- •Часть I
- •1.2. Испытания напряжением промышленной частоты
- •1.3. Испытания изоляции импульсными напряжениями
- •1.4. Испытание методом разрядного напряжения
- •1.5. Общие условия испытаний
- •1.6. Особенности испытаний изоляции силовых кабелей
- •1.7. Особенности испытаний изоляции вращающихся машин
- •1.8. Электрическая прочность изоляционных конструкций
- •II. Высоковольтные испытательные установки промышленной частоты
- •2.1. Общие сведения
- •2.2. Установки высокого напряжения испытательных станций и лабораторий
- •Лекция 2
- •2.3. Общие требования к устройству испытательного поля
- •2.4. Схема электропитания установки высокого напряжения
- •2.5. Испытательные электроустановки
- •2.6. Испытательные трансформаторы
- •2.7. Схемы включения испытательных трансформаторов
- •2.7. Каскадное соединение трансформаторов
- •2.8. Регуляторы напряжения
- •2.9. Электронные регуляторы напряжения
- •2.10. Тиристорные регуляторы напряжения
- •2.10.1 Двухтактный тиристорный преобразователь
- •2.10.2. Мостовые тиристорные преобразователи
- •Лекция 3 установки выпрямленного напряжения
- •3.1. Общие сведения
- •3.2. Основные схемы выпрямителей
- •3.3. Схемы умножения напряжения
- •3.4. Электронные схемы регулирования выпрямленного напряжения
- •Лекция 3 установки выпрямленного напряжения
- •3.1. Общие сведения
- •3.2. Основные схемы выпрямителей
- •3.3. Схемы умножения напряжения
- •3.4. Электронные схемы регулирования выпрямленного напряжения
- •Лекция 4 каскадные генераторы постоянного тока
- •4.1. Схема удвоения напряжения, применяемая в каскадах
- •4.2. Каскадный генератор постоянного напряжения
- •1. Схемы каскадных генераторов с параллельным питанием ступеней (рис. 4.7).
- •4.3. Параметры и конструкции каскадных генераторов
- •Лекция 5 электростатические генераторы
- •Лекция 6 генераторы импульсов высокого напряжения
- •6.1. Стандартные формы импульсов
- •6.3. Заряд конденсаторов гин.
- •6.4. Разряд гин.
- •6.5. Разрядная цепь гин.
- •6.6. Инвертирование импульса гин
- •6.7. Методика расчета параметров гин.
- •6.8. Работа гин на нагрузку
- •6.9. Технологические гин.
- •6.10. Конструкции гин.
- •Лекция 7 генераторы коммутационных перенапряжений
- •7.1. Формы импульсов коммутационных перенапряжений
- •7.2. Схемы генерирования импульсов коммутационных напряжений
- •Лекция 8 высокочастотные резонансные трансформаторы (Трансформаторы Тесла)
- •Лекция 9 импульсные трансформаторы
- •9.1. Назначение импульсных трансформаторов
- •9.2. Эквивалентная схема импульсного трансформатора
- •9.3. Искажение фронта импульса
- •9.4. Искажение плоской части импульса
- •9.5. Процессы в ит после окончания импульса
- •9.6. Электромагнитные процессы в сердечнике ит
- •9.7. Потери в сердечниках
- •Лекция 10 импульсные конденсаторы
- •10.1. Специальные требования к высоковольтным импульсным конденсаторам
- •10.2. Изоляция конденсаторов
- •10.3. Условия работы изоляции конденсаторов
- •10.4. Индуктивность импульсных конденсаторов
- •10.5. Потери энергии в импульсных конденсаторах
- •10.6. Определение характеристик конденсаторов
- •10.6.1. Измерение индуктивности конденсаторов.
- •10.6.2. Определение внутреннего сопротивления конденсаторов.
- •10.7. Испытания конденсаторов высоким напряжением
- •10.8. Типы импульсных конденсаторов
- •Лекция 11 генераторы импульсных токов.
- •11.1. Назначение генераторов импульсных токов (гит)
- •11.2. Принципиальная схема генераторов больших импульсных токов (гит)
- •11.3. Эквивалентные схемы гит
- •11.4. Схемные и технические методы снижения индуктивности гит
- •11.5. Схемы с замыкателями нагрузки (кроубары)
- •Лекция 12 генераторы мощных наносекундных импульсов
- •12.1. Области применения
- •12.2. Методы формирования наносекундных импульсов на основе линий с распределенными параметрами
- •12.3. Схемы гни с умножением напряжения
- •12.4. Искажения импульсов в линиях с распределенными параметрами
- •12.5. Коммутация генераторов наносекундных импульсов
- •12.6. Наносекундные генераторы импульсов с полупроводниковыми прерывателями тока
- •Лекция 13 индуктивные накопители энергии
- •13.1. Общие сведения об индуктивных накопителях энергии
- •13.2. Основные типы индуктивных накопителей, их параметры и показатели
- •13.3. Индуктивные накопители в виде цилиндрических катушек прямоугольного сечения
- •13.4. Индуктивный накопитель в виде тонкого соленоида
- •13.5 Тороидальные индуктивные накопители энергии.
- •13.6. Процессы заряда и разряда в индуктивных накопителях
- •13.7. Трансформаторные индуктивные накопители
- •13.8. Тепловые процессы в индуктивных накопителях
- •13.9. Коммутаторы для цепей с индуктивными накопителями
- •13.9.1. Управляемые полупроводниковые коммутаторы
- •13.9.2. Вакуумные выключатели высокого напряжения
- •Измерения на высоком напряжении,
- •Устройства диагностики аппаратов высокого напряжения
- •Лекция 1
- •Измерение высоких напряжений
- •13.9.3. Электровзрывные, взрывные и реостатные коммутаторы
- •Часть II
- •1.1. Шаровые измерительные разрядники
- •Нормированные расстояния a и b (рис. 1.1) для шаровых разрядников
- •1.2. Измерение высокого напряжения электростатическими киловольтметрами
- •1.3. Измерение высокого напряжения стрелочными или цифровыми приборами с добавочным сопротивлением
- •1.4. Измерение переменного напряжения с использованием прибора и измерительного конденсатора
- •1.5. Измерение импульсных напряжений с помощью делителей напряжения
- •1.5.1. Омические делители напряжения
- •1.5.2. Емкостные делители напряжения
- •1.5.3. Демпфированные и смешанные делители
- •Лекция 2 измерение больших импульсных токов
- •2.1. Измерения импульсных токов с помощью низкоомных шунтов
- •2.2. Мостовые шунты
- •2.2. Измерительные трансформаторы тока.
- •2.3. Измерения больших токов с использованием устройств, основанных на эффекте Холла.
- •Лекция 3 частичные разряды в изоляции и их измерения
- •3.1. Основные характеристики частичных разрядов
- •3.2. Частичные разряды в бумажно-масляной изоляции.
- •3.3. Методика измерений характеристик частичных зарядов.
- •3.4. Особенности измерений характеристик чр в силовых трансформаторах.
- •Лекция 4 осциллографирование импульсных процессов
- •5.1. Электронно-лучевые осциллографы
- •5.2. Цифровые осциллографы.
- •4.3. Вопросы электромагнитной совместимости при высоковольтных измерениях электронно-лучевыми осциллографами.
- •Лекция 5 помехи при измерениях в лабораторияхвысокого напряжения
- •5.1. Заземление и экранировка залов высоковольтных лабораторий
- •5.2. Источники помех при измерениях
- •5.3. Выполнение разрядных контуров
- •5.4. Особенности выполнения измерительных схем
- •5.5. Экранированные кабины
- •5.6. Инженерные коммуникации высоковольтной лаборатории
- •5.7. Ослабление влияния помех при измерениях
Лекция 2 измерение больших импульсных токов
С большими импульсными токами (от десятков тысяч до миллионов ампер) имеют дело при исследованиях:
- атмосферных процессов (разряды молнии);
- физики плазмы;
- процессов в сильноточных выпрямителях;
- высоковольтных выключателях;
- вентильных разрядниках и нелинейных ограничителях перенапряжений и др.
При проведении исследований с использованием генераторов импульсных токов часто бывает необходимо регистрировать форму импульса тока и измерять его максимальное значение. Это производится исключительно с помощью осциллографов, на вход которых подается сигнал, пропорциональный измеряемому току. Сигнал снимается с датчиков, индуктивно или непосредственно связанных с контуром измеряемого тока. Обычно датчиками являются активные сопротивления – шунты, а также специальные трансформаторы тока, получившие название поясов Роговского.
Разработаны принципиально новые виды датчиков тока: с использованием эффекта Холла для измерения напряженности магнитного поля вблизи проводов с током, оптические системы, в основу действия которых положен эффект Фарадея ‑ вращение плоскости поляризации некоторых веществ, находящихся в магнитном поле измеряемого тока. Однако наиболее распространенными устройствами для измерения импульсных токов остаются шунты и поясы Роговского, которые рассматриваются ниже.
2.1. Измерения импульсных токов с помощью низкоомных шунтов
Шунты для измерения импульсных токов применяются в случаях, когда имеется возможность их включения в разрядную цепь в точке заземления разрядного контура или при наличии осциллографа с питанием от источника, изолированного на напряжение не меньшее, чем потенциал точки разрядного контура, в которой включен шунт. В настоящее время проблема изоляции источника питания снята, поскольку питание осциллографов (как правило, цифровых), стало автономным.
Шунты для измерения импульсных токов
изготовляются из материалов с высоким
удельным сопротивлением (константан,
нихром и т. д.) или путем параллельного
соединения большого количества низкоомных
резисторов. Шунт имеет раздельные выводы
для присоединения в цепь с измеряемым
током и для съема напряжения,
пропорционального току. Схема измерения
тока с помощью шунта приведена на рис.
2.1. Для того, чтобы исключить многократное
отражение волн на концах кабеля
,
его подключают к шунту через и
резистор
,
при этом
,
где
- волновое
Рисунок 2.1. Измерение импульсных токов с помощью низкоомного шунта.
А – схема подключения осциллографа; Б – эквивалентная схема замещения шунта.
сопротивление
кабеля. Кабель согласуют с обеих сторон:
Если сопротивление шунта чисто активное,
падение напряжения на нем пропорционально
току:
|
(2.1) |
В действительности вокруг шунта при протекании тока имеется электромагнитное поле, которое учитывается включением в схему замещения шунта параллельной емкости и последовательной индуктивности. При малых сопротивлениях шунта влияние емкости пренебрежимо мало. Влияние индуктивности велико и падение напряжения на шунте фактически равно:
|
(2.2) |
Падение напряжения на индуктивной составляющей шунта создает нелинейную составляющую падения напряжения на шунте и создает фазовый сдвиг. Поэтому основным требованием к шунтам, применяемым для измерения импульсных токов, является независимость их сопротивления от частоты. Их индуктивность должна быть минимальной и отвечать требованию:
|
(2.3) |
Для подтверждения этого требования
рассмотрим пример. Допустим, что
необходимо измерить прямоугольный
импульс тока с параметрами:
= 1000 А, длительность фронта
длительность импульса
Допустимое падение напряжение на шунте
примем
= 100 В. Тогда активное сопротивление
шунта должно быть:
Ом. Если такой шунт выполнить в виде
цилиндра длиной 0,1 м, при этом его диаметр
будет на много меньше длины, индуктивность
такой конструкции шунта составит
примерно
= 0,110-6 Г. Импульс
тока можно представить суммой гармоник.
На фронте импульса частота составляет
= 2,5106
Гц (длительность фронта – четверть
периода фронтовой частоты). При
длительности импульса
первая гармоника спектра имеет частоту
= 0,5106 Гц (считая
длительность импульса равной полупериоду
первой гармоники). Тогда реактивное
сопротивление шунта на фронте составит:
Ом.
По первой гармонике реактивное сопротивление шунта составит:
Ом.
Таким образом, при измерении с шунта будет сниматься в основном индуктивная составляющая напряжения, поскольку на фронте реактивное сопротивление в 15 раз больше активного, а на плоской части – в 3 раза. Поэтому для того, чтобы измерения имели погрешность порядка 10%, индуктивность его должна быть снижена на два порядка. С этой целью разработан ряд конструкций малоиндуктивных шунтов.
Конструктивно шунты подразделяются на петлевые, цилиндрические и дисковые.
Петлевой шунт представляет собой одну или несколько параллельно соединенных полосок или проволок, сложенных бифилярно (рис. 2.2А). При бифилярном расположении проводников достигаются снижения индуктивности шунта и приближение друг к другу точек съема напряжения (точек 1 и 2, рис. 2.2.). При большом числе параллельных петель и их симметричном выполнении относительно точек съема напряжения удается компенсировать взаимную индуктивность отдельных контуров и значительно снизить полную индуктивность шунта.
Цилиндрические шунты выполняются обычно из тонкостенных труб из материала с высоким удельным сопротивлением. Съем напряжения производится с внутренней поверхности трубы, тем самым сводится к нулю взаимная индуктивность токовой цепи и цепи измерения (рис. 2.2Б). На том же принципе работает шунт (рис. 2.2В). Съем сигнала со внутренней поверхности цилиндра. Поле тока снаружи трубу и не наводит потенциалы на измерительные провода.
Рис. 2.2. Разновидности шунтов: А - петлевой; Б - трубчатый; В - коаксиальный; Г - дисковый; 1,2 - присоединение к жиле и оболочке измерительного кабеля.
Дисковые шунты находят применение при измерении токов длительностью менее 10-8 с и конструктивно являются составной частью генератора тока коаксиального или кабельного типа. Шунт представляет собой тонкий проводящий диск, размещенный между внутренним и наружным коаксиальными цилиндрами (рис. 2.2Г).
Измерительная часть схемы дополняется, как правило, измерительным кабелем и согласующими резисторами в начале и в конце кабеля. В начале кабеля согласующий резистор включается последовательно между жилой кабеля и шунтом (рис. 1) и в случае цилиндрических шунтов располагается внутри трубы. Резистор в конце кабеля – между его жилой и оболочкой. Поскольку сопротивление шунта обычно много меньше волнового сопротивления кабеля, а сопротивления включаемых резисторов равны волновому, то на осциллографе фиксируется сигнал, в 2 раза меньший снимаемого с шунта. Влияние индуктивности L в схеме замещения приводит к искажению реальной формы тока при регистрации. Степень искажения можно оценить (как в делителях напряжения) путем оценки реакции на прямоугольный импульс тока. Для шунта время реакции (постоянная времени):
|
(2.4) |
где Lш и Rш – индуктивность в схеме замещения и активное сопротивление шунта.
В общем случае Lш= Lвз+ Lвт, где Lвз – взаимная индуктивность измерительной цепи и контура измеряемого тока; Lвт – внутренняя индуктивность шунта. Для цилиндрических и дисковых шунтов при хорошем экранировании измерительной части, использовании коаксиального измерительного кабеля Lвз может приближаться к нулю. Для шунта, выполненного из бифилярного круглого провода общей длиной l , радиусом r и при расстоянии между осями проводов d:
|
(2.5) |
где ‑ магнитная проницаемость материала шунта.
Для шунта, выполненного из шины шириной h и толщиной b при расстоянии между шинами, меньшем b,
|
(2.6) |
где ‑ удельное сопротивление материала шунта; здесь и далее предполагается, что шунт изготовлен из немагнитного материала.
При известном значении активного сопротивления шунта время реакции для расчетных значений Lвт определяется по формуле 2.4.
Следует отметить, что Lвз может быть скомпенсирована путем включения в измерительную схему дополнительного контура, компенсирующего влияние цепи разряда. Сложнее обстоит дело с внутренней индуктивностью шунта.
Известно,
что на высокой частоте плотность тока
по сечению проводника неодинакова, и
глубина проникновения электромагнитного
поля в материал шунта зависит от его
удельного сопротивления
и частоты
.
Распределение тока в первом приближении
характеризуется эквивалентной глубиной
проникновения:
|
(2.7) |
Поскольку зависит от частоты, то для исключения частотной зависимости сопротивления и внутренней индуктивности шунта толщина проводов, шин или трубок, из которых изготовлен шунт, должна быть много меньше глубины проникновения поля при максимальной частоте измеряемого тока или его основных гармоник.
Режим проникновения электромагнитного поля в материал характеризуется постоянной времени:
|
(2.8) |
где b – толщина стенки шунта.
Для того чтобы процесс проникновения поля не влиял на результаты измерения, нужно параметры шунта выбирать так, чтобы время проникновения было бы на порядок меньше длительности фронта измеряемого импульса тока, т.е. постоянная времени шунта в предельном случае определяется временем проникновения поля.
С учетом сказанного выбирается толщина токоведущих элементов шунта. Их сечение определяется полностью термической и электродинамической стойкостью, а длина – значением требуемого сопротивления.
Существует также зависимость сопротивления материала шунта от его температуры. Данный эффект необходимо учитывать при выборе материала для шунта, также, как и глубину проникновения поля.
Термическая стойкость шунта, а именно температурные пределы, выше которых шунт теряет метрологические качества, легко рассчитывается при известном режиме эксплуатации шунта, расчетном значении Джоулева тепла, выделяющегося в шунте, и условиях теплоотвода.
