Спектр периодической последовательности прямоугольных импульсов

Дискретные компоненты распологаются на частотах 16, 32, 48, 64 кГц.

12. Для электрического сигнала записать математическое выражение для расчета комплексной спектральной плотности сигнала. Использовать прием, заключающийся в дифференцировании исходного сигнала необходимое число раз, чтобы он предстал в виде нескольких δ – функций.

В	Сигнал S(t)	В	Сигнал S(t)
10		5
1		6	s=
2		7
3		9
4		9

13. Для приведенного на рисунке n – p- n бт, включенного в схеме соб определить все токи и напряжения в схеме.

RЭ	ЕЭ	ЕК	RК,
Ом	В	В	Ом
180	1,9	18,6	1807

I_э

I_К

R_Э

R_К

Е_Э

U_ЭБ + U_RЭ =E_Э; U_ЭБ + I_Э * R_Э =E_Э; I_Э=(E_Э – U_ЭБ )/R_Э

Так как схема работает при активном режиме, то напряжение между эмиттером и базой примерно равно пороговому напряжению, т.е. U_ЭБ U_пор=0.7В. Значит,

I_Э = (1,9В – 0,7В)/1,9В = 0,63 А

U_RЭ = E_Э - U_ЭБ=1,9В – 0,7В=1,2В

Н а основании выполненных лабораторных работ мы можем сделать вывод, что ток эмиттера примерно равняется току коллектора. Значит, I_Э= I_К = 0,63А. Также можно заметить, что ток базы примерно в =100 раз меньше тока эмиттера. Значит,

I_Б = I_Э /100 = 0,63/100=0,63*10^-2 А.

По второму закону Кирхгофа: U_КБ + U_RК =E_К

U_КБ + I_К * R_К =E_К;

U_КБ = E_К - I_К * R_К = 18,6 В-0,63А*1807Ом =

=-1119,81 В;

U_RК = E_К - U_КБ = 18,6В – (-1119,81В)=1138,41 В

14. Для приведенного на рисунке n – p- n бт, включенного в схеме соэ определить все токи и напряжения в схеме.

ЕК	RК,	RБ,
В	Ом	МОм
18,6	1807	1,13
18,8	2021	1,08
19,1	2108	1,20
20,4	1973	1,11
20,6	1958	1,14
22,3	1889	0,88

Рассмотрим пример 1-ого варианта, остальные делайте по аналогии с этим, подставляя свои значения.

ЕК	RК,	RБ,
В	Ом	МОм
18,6	1807	1,13

Перечерчиваем схему( ничего не меняя).

Искомые величины: U_RБ, U_БЭ, U_RK, I_Б, I_Э, I_К

Решение:

В транзисторе работает 2-ой закон Киргоффа:

U_RБ+ U_БЭ=Е_К, где U_БЭ= 0,7 В (получено из лаб).

U_RБ= I_Б*R_Б=15,8*10^-6*1,13*10⁶=18 В

I_Б*R_Б+ U_БЭ=Е_К

I_Б=(Е_К-U_БЭ)/R_Б= (18,6-0,7)/1,13*10⁶=15,8*10^-6А=15,8 мкА

I_К I_Э= * I_Б=100*15,8*10^-6=1,6*10^-3=1,6 мА , где =100( получено из лаб).

U_RK+ U_KБ=Е_К

U_RK= I_К*R_К=1,6*10^-3*1807=3В

U_KБ=Е_К - I_К*R_К=18,6 – 1,6*10^-3*1807=15,6 В

15. Для БТ, включенного по СОБ или СОЭ, для которого заданы напряжения между выводами, определить режим работы БТ. Указать полярность напряжений, а также, в каком направлении протекают токи через выводы транзистора.

№	р++ – n – p+		n++ – p – n+		р++ – n – p+		n++ – p – n+
п/п	UЭБ	UКБ	UЭБ	UКБ	UБЭ	UКЭ	UБЭ	UКЭ
1	0,66	-8,7	-0,65	-0,68	-0,65	-7,4	0,71	8,7
2	0,69	-7,5	-0,71	-0,40	-0,71	-6,3	0,66	6,5
3	0,71	-5,3	-0,71	-0,65	-0,71	-8,7	0,68	5,2
4	0,71	0,40	5,3	7,2	-0,69	-6,2	0,70	6,2
5	0,66	0,70	5,0	7,1	-0,69	-9,6	0,67	8,6
6	0,68	0,40	3,8	8,7	-0,68	-9,3	0,68	7,4

Электрические режимы р⁺⁺ – n – p⁺ БТ

№	UЭБ	UКБ	Название электрического режима
1			Активный (режим усиления электрического сигнала по мощности)
2А			Режим насыщения, который по своим свойствам близок к активному
2Б			Режим глубокого насыщения (неосновными носителями базы)
3			Режим отсечки (токов транзистора)

, . (2.1)

Таблица 2.2

Электрические режимы на n⁺⁺ – p – n⁺ БТ

№	UЭБ	UКБ	Название электрического режима
1			Активный (режим усиления электрического сигнала по мощности)
2А			Режим насыщения, который по своим свойствам близок к активному
2Б			Режим глубокого насыщения (неосновными носителями базы)
3			Режим отсечки (токов транзистора)

Вариант 1

1)

№	р++ – n – p+		n++ – p – n+		р++ – n – p+		n++ – p – n+
п/п	UЭБ	UКБ	UЭБ	UКБ	UБЭ	UКЭ	UБЭ	UКЭ
1	0,66	-8,7	-0,65	-0,68	-0,65	-7,4	0,71	8,7

№	р++ – n – p+
п/п	UЭБ	UКБ
1	0,66	-8,7

Активный (режим усиления электрического сигнала по мощности)

2)

n++ – p – n+
UЭБ	UКБ
-0,65	-0,68

Режим глубокого насыщения (неосновными носителями базы)

3)

р++ – n – p+
UБЭ	UКЭ
-0,65	-7,4

=7.4-(-0.65)=8.05

= -(-0.65)

Режим глубокого насыщения (неосновными носителями базы)

4)

n++ – p – n+
UБЭ	UКЭ
0,71	8,7

=-0.71

=7.99

Активный (режим усиления электрического сигнала по мощности)

Вариант 2

№	р++ – n – p+		n++ – p – n+		р++ – n – p+		n++ – p – n+
п/п	UЭБ	UКБ	UЭБ	UКБ	UБЭ	UКЭ	UБЭ	UКЭ
2	0,69	-7,5	-0,71	-0,40	-0,71	-6,3	0,66	6,5

1)

р++ – n – p+
UЭБ	UКБ
0,69	-7,5

Активный (режим усиления электрического сигнала по мощности)

2)

n++ – p – n+
UЭБ	UКБ
-0,71	-0,40

Режим насыщения, который по своим свойствам близок к активному

3)

р++ – n – p+
UБЭ	UКЭ
-0,71	-6,3

=-0.71

=-5.59

Активный (режим усиления электрического сигнала по мощности)

4)

n++ – p – n+
UБЭ	UКЭ
0,71	8,7

=-0.66

=5.84

Активный (режим усиления электрического сигнала по мощности)

Вариант 3

№	р++ – n – p+		n++ – p – n+		р++ – n – p+		n++ – p – n+
п/п	UЭБ	UКБ	UЭБ	UКБ	UБЭ	UКЭ	UБЭ	UКЭ
3	0,71	-5,3	-0,71	-0,65	-0,71	-8,7	0,68	5,2

1)

р++ – n – p+
UЭБ	UКБ
0,71	-5,3

Активный (режим усиления электрического сигнала по мощности)

2)

n++ – p – n+
UЭБ	UКБ
-0,71	-0,65

Режим насыщения, который по своим свойствам близок к активному

3)

р++ – n – p+
UБЭ	UКЭ
-0,71	-8,7

=0.71

=-7.99

Активный (режим усиления электрического сигнала по мощности)

4)

n++ – p – n+
UБЭ	UКЭ
0,68	5,2

=-0.68

=4.52

Активный (режим усиления электрического сигнала по мощности)

Вариант 4

№	р++ – n – p+		n++ – p – n+		р++ – n – p+		n++ – p – n+
п/п	UЭБ	UКБ	UЭБ	UКБ	UБЭ	UКЭ	UБЭ	UКЭ
4	0,71	0,40	5,3	7,2	-0,69	-6,2	0,70	6,2

1)

р++ – n – p+
UЭБ	UКБ
0,71	0,40

Режим насыщения, который по своим свойствам близок к активному

2)

n++ – p – n+
UЭБ	UКБ
5,3	7,2

Режим отсечки (токов транзистора)

3)

р++ – n – p+
UБЭ	UКЭ
-0,69	-6,2

=0.69

=-5.31

n++ – p – n+
UБЭ	UКЭ
0,70	6,2

=-0.7

=6.9

Активный (режим усиления электрического сигнала по мощности)

Вариант 5

№	р++ – n – p+		n++ – p – n+		р++ – n – p+		n++ – p – n+
п/п	UЭБ	UКБ	UЭБ	UКБ	UБЭ	UКЭ	UБЭ	UКЭ
5	0,66	0,70	5,0	7,1	-0,69	-9,6	0,67	8,6

1)

р++ – n – p+
UЭБ	UКБ
0,66	0,70

Режим глубокого насыщения (неосновными носителями базы)

2)

n++ – p – n+
UЭБ	UКБ
5,0	7,1

Режим отсечки (токов транзистора)

3)

р++ – n – p+
UБЭ	UКЭ
-0,69	-9,6

=-0.69

=-8.91

Режим отсечки (токов транзистора)

4)

n++ – p – n+
UБЭ	UКЭ
0,67	8,6

=-0.67

=7.93

Активный (режим усиления электрического сигнала по мощности)

Вариант 6

№	р++ – n – p+		n++ – p – n+		р++ – n – p+		n++ – p – n+
п/п	UЭБ	UКБ	UЭБ	UКБ	UБЭ	UКЭ	UБЭ	UКЭ
6	0,68	0,40	3,8	8,7	-0,68	-9,3	0,68	7,4

1)

р++ – n – p+
UЭБ	UКБ
0,68	0,40

Режим насыщения, который по своим свойствам близок к активному

2)

n++ – p – n+
UЭБ	UКБ
3,8	8,7

Режим отсечки (токов транзистора)

3)

р++ – n – p+
UБЭ	UКЭ
-0,68	-9,3

=0.68

=-8.62

Активный (режим усиления электрического сигнала по мощности)

4)

n++ – p – n+
UБЭ	UКЭ
0,68	7,4

=-0.68

=6.72

Активный (режим усиления электрического сигнала по мощности)

Распределение напряжений в выходной цепи биполярного транзистора структуры р⁺⁺ – n – p⁺, если между выводом коллектора и источником постоянной ЭДС E включен резистор R

Упрощенная структура полевого транзистора с изолированным затвором и индуцированным n каналом

16. По заданному типу канала и затвора изобразить структуру полевого транзистора. Указать на ней полярность питающих напряжений и токи, протекающие через выводы ПТ. Изобразить условное графическое изображение ПТ.

Тип	Тип
затвора	канала
p-n	р типа
Изолир.	Инд р типа
Изолир.	Инд n типа
Изолир.	Встр р типа
Изолир.	Встр n типа
p-n	n типа

1)

Тип	Тип
затвора	канала
p-n	р типа