эмиттер в рабочей точке:

Параметры рабочей точки:

U_{кэ рт} = 12 В

I_{к рт} = 6,5 мА

I_{б рт}= 0,06 мА

U_{бэ рт} = 0,65 В

2.2 Расчет делителя в цепи базы.

В схеме с эмиттерной стабилизации рабочей точки используется отрицательная обратная связь по постоянному току. Величина резистора R_э, задающего обратную связь, определяется из условия R_э = 0.2 R_к. Затем выбирается ток делителя I_д протекающий через R_Б2, много большим, чем I_б0, и определяются R_Б1 и R_Б2 по следующим соотношениям:

R_э=0,2*R_К =0,2*2700=720 Ом

Из ряда Е24 выбираем подходящие значения сопротивления равное = 9,1 кОм

Пересчитаем ток делителя:

Расчитаем соопротивление резистора R_Б1

Из ряда Е24 выбираем подходящие значения сопротивления равное = 51 кОм

2.3 Определение h – параметров транзистора по статистическим характеристикам.

Входное сопротивление, измеряемое при коротком замыкании на выходе транзистора (рисунок 3):

Рисунок 3. Определение входного сопротивление по входной характеристике транзистора.

,

Коэффициент передачи тока базы транзистора при коротком замыкании на выходе транзистора:

Рисунок 4. Определение коэффициента передачи тока базы по выходной характеристике транзистора.

,

Выходная проводимость, измеряемая при холостом ходе на входе транзистора:

Рисунок 5. Определение выходной проводимости по выходной характеристике транзистора.

,

У маломощных транзисторов коэффициент обратной связи по напряжению равен:

2.4 Расчет параметров элементов схемы замещения транзистора

Рисунок 6. Схема замещения Джиаколетто.

Барьерная ёмкость коллекторного перехода:

Выходное сопротивление транзистора:

Сопротивление коллекторного перехода:

Сопротивление эмиттерного перехода для тока эмиттера:

Сопротивление эмиттерного перехода для базового тока:

Сопротивление базы транзистора:

Диффузионная ёмкость эмиттерного перехода:

Крутизна транзистора: