Білет 13 модульного контролю 2 з курсу «Лазерна техніка та квантова електроніка» для студентів ііі-го курсу кафедри фотоніки

1. Довжини хвиль генерації іонного аргонового лазера.

А) 0.441мкм, Б) 0.633мкм В) 0.488мкм , Г)0.514 мкм — 2 бали

2. Типова вихідна енергія імпульсів рубінового лазера.

А) до 1мДж, Б) більше 100 Дж, В) до 10 Дж — 2 бали

3. 3Активне середовище в лазерах на барвниках.— 2 бали

4. 4Яка межа верхня межа ККД напівпровідникового лазера?— 2 бали

5. Що таке синглет-триплетна конверсія?— 2 бали

6. Лазер на вільних електронах — 5 балів

7. Напівпровідниковий лазер з дзеркалами Брегга — 5 балів

8. Діаграма направленості напівпровідникового лазера. — 5 балів

9. Порогові умови генерації напівпровідникового лазера.— 10 балів

Затверджено на засіданні кафедри фотоніки прот. № 7 від 31.08.06

Зав кафедри Я. В. Бобицький

Викладач В.М. Фітьо

Білет 14 модульного контролю 2 з курсу «Лазерна техніка та квантова електроніка» для студентів ііі-го курсу кафедри фотоніки

1. Довжини хвиль генерації He-Cd лазера.

А) 0.441мкм, Б) 0.633мкм В) 0.488мкм , Г)0.514 мкм — 2 бали

2. Типова вихідна енергія імпульсів лазера на основі скло:Nd³⁺.

А) до 1мДж, Б) більше 100 Дж, В) до 10 Дж — 2 бали

3. Обєм кристалу рубіну 5см³, концентрація активних атомів 10¹⁹см^-3. Знайти

4. максимально можливу енергію генерованого лазерного імпульсу — 2 бали

5. Яка типова ширина спектру люмінесценції барвників при кімнатній температурі? — 2 бали

6. Чому напівпровідникові лазери використовуються у волоконно-оптичних лініях зв’язку? — 2 бали

7. Що таке синглетні рівні в барвниках? — 5 бали

8. Ватт-амперна характеристика напівпровідникового лазера.— 5 балів

9. Неперервний лазер на барвнику —5 балів

10. ККД напівпровідникового лазера.— 10 балів

Затверджено на засіданні кафедри фотоніки прот. № 7 від 31.08.06

Зав кафедри Я. В. Бобицький

Викладач В.М. Фітьо

Білет 15 модульного контролю 2 з курсу «Лазерна техніка та квантова електроніка» для студентів ііі-го курсу кафедри фотоніки

1. Довжини хвиль генерації азотного лазера лазера.

А) 0.441мкм, Б) 0.633мкм В) 0.488мкм , Г)0.514 мкм , Д)0.337мкм — 2 бали

2. Типова вихідна енергія імпульсів лазера на основі скло:Nd³⁺.

А) до 1мДж, Б) більше 100 Дж, В) до 10 Дж, Д) до 100 Дж — 2 бали

3. Різниця енергій між рівнями 1еВ. Виразити цю енергію в см^-1.— 2 бали

4. В яких рідинах розчиняють барвники?— 2 бали

5. Що таке триплетні рівні в барвниках?— 2 бали

6. Спектральна характеристика напівпровідникового лазера — 5 балів

7. Області застосування напівпровідникового лазера — 5 балів

8. Особливості напівпровідникового лазера.— 5 балів

9. Напівпровідниковий лазер на основі гетероструктур, його переваги та причини цих переваг.—10 балів

Затверджено на засіданні кафедри фотоніки прот. № 7 від 31.08.06

Зав кафедри Я. В. Бобицький

Викладач В.М. Фітьо