- •2. Социо-, Био-, Инфо-, Когно-, Нано- - Что это ?
- •31. Шлифовка и полировка поверхностей подложек.
- •Нанотехнология. Варианты основных определений.
- •32. Защита планарных поверхностей.
- •33. Методы фотолитографии.
- •5. Зарождение и развитие нанотехнологии. Их перспективы.
- •34. Способы легирования материалов.
- •6. Финансово - экономические аспекты состояния и развития нанотехнологии.
- •35. Нанесение металлических плёнок.
- •7. Социальные и гуманитарные характеристики нанотехнологии.
- •8. Специфика наномира. Размерные эффекты.
- •37. Геттероэпитаксиальные структуры. Свч схемы для различных применений.
- •9. Роль свободных поверхностей.
- •38. Корпусирование микросхем.
- •Зарождение и рост наночастиц.
- •39. Технологические методы наноэлектроники как базовые для других наносистем.
- •Размерные эффекты.
- •Описание
- •40. Информационные технологии и их опора на наноэлектронику.
- •Самоорганизация и самосборка.
- •41. Энергетика. Солнечная энергетика как следствие развития наноэлектроники.
- •13. Технологии «сверху вниз» и «снизу вверх».
- •42. Нанокомпозитные и другие материалы для авиационной и космической техники.
- •Электронная микроскопия.
- •Атомно - силовая и туннельная микроскопия.
- •44. Геосферные и биосферные войны. Солдат ближайшего будущего.
- •Пьезоэффект и пьезодвигатели.
- •45. Нанотехнологии в атомной отрасли.
- •16. Многоликие зондовые методы микроскопии (до этого есть про разные микроскопы)
- •46. Наномедицина.
- •18. Спектроскопические методы.
- •47. Нанобиотехнологии.
- •19. Наночастицы и нанопорошки.
- •48. Нано в сельском хозяйстве.
- •20. Аллотропные формы углерода.
- •49. Умный дом.
- •55. Наноэтика.
- •27. Базовые материалы современной и перспективной наноэлектроники.
- •56. Образование в области нанотехнологии. Гуманитаризация технического образования.
35. Нанесение металлических плёнок.
В настоящее время на производственных предприятиях микроэлектронной промышленности выявляется потребность в нанесении тонких металлических и диэлектрических пленок на различные поверхности. Тонкие пленки широко применяются в качестве упрочняющих, светоотражающих, проводящих и диэлектрических покрытий. Чаще всего данные виды работ ведутся в НИИ для получения и исследования новых перспективных материалов как для микроэлектронной промышленности, так и для устройств наноэлектроники.
Современные методы получения тонкопленочных структур
В последние годы, благодаря интенсивным экспериментальным и теоретическим исследованиям, в технологии тонких пленок достигнут значительный прогресс. В зависимости от решаемой задачи, в распоряжении исследователей имеются различные методики получения образцов, гарантирующие воспроизводимые и стабильные характеристики конечного продукта.
Наименование метода - Термовакуумное (резистивное) испарение
Условия реализации метода - Рабочая среда: вакуум 10-2...10-3 Па. Испарение металлов резистивным нагреванием
Основные виды покрытий - Металлические покрытия: Al, Ag, Cu, Zn, Cd, Cr, Ni, Co, Si
Преимущества метода - Высокая скорость осаждения. Возможность получения толстых покрытий
Недостатки метода - Недостаточно плотная структура покрытий. Невысокие механические свойства
Наименование метода - Электронно-лучевое испарение
Условия реализации метода - Рабочая среда: вакуум 10-4...10-3 Па реактив. газы N2, O2, CH4. Испарение металлов сфокусированным электронным пучком с дополнительной ионизацией
Основные виды покрытий - Металлические покрытия: Al, Ag, Cu,Ti, Cr, Ni, Co, Si. Керамические покрытия: TiN, ZrN, TiC, ZrC, TiCN, ZrCN, Al2O3, TiO2, SiO2, ZrO2, ZrO2/Y2O3
Преимущества метода - Высокая скорость осаждения. Возможность получения толстых покрытий (до 200 мкм). Высокая чистота покрытий (минимум примесей)
Недостатки метода - Трудно обеспечить равномерность толщины и стехиометрии на изделиях сложной конфигурации. Низкая степень загрузки изделиями объема рабочей камеры
Наименование метода – Лазерное испарение (абляция)
Условия реализации метода - Рабочая среда: вакуум 10-5...10-3 Па.Испарение материалов различного состава лазерным импульсом длительностью от мкс до фс.
Основные виды покрытий - Покрытия для микроэлектроники: Sb2S3, As2S3, SrTiO3, BaTiO3, GaAs. Алмазоподобные покрытия (DLC) с высокими характеристиками
Преимущества метода - Получение покрытий сложных соединений Высокая чистота покрытий (минимум примесей)
Недостатки метода - Сложность реализации
Наименование метода - Вакуумно-дуговое испарение
Условия реализации метода - Рабочая среда: вакуум 10-3...10-2 Па. Реактив. газы N2, O2, CH4; Р = 0,01...1 Па, Т = 300...600°С. Испарение металлов в катодном пятне дугового разряда. Осаждение покрытий с высокой степенью ионного воздействия
Основные виды покрытий - Металлические покрытия: Ti, Zr, Hf, Cr, Ta, Ni, Co,Si, MCrAlY (M=Ni, Co. Керамические покрытия: TiN, ZrN, CrN, TiC, TiCN, ZrCN, TiAlN, AlCrN, TiO2, ZrO2. Нанокомпозиты: TiAlN/Si3N4, AlCrN/Si3N4. Покрытия DLC
Преимущества метода - Высокая скорость осаждения. Относительная простота технической реализации. Эффективная ионная очистка изделий перед нанесением покрытий. Высокие свойства керамических покрытий
Недостатки метода - Наличие в структуре покрытий микрокапельной металлической фазы. Относительно высокие температуры осаждения покрытий
Наименование метода – Магнетронное распыление
Условия реализации метода - Рабочая среда: чистые газы Ar, N2, O2, CH4;
Р = 0,05– 1 Па, Т = 60...6000°С. Ионное распыление металлов в магнетронном разряде.
Основные виды покрытий - Полный спектр металлических покрытий: Al, Ag, Au,Cu, Zn, Sn, Cd Ti, Zr, Hf, Cr, Ta, Ni, Co, Si, MCrAlY (M=Ni, Co) и др. Керамические покрытия: TiN, ZrN, CrN, TiC, TiCN, ZrОN, TiAlN, AlCrN, TiBN CrAlTiYN, TiO2, ZrO2, Al2O3, SiO2. Нанокомпозиты: 3D: TiAlN/Si3N4, TiN/BN, AlCrN/Si3N4, ZrN/Cu, ZrO2/Al2O3. 2D: TiN/NbN, TiN/CrN, TiN/AlN, CrN/AlN, TiN/CN. Покрытия DLC
Преимущества метода - Плотная микро- (нано-) кристаллическая структура металлических и керамических покрытий при полном отсутствии капельной фазы. Возможность нанесения покрытий на термочувствительные материалы при низких температурах. Наиболее широкий спектр покрытий различного назначения; высокая скорость осаждения; высокие свойства металлических и керамических покрытий
Недостатки метода - Относительная сложность технической реализации метода при получении реактивных (керамических) покрытий. Относительно высокая стоимость оборудования
Заключение
В настоящее время Россия входит в этап активного освоения современных технологий производства микроэлектроники и нанотехнологий. Современное производство требует перестройки технологического процесса под реалии современности. Потенциальные возможности применения магнетронных распылительных систем в настоящее время еще далеко не полностью выяснены и реализованы, но уже сейчас применение магнетронных установок весьма широко распространено. Они заняли прочные позиции в технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. В частности, эти системы применяются для формирования контактов на поверхности полупроводниковых и пассивных элементов схем: например, при изготовлении резистивных пленок гибридных микросхем, магнитных пленок, низкоомных контактов, создании новых многокомпонентных тонкопленочных материалов и т.д.
Билет 7.
7 и 36
