5.4 Однократно програмовані пзу ппзу (prom,otp)
як елементи пам'яті мають набір плавких перемичок, що у процесі програмування перепалюються імпульсами струму. На мал.75 приведена схема ППЗУ.
Для будь-якого значення адресних сигналів найдеться єдиний вихід дешифратора "i" на якому сигнал Yi = 1, на інших виходах будуть нулі. Потенціал бази j-транзистора буде залежати в цьому випадку тільки від наявності або відсутності перемички fi. Якщо перемичка є (fi=1), то на базі високий рівень сигналу, транзистор відкритий і вихідний сигнал DOj = 0. Якщо перемички немає (fi=0),то DOj=1.Пережиганием перемичок у відповідних j-бітах всіх адрес, у мікросхему записується програма і/або дані. Вихідний сигнал дешифратора Yi = mi, де mi-минтерм входных перемінних A0..An-1.Транзистор з перемичками виконує роль ИЛИ-НІ, тому сигнал
2^n-1 n-1
~DOi =АБО(fi * mi), де mi = И(/Ak).
i=0 k=0
причому /Ak = ~Ak, якщо Ak у вхідному наборі дорівнює 0 і /Ak = Ak, якщо Ak = 1. Ці формули відповідають формулам СДНФ (12), тому за допомогою ПЗУ з n-адресними входами і m-виходами можна реалізувати будь-які m-логічних функцій з n-перемінними (з огляду на інверсію сигналу вихідним каскадом).
Енергонезалежна пам'ять (nvsram)
Усяка пам'ять сохраняющая дані при відключенні зовнішнього джерела харчування може вважатися енергонезалежної - NonVolatile Memory, однак цей термін більше затвердився за статичною оперативною пам'яттю:
с убудованої в мікросхему літієвою батарейкою великої ємності .
с додаткової EEPROM на тім же кристалі, причому обмін даними між SRAM і EEPROM виробляється або програмно або автоматично при падінні/відновленні напруги
5.6 Збільшення розрядності комірки пам'яті (слова)
Якщо потрібно зберігати дані розміром у n-битий, а довжина слова комірки пам'яті m-битий (n>m), то прибігають до нарощування довжини слова. Робиться це шляхом об'єднання n/m - мікросхем у групи, причому всі однойменні входи, крім інформаційних, з'єднуються між собою. Наприклад, якщо потрібна динамічна пам'ять ємністю 256K з довжиною слова рівної байтові, те необхідно об'єднати 8/1 = 8 мікросхем типу 565РУ7, як це показано на мал.
На малюнку дев'ять ліній адреси показані у виді шини - тобто групи провідників, об'єднаних по функціональній ознаці.
Збільшення кількості комірок пам'яті
Збільшення адресного простору ЗУ в 2k раз вимагає стільки ж мікросхем пам'яті і "k" додаткових ліній адреси, до вже наявним "n"ліній An+k-1, . .An+0, An-1, An-2, ... A1, A0. Додаткові адресні лінії An+k-1 .. An+0 повинні розбивати необхідне адресне поле на 2k інтервалів, що неперекриваються, що покриваються обсягом пам'яті кожної окремої мікросхеми. Для рішення цієї задачі потрібен додатковий дешифратор "k у 2k". Наприклад, якщо потрібний блок ПЗУ ємністю 2K*4, то буде потрібно 8 мікросхем 256*4 типи 541РТ1 і один дешифратор "3 у 8", як показано на мал.
Однойменні j- е виходи мікросхем з відкритим колектором з'єднані з загальним навантажувальним резистором Rj. Три старших додаткових біти адреси A10,A9,A8 вибирають одну з восьми мікросхем, а вісім молодших біт адреси виводять вміст однієї з 256-ти комірок пам'яті на шину даних (ШД).Нехай на шину адреси (ША) надійшов код A10..A0 = 11000011010 = 61A. На усіх виходах дешифратора, крім шостого (A10..A8 = 110 =6) буде високий рівень. Нульовий сигнал ~Y6 = 0 на вході ~OE1 шостої мікросхеми дозволить проходження записаної інформації на виходи, а код 1 1010 = 1A(HEX) = 26(DEC) на адресних входах A7..A0 витягне вміст 26-ий ЯП і помістить його на чотири лінії шини даних (ШД).
Особливістю методу є необхідність об'єднання по АБО(И) однойменних виходів мікросхем. Це можна виконати або підключенням однойменних виходів до 2n- входовым схемам АБО(И) для кожного розряду, або виконувати вихідні структури мікросхем пам'яті за схемою монтажне ИЛИ(И) с відкритим колектором або з третім станом. З цієї причини всі микроросхемы пам'яті випускаються з такими виходами.