133. В рабочем режиме в газонаполненных лампах носители заряда возникают за счет:

     1. Термоэлектронной эмиссии;

     2. ударной ионизации;

     3. вторичной эмиссии;

134. Не удается запереть электронную лампу подачей отрицательного напряжения на сетку:

2)в тиратроне;

135. Частота электрического сигнала усиливаемого с помощью вакуумного триода ограничена:

3)вторичной эмиссией;

4)инерцией электронов.

136. Коэффициент усиления каскада усилителей на вакуумных лампах ограничен из-за (укажите не имеющий отношения к вопросу ответ):

4)инерцией электронов.

137. Динатронный эффект в тетродах вызван:

3)вторичной электронной эмиссией;

138. Вторичная электронная эмиссия используется:

2)в электронных умножителях;

3)в газонаполненных лампах;

139. Вылет электронов из металлов при их нагревании:

2)термоэлектронная эмиссия;

140. Вылет электронов из металлов под действием сильного электрического поля:

     1. автоэлектронная эмиссия;

141. Вылет электронов из металлов под действием их бомбардировки частицами:

3)вторичная эмиссия;

142. Вольтамперная характеристика вакуумного диода нелинейна при малых анодных напряжениях, в основном, из-за:

2)наличия пространственного заряда;

143. Вольтамперная характеристика вакуумного диода нелинейна при больших анодных напряжениях, в основном, из-за:

     1. насыщения;

144. К акое распределение потенциала имеет место в вакуумном диоде при подаче отрицательных потенциалов на анод:

4)4.

145. Зависимость тока в вакуумном диоде от напряжения между анодом и катодом называется:

4)закон Богуславского-Лэнгмюра.

146. В пентоде на экранирующую сетку подается потенциал:

     1. который надо усилить;

147. В пентоде на антидинатронную сетку подается потенциал:

3)катодный потенциал;

148. В пентоде на управляющую сетку подается потенциал:

     1. Который надо усилить;

149. Измеренные величины массы электронов в полупроводниках не совпадают с массой свободных электронов из-за:

4)воздействия на носители кристаллической решетки.

150. Носителями заряда в полупроводниках при примесной проводимости могут быть:

2)электроны или дырки;

151. Носителями заряда в полупроводниках при собственной проводимости могут быть:

     1. электроны и дырки в равных концентрациях;

152. Из р-области в n-область полупроводникового диода свободно проходят:

2)дырки;

153. Из n-области в р-область полупроводникового диода свободно проходят:

3)электроны;

154. В базе р-n-р транзистора основными носителями заряда являются:

2)дырки;

155. В базе n-р-n транзистора основными носителями заряда являются:

     1. Электроны;

156. Тепло на контакте двух веществ выделяется или поглощается при протекании тока за счет эффектов:

4)Пельтье.

157. Термоток в замкнутой цепи из двух веществ, контакты которых находятся при разных температурах, возникает за счет эффектов:

2)Зеебека;

158. При протекании тока через образец вещества, в котором имеется градиент температуры, тепло выделяется или поглощается за счет эффектов:

3)Томсона;

159. Электрическое поле в образце вещества, через который течет ток и в котором создано магнитное поле, возникает за счет эффектов:

     1. Холла;

160. С помощью механико-магнитных эффектов можно определить:

3)гиромагнитное отношение;

161. С помощью циклотронного резонанса можно определить:

     1. удельный заряд носителей;

162. С помощью эффекта Холла можно определить:

4)знак носителей заряда.

163. С помощью электронного парамагнитного резонанса можно определить:

3)гиромагнитное отношение;

164. Тип примесной проводимости полупроводника можно определить с помощью эффектов:

3)Томсона;

4)Холла.

165. Тип примесной проводимости полупроводника можно определить с помощью:

     1. метода горячего зонда;

166. Тип примесной проводимости полупроводника можно определить с помощью:

     1. эффекта Томсона;

167. Тип примесной проводимости полупроводника можно определить с помощью:

     1. магнитоэлектрического эффекта: измерения продольной разности температур;

     2. магнитоэлектрического эффекта: измерения поперечной разности температур;

168. В классическом сверхпроводнике носителями заряда являются:

4)куперовские спаренные электроны.

169. Сверхпроводник является:

4)идеальным диамагнетиком.

170. В «высокотемпературных» сверхпроводниках температура перехода в сверхпроводящее состояние лежит в диапазоне:

3)100 – 200 К;

171. Сильное магнитное поле:

     1. разрушает состояние сверхпроводимости;

172. Носителями заряда в газах могут быть:

4)ионы и электроны.

173. Процесс создания носителей заряда в жидкостях называют:

3)электролитическая диссоциация;

174. Процесс выделения вещества на электродах при протекании тока называют:

4)электролиз.

175. Электролиз исследовал:

3)Фарадей;

176. Масса вещества, выделяющегося при электролизе на электроде, пропорциональна заряду, протекающему через электролит , – это:

2)электрохимический коэффициент;

177. Объединенный закон Фарадея для электролиза имеет вид , – это:

1. химический коэффициент;

1. Объединенный закон Фарадея для электролиза имеет вид , – это:

3)число Фарадея;

179. Носителями заряда в электролитах могут быть:

2)ионы;

180. Различают следующие виды электропроводности газов:

4)самостоятельную и несамостоятельную.

181. Процесс создания носителей заряда в газах называют:

3)ионизация;

182. Вольтамперная характеристика несамостоятельного газового разряда имеет вид:

1)

183. Чаще всего при самостоятельном газовом разряде носители заряда размножаются за счет: