- •49. Проводники и диэлектрики в электрическом поле
- •Энергия конденсатора
- •Сегнетоэлектрики
- •50.Работа выхода электронов из метала
- •Термоэлектронная эмиссия
- •Элементарная теория диамагнетизма
- •Гистерезис магнитный
- •Точка Кюри
- •52.Структура твердых тел
- •Деформация растяжения
- •Деформация сжатия
- •Деформация сдвига
- •Деформация изгиба
- •Деформация кручения
- •Пластическая и упругая деформация
- •Закон гука
- •1. Закон Фурье
- •2. Теплопроводность анизотропных тел
- •3. Температуропроводность
- •4. Механизмы теплопроводности
- •4.1. Тепловое сопротивление
- •4 .2. Теплопроводность диэлектриков
- •4.3.1. Теплопроводность некоторых диэлектриков при 20 ° с
- •4.4. Теплопроводность в металлах
- •4 .4.1. Зависимость электронной теплопроводности металлов от температуры
- •4.4.2. Теплопроводность металлов и сплавов, Вт/(мЧк), при 20 °с
- •4.4.3. Влияние различных параметров на теплопроводность в металлах
Гистерезис магнитный
ГИСТЕРЕЗИС МАГНИТНЫЙ - неоднозначная (необратимая) зависимость намагниченности M магнитоупорядоченного вещества (магнетика, напр. ферро или ферримагнетика) от внеш. магн. поля H при его циклич. изменении (увеличении и уменьшении). Общей причиной существования Г. м. является наличие в определ. интервале изменения Н среди состояний магнетика, отвечающих минимумутермодинамического потенциала, метастабильных состояний (наряду со стабильными) и необратимых переходов между ними. Г. м. можно также рассматривать как проявление магн. ориентационных фазовых переходов первого рода, для к-рых прямой и обратный переходы между фазами в зависимости от H происходят, в силу указанной метастабильности состояний, при разл. значениях H.
Петли гистерезиса: 1 - максимальная, 2 - частного цикла, а - кривая намагничивания, b и с-кривые перемагничивания. MR - остаточная намагниченность, HC - коэрцитивная сила, MS - намагниченность насыщения.
На
рис. схематически показана типичная
зависимость M от H в
ферромагнетике; из состояния М=0 при H=0 с
увеличением Hзначение M растёт
по кривой а (осн. кривой намагничивания)
и в достаточно сильном поле H
Нт становится
практически постоянной и равной
намагниченности насыщения Ms.
При уменьшении Н от
значения Нт обратный
ход изменения M(H)уже
не будет описываться кривойа и
намагниченность при H=0 не
вернётся к значению М=O. Это изменение
описывается кривой b (кривой
размагничивания), и при H=0намагниченность
принимает значение М=МR (т.
н. намагниченность
остаточная ).Как
видно из рис., для полного размагничивания
вещества (М=0)
необходимо приложить обратное поле Н=-Нс,
наз. коэрцитивной
силой.
Далее, когда поле достигает значения Н=-Нm,
образец намагничивается до насыщения
(M=-Ms)в
обратном направлении. При дальнейшем
изменении Н от
- Нт до +Hm намагниченность
изменяется вдоль кривой с.
Ветви b и с,
получающиеся при циклич. изменении H от +Hm до
- Hm и
обратно, вместе образуют замкнутую
кривую, наз. максимальной (или предельной)
петлёй гистерезиса (ПГ). При этом b наз.
нисходящей, а с - восходящей ветвями ПГ.
При циклич. намагничивании в полях
-H1
H
H1,
где H1<Hm,
зависимость M(H)будет
описываться замкнутой кривой (частной
ПГ), целиком лежащей внутри макс. ПГ
(кривые 2 на
рис.). С увеличением H1 частные
ПГ расширяются и при H1
Hт достигают
макс. ПГ. Частная ПГ оказывается
несимметричной, если макс. поля H1,
прикладываемые в прямом и обратном
направлениях, неодинаковы. Описанные
ПГ характерны для достаточно медленных
процессов перемагничивания, при к-рых
сохраняется квазиравновесная связь
между M и H для
соответствующих метастабильных
состояний, и наз. квазистатическими
(или просто статическими). Отставание M от H при
намагничивании и размагничивании
приводит к тому, что энергия, приобретаемая
ферромагнетиком при намагничивании,
не полностью отдаётся при раз.магничивании.
Теряемая за один полный цикл энергия
равна интегралу
,
определяющему площадь
ПГ. В конечном итоге она превращается в теплоту, идущую на нагревание образца. Эти потери магнитные, определяемые статич. ПГ, наз. гистерезисными.
При
динамич. перемагничивании образца
переменным магн. полем
гистерезисные
потери в общем случае составляют лишь
часть полных магн. потерь. При этом
зависимость М
описывается
динамической ПГ, не совпадающей со
статической. Для петель одинаковой
высоты (с одинаковым макс. M)динамич.
ПГ обычно шире статической. Последнее
обусловлено тем, что к квазиравновесным
гистерезисным потерям добавляются
динамич. потери, к-рые могут быть связаны
с магнитной
вязкостью,
вихревыми токами (в проводниках) и др.
явлениями.
Форма ПГ и наиболее важные характеристики Г. м. (потери, Нс, MR и др.) существенно зависят от хим. состава вещества, его структурного состояния и темпры, от характера и распределения дефектов в образце, а следовательно, и от деталей технологии его приготовления и последующих физ. обработок (тепловой, механической, термомагнитной и др.). T. о., варьируя обработку, можно существенно менять гистерезисные характеристики и вместе с ними свойства магн. материалов. Диапазон изменения этих характеристик весьма широк. Так, Нс может принимать значения от 10-3 Э для магнитно-мягких материалов до 104 Э для магнитно-твердых материалов.
Явления Г. м. наблюдаются не только при изменении поля H по величине и знаку, но также и при его вращении (гистерезис магн. вращения), что соответствует отставанию (задержке) в изменении направления M с изменением направления Н. Гистерезис магн. вращения возникает также цри вращении образца относительно фиксированного направления H,
Теория явлений Г. м. учитывает конкретную магнитную доменную структуру образца и её изменения в ходе намагничивания и перемагничивания. Эти изменения обусловлены смещением доменных границ и ростом одних доменов за счёт других, а также вращением вектора намагниченности в доменах под действием внеш. магн. поля. Всё, что задерживает эти процессы и способствует попаданию магнетиков в метастабильные состояния, может служить причиной Г. м.
В однодоменных
ферромагнитных частицах (в
частицах малых размеров, в к-рых
образование доменов энергетически
невыгодно) могут идти только процессы
вращения М.
Этим процессам препятствует магнитная
анизотропия разл.
происхождения (анизотропия самого
кристалла, анизотропия формы частиц,
анизотропия упругих напряжений и
др.). Благодаря анизотропии, M как
бы удерживается нек-рым внутр.
полем НА (эфф.
полем магн. анизотропии) вдоль одной
из осей
легкого намагничивания,
соответствующей минимуму энергии. Г.
м. возникает из-за того, что два
направления M (по
и против) этой оси в магнитоодноосном
образце или несколько эквивалентных
(по энергии) направлений M в
магнитомногоосном образце соответствуют
состояниям, отделённым друг от
другапотенциальным
барьером (пропорциональным НА).
При перемагничивании однодоменных
частиц вектор M рядом
последовательных необратимых скачков
поворачивается в направлении Н. Такие
повороты могут происходить как однородно,
так и неоднородно по объёму. При однородном
вращении M коэрцитивная
сила HС
HА.
Более универсальным является механизм
неоднородного вращения M.
Однако наиб.влияние на Hс он
оказывает в случае, когда осн. роль
играет анизотропия формы частиц. При
этом Hс может
быть существенно меньше эфф. поля
анизотропии формы.
В
многодоменных образцах, где перемагничивание
обусловлено в первую очередь смещением
доменных границ, одной из гл. причин Г.
м. может служить задержка смещения
границ на дефектах (немагнитные включения,
межзёренные границы и др.) и их последующие
необратимые скачки. В ряде случаев,
напр. в ферромагнетиках с достаточно
большими НА,
Г. м. может определяться задержкой
образования и роста зародышей
перемагничивания, из к-рых развивается
доменная структура. Зародыши возникают
путём неоднородного вращения М,
напр. в участках с локально пониженной
(за счёт дефектов) анизотропией. В
полях Н=-Hn,
наз. полями зарождения, энергетич.
барьер, связанный с локальным полем НА,
исчезает и происходит образование
зародыша, к-рый затем или растёт, или
затормаживается на дефектах. Зародышами
могут являться также остатки доменной
структуры, локализованные на дефектах
образца и неуничтоженные в процессе
его намагничивания. Рост зародыша
начинается при достижении поля
старта H=-HS.
При
энергия,
идущая на создание граничного слоя
зародыша, перекрывается выигрышем
энергии в объёме образца. Если
,
то Г. м. связан с задержкой образования,
а при
-
с задержкой роста зародыша. В обоих
случаях при перемагничивании образца
вдоль оси лёгкого намагничивания
возникают прямоуг. ПГ.
С Г м. связано гистерезисное поведение при циклич. изменении H целого ряда др. физ. свойств, так или иначе зависящих от состояния магнетика, от распределения намагниченности (или др. параметра магн. порядка) в образце, напр. гистерезисмагнитострикции, гистерезис гальваномагнитных явлений и магнитооптич. явлений (см. Магнитооптика)и т. д. Кроме того, т. к. намагниченность неоднозначно изменяется (из-за метастабильных состояний) также в зависимости от др. внеш. воздействий (темп-ры, упругих напряжений и др.), то имеет место гистерезис как самой намагниченности, так и зависящих от неё свойств при циклич. изменении указанных воздействий. Простейшими примерами являются температурный Г. м. (неоднозначная температурная зависимость Mприциклич. нагревании и охлаждении магнетика) и магнитоупругий гистерезис (неоднозначное изменение M при циклич. наложении и снятии внеш. одностороннего напряжения).
