1.7 Индикация состояния стабилизатора

Индикация состояния стабилизатора осуществляется с помощью светодиодов. Нормальное состояние принято индицировать зеленым цветом, критическое состояние – красным. В нормальном состоянии тиристор закрыт и напряжение на аноде равно напряжению на нагрузке. Светодиод VD6 (СИД) светится. Сопротивление R4 = . Вычисляется мощность рассеяния на резисторе, выбирается его тип.

Индикация состояния перегрузки стабилизатора осуществляется с помощью СИД VD8. В исходном состоянии диод не светится, т.к. напряжение ограничено стабилитроном VD7. Напряжение включения стабилитрона выбирается на 10% больше максимального напряжения U_КЭ транзистора VT1. Получим 18.8 В Расчет сопротивления R5 выберем резистор с сопротивлением 1,2В/5мА=240 Ом.

СИД выбирается с красным свечением.

Ток этой цепи удерживает тиристор в открытом состоянии.

Плавкий предохранитель FU выбирается на такой ток, чтобы он сработал при допустимом токе тиристора равным 100 мА.

Для устранения низкочастотных и высокочастотных помех на выходе стабилизатора параллельно нагрузке включаются емкости С1 = 0,1 мкФ и С2 = 10 ÷ 20 мкФ.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В процессе выполнения курсовой работы успешно были достигнуты поставленные цели, рассмотренные основные понятия, касающиеся устройств в системах связи.

Также было рассчитаны устройства, применяемые в системах связи. Были расширены умения по использованию справочными данными, а также закрепилены знания, полученные при изучении теоретической части дисциплины в частности, применения полупроводниковых диодов и транзисторов, рассчитывать параметры этих устройств, и элементов входящих в их состав.

Поскольку все поставленные цели успешно достигнуты, а необходимые для работы навыки успешно усвоены, необходимые расчеты выполнены можно считать курсовую работу выполненной.

Литература

1. Тырышкин И.С. Физические основы полупроводниковой электроники. М.: Высш.шк. 2000.

2. Лачин В. И. Электроника: учеб. пособие / В. И. Лачин, Н. С. Савёлов.

- Ростов-на-Дону: изд-во "Феникс" 2007.

3. Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электроника и микропроцессорная техника: Учеб. пособие для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высш. шк., 2002. 622 с.

4. Воробьёв Н. И. Проектирование электронных устройств: Учеб. пособие для вузов. М.: Высш. шк., 1989. 223 с.

5. Шустов М.А. Практическая схемотехника. Источники питания и стабилизаторы. – М. : Издательский дом «Додэка – ХХI», «Альтекс», 2007.

6. Матвиенко В.А. Характеристики и параметры полупроводниковых приборов. Учеб. пособие. – Екатеринбург: УрТИСИ ГОУ ВПО «СибГУТИ», 2007.

7. Молокова Г.Ф. Основные требования к оформлению дипломного проекта : Методические указания. – Екатеринбург: УрТИСИ ГОУ ВПО «СибГУТИ», 2005.

8. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности: Справочник / А. А. Зайцев, А. И. Миркин, В. В. Мокряков и др.; Под ред. А. В. Голомедова. М.: Радио и связь, 1989. 640 с.