- •Введение
- •Требования к оформлению лабораторной работы.
- •Правила выполнения и защиты работ.
- •Теоретические положения.
- •1. Полупроводниковые диоды.
- •1.1. Выпрямительный диод.
- •1.2. Импульсный диод.
- •2. Неуправляемый полупроводниковый однофазный однополупериодный выпрямитель.
- •3. Двухполупериодный мостовой выпрямитель.
- •3.1. Сглаживающие фильтры.
- •4. Стабилитрон.
- •5. Полупроводниковый тиристор.
- •6. Управляемые полупроводниковые выпрямители.
- •6.1. Тиристорный регулятор мощности.
- •7. Биполярный транзистор.
- •8. Транзисторный каскад с общим эмиттером.
- •9. Полевой транзистор.
- •9.1. Устройство полевого транзистора с изолированным затвором
- •9.2. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
- •10. Транзисторный каскад с общим истоком.
- •11. Операционные усилители.
- •11. 1. Инвертирующий усилитель
- •11.2. Неинвертирующий усилитель
- •11.3. Интегратор напряжения.
- •11.4. Дифференциатор напряжения.
- •11.5. Однопороговый компаратор.
- •11.6. Гистерезисный компаратор.
- •2. Исследование вольтамперной характеристики импульсного диода
- •Лабораторная работа №2. Исследование работы однополупериодного выпрямителя.
- •Лабораторная работа №3. Исследование работы мостового выпрямителя. Работа мостового выпрямителя с емкостным сглаживающим фильтром.
- •1. Исследование работы мостового выпрямителя.
- •2. Исследование работы мостового выпрямителя с емкостным сглаживающим фильтром.
- •2. Исследование работы параметрического стабилизатора напряжения.
- •Лабораторная работа № 5. Исследование характеристик тиристора.
- •Исследование вольтамперной характеристики тиристора
- •Лабораторная работа №6. Исследование управляемых схем на тиристорах.
- •1. Исследование работы управляемого однополупериодного выпрямителя
- •2. Исследование работы тиристорного регулятора мощности.
- •Лабораторная работа № 7.
- •1. Получение входной характеристики биполярного транзисторав схеме с общим эмиттером
- •2. Получение семейства выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
- •Лабораторная работа № 8. Исследование транзисторного каскада с общим эмиттером. Установка рабочей точки и исследование работы транзисторного каскада с общим эмиттером.
- •Лабораторная работа № 9. Исследование полевого транзистора.
- •1. Получение передаточной характеристики полевого транзистора в схеме с общим истоком.
- •2. Получение зависимости сопротивления канала полевого транзистора от напряжения затвор-исток
- •3. Получение семейства выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком
- •Лабораторная работа № 10. Установка рабочей точки и исследование работы транзисторного каскада с общим истоком.
- •Лабораторная работа № 11. Исследование работы инвертирующего усилителя.
- •1. Получение передаточной характеристики инвертирующего усилителя
- •2. Исследование работы инвертирующего усилителя.
- •Лабораторная работа № 12. Исследование работы неинвертирующего усилителя.
- •1. Получение передаточной характеристики неинвертирующего усилителя.
- •2. Исследование работы неинвертирующего усилителя.
- •Лабораторная работа № 13. Исследование работы интегратора напряжения.
- •Лабораторная работа № 14. Исследование работы дифференциатора напряжения.
- •Лабораторная работа № 15. Исследование работы однопорогового компаратора.
- •1. Получение передаточной характеристики однопорогового компаратора.
- •2. Исследование работы однопорогового компаратора.
- •Лабораторная работа № 16. Исследование работы гистерезисного компаратора.
- •1. Получение передаточной характеристики гистерезисного компаратора.
- •2. Исследование работы гистерезисного компаратора.
- •Лабораторная работа №1. Исследование вольтамперных характеристик выпрямительного диода и импульсного диода.
- •1. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода
- •2. Исследование вольтамперной характеристики импульсного диода.
- •Лабораторная работа №6. Исследование управляемых схем на тиристорах.
- •1 . Исследование работы управляемого однополупериодного выпрямителя
- •2. Исследование работы тиристорного регулятора мощности.
- •Лабораторная работа № 7.
- •1. Получение входной характеристики биполярного транзисторав схеме с общим эмиттером
- •Лабораторная работа № 8. Исследование транзисторного каскада с общим эмиттером. Установка рабочей точки и исследование работы транзисторного каскада с общим эмиттером
- •Лабораторная работа № 11. Исследование работы инвертирующего усилителя.
- •1. Получение передаточной характеристики
- •Лабораторная работа № 12. Исследование работы неинвертирующего усилителя.
- •1. Получение передаточной характеристики
- •2. Исследование работы однопорогового компаратора.
- •Лабораторная работа № 16. Исследование работы гистерезисного компаратора.
- •1. Получение передаточной характеристики гистерезисного компаратора.
- •2. Исследование работы гистерезисного компаратора.
Теоретические положения.
1. Полупроводниковые диоды.
Полупроводниковый прибор, имеющий один p-n-переход и два электрода, называется диодом (от др.-греч. ди — два и -од – путь). Все полупроводниковые диоды делятся на выпрямительные и специальные. Выпрямительные служат для выпрямления переменного тока, в зависимости от рабочей частоты они могут быть низкочастотными, высокочастотными и импульсными. В специальных диодах используются различные свойства p-n-переходов (явление пробоя, фотоэффект, и т.д.). Специальные диоды используются для стабилизации напряжения, регистрации излучения, и т.д. В зависимости от конструкции диоды делятся на плоскостные и точечные.
По технологии изготовления – на сплавные, диффузионные и эпитаксиальные.
Плоскостные диоды имеют большую площадь p-n-перехода, точечные – малую площадь p-n-перехода.
Сплавные диоды обычно используют для выпрямления переменного тока частотой до 5 кГц. Диффузионные диоды могут работать на повышенной частоте до 100 кГц. Эпитаксиальные диоды могут использоваться на частотах до 500 кГц.
1.1. Выпрямительный диод.
В
ыпрямительный
диод представлен на рис.2. Одна из областей
р-n-структуры
(р+),
называется эмиттером, имеет большую
концентрацию основных носителей заряда,
чем другая область, называемая базой.
Рис. 2. Выпрямительный диод.
Статическая вольт-амперная характеристика (ВАХ) полупроводникового диода изображена на рис.3.
Рис. 3. Вольтамперная характеристика выпрямительного диода.
Здесь же пунктиром показана теоретическая ВАХ электронно-дырочного перехода, определяемая соотношением
,
где Iо — обратный ток насыщения (ток экстракции, обусловленный неосновными носителями заряда; значение его очень мало); U — напряжение на p-n-переходе; т = kT/e — температурный потенциал (k — постоянная Больцмана, Т — температура, е — заряд электрона); m — поправочный коэффициент: m = 1 для германиевых р-n-переходов и m = 2 для кремниевых p-n-переходов при малом токе).
Важными параметрами, характеризующими свойства диода, являются статическое и дифференциальное сопротивление p-n-перехода.
Если к нелинейному элементу приложить постоянные напряжения, то он будет характеризоваться статическими параметрами.
Для диода статическое сопротивление определяется просто как отношение приложенного напряжения к соответствующему току.
.
Дифференциальное сопротивление равно отношению приращения падения напряжения на диоде к приращению тока через диод:
.
1.2. Импульсный диод.
Импульсный диод – это полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы.
Импульсные режимы – это такие режимы, когда диоды переключаются с прямого напряжения на обратное через короткие промежутки времени, порядка долей микросекунды, при этом важную роль играют здесь переходные процессы. Основное назначение импульсных диодов – работа в качестве коммутирующих элементов.
