Випрямлювальний діод. Принцип дії. Вах. Застосування. Маркіровка.
Випрямляючий діод призначений для перетворення змінної напруги в
постійну. Ідеальний випрямляч повинен при одній полярності струм
пропускати, а при іншій полярності - не пропускати. Випрямлюючий діод – це напівпровідниковий пристрій, що пропускає лише позитивну або негативну напівхвилю однією стороною.
Маркіровка:
ВАХ
Робочою гілкою є пряма. По ВАХ діода розраховують його параметри:
-для прямої гілки;
-для зворотньої гілки;
Схема простішого однонапівполуперіодного випрямлювача. Принцип дії. Часові діаграми.
Випрямлювач – пристрій який
перетворює енергію мережі в енергію
постійного струму.
Принцип дії:
Під час прямого ввімкнення струм проходить через діод та конденсатор. Конденсатор заряджається. Під час зворотнього ввімкнення, струм не проходить через діод і конденсатор. Конденсатор розряджається. Але розряджається дуже повільно. Під час розрядки конденсатора виникає фон якого можна уникнути використовуючи конденсатор великої ємності.
Стабілітрон. Принцип дії. Вах. Маркіровка.
Стабілітрон – це НПД на зворотній гілці якого є ділянка в межах якої напруга майже не залежить від струму , що проходить через діод і який тому можна використовувати для стабілізації напруги.
Стабілітрон працює при зворотньому ввімкненні його ЕДП в режимі лавинного електронного пробою. Тому стабілітрон виготовляється виключно з кремнію і концентрація домішок у них значно більша ніж у випрямлювальних діодах.
Лавинний
пробій відбувається в результаті ударної
іонізації іонів напівпровідника.
Схема простішого стабілізатора напруги. Принцип дії
Особливості роботи такого стабілізатора напруги базуються на тому, що напруга стабілітрона на зворотній ділянці його вольт-амперної характеристики Uc.доп змінюється незначно в широкому діапазоні зміни зворотного струму стабілітрона. Тобто коливання напруги на вході стабілізатора зумовлюють значну зміну струму стабілітрона при незначних змінах напруги на ньому.
Варікап. Принцип дії. Вольтфарадна характеристика. Маркіровка.
Це напів-провідн діоди в яких викор. Залежність бірьєрної ємності від прикладеної зворотної напруги.
Обратное напряжение на диоде.
При отсутствии внешнего напряжения в p-n-переходе существуют потенциальный барьер и внутреннее электрическое поле. Если к диоду приложить обратное напряжение, то высота этого потенциального барьера увеличится. Внешнее обратное напряжение отталкивает электроны в глубь n-области, в результате чего происходит расширение обеднённой области p-n-перехода, которую можно представить как простейший плоский конденсатор, в котором обкладками служат границы области. В таком случае, в соответствии с формулой для ёмкости плоского конденсатора, с ростом расстояния между обкладками (вызванной ростом значения обратного напряжения) ёмкость p-n-перехода будет уменьшаться. Это уменьшение ограничено лишь толщиной базы, далее которой переход расширяться не может. По достижении этого минимума с ростом обратного напряжения ёмкость не изменяется.
Вольтфарадна
характеристика та схема автоматичної
підстройки частоти