Експериментальна частина.
1. Побудувати в Electronics workbench схему для дослідження вах польового транзистору з керуючим p-n переходом (мал. 8).
Мал..8.
Результати вимірювань занести до таблиці 1 для значення Uп = -2, -0,5, 0, +0,5, +2, +5.
Таблиця 1.
Iс |
|
|
|
|
|
|
|
|
Uзи |
|
|
|
|
|
|
|
|
Uси |
|
|
|
|
|
|
|
|
2.Побудувати в Electronics workbench схему для дослідження ВАХ МДН- транзистора з вбудованим каналом (мал.9).
Мал. 9.
Результати вимірів занести до таблиці 2 при Uп = -5В, -2В, -0,5В, 0В, +0,5В, +2, +5В.
Таблиця 2.
Uвх, мВ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iвих, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3.За результатами експериментів побудувати характеристики.
Основна література:
1. Валенко С.Е. Аналоговая электроника- СПб– Наука и техника, 2002, стр. 236-238, 239-243.