V4: Полупроводниковые приборы.

I: {{141}}; К=А

S: Полупроводники это

+: материалы, занимающие промежуточное место между проводниками и диэлектриками по своей удельной электропроводности

-: материалы, занимающие промежуточное место между проводниками и диэлектриками по своей удельной плотности

-: материалы, занимающие промежуточное место между проводниками и диэлектриками по структуре кристаллической решетки

-: материалы, занимающие промежуточное место между проводниками и диэлектриками по своей удельной температуре плавления

I: {{142}}; К=А

S:Какие материалы из перечисленных относятся к полупроводникам : Cu, Si, Ag, Ge, Al, F

+: Si, Ge

-: Cu, Ag

-: Fl, F

-: все

I: {{143}}; К=В

S: Собственными называются полупроводники

-: материалы, занимающие промежуточное место между проводниками и диэлектриками по структуре кристаллической решетки

-: полупроводники n - типа

+: имеющие идеальные кристаллические решетки и не содержащие примесей

-: полупроводники p - типа

I: {{144}}; К=В

S: Полупроводниками n – типа называются

+: примесные полупроводники легированные атомами пятивалентной примеси

-: примесные полупроводники легированные атомами четырехвалентной примеси

-: собственные полупроводники с электронной проводимостью

-: собственные полупроводники с дырочной проводимостью

I: {{145}}; К=В

S: Полупроводниками p – типа называются

-: примесные полупроводники легированные атомами пятивалентной примеси

+: примесные полупроводники легированные атомами четырехвалентной примеси

-: собственные полупроводники с электронной проводимостью

-: собственные полупроводники с дырочной проводимостью

I: {{146}}; К=В

S: Укажите правильное утверждение

+: в полупроводниках n-типа основными носителями заряда являются электроны

-: в полупроводниках n-типа основными носителями заряда являются дырки

-: в полупроводниках n-типа количество дырок и электронов одинаковое

-: нет правильного утверждения

I: {{147}}; К=В

S: Укажите правильное утверждение

-: в полупроводниках p-типа основными носителями заряда являются электроны

+: в полупроводниках p-типа основными носителями заряда являются дырки

-: в полупроводниках p-типа количество дырок и электронов одинаковое

-: нет правильного утверждения

I: {{148}}; К=В

S: Укажите правильное утверждение

+:в равновесном состоянии через p-n переход суммарный ток равен нулю

-: в равновесном состоянии p-n перехода диффузный ток больше дрейфового

-: в равновесном состоянии p-n перехода диффузный ток меньше дрейфового

-: нет правильного утверждения

I: {{149}}; К=C

S: Контактная разность потенциалов p-n перехода равна В. К переходу приложено прямое напряжение U=5мВ. Потенциальный барьер перехода равен

+: 0,02 В

-: 0,03 В

-: 0,05 В

-: 0,125 В

I: {{150}}; К=C

S: Контактная разность потенциалов p-n перехода равна В. К переходу приложено обратное напряжение U=5мВ. Потенциальный барьер перехода равен

-: 0,02 В

+:0,03 В

-: 0,05 В

-: 0,125 В

I: {{151}}; К=А

S: На рисунке изображен

-: обращенный диод

+: выпрямительный диод

-: биполярный транзистор

-: варикап

I : {{152}}; К=А

S: На рисунке изображен

-: выпрямительный диод

-: варикап

+: стабилитрон

-: полевой транзистор

I: {{153}}; К=В

S: На рисунке приведена вольт-амперная характеристика

+: выпрямительного диода

-: стабилитрона

-: варикапа

-: туннельного диода

I: {{154}}; К=В

S: На рисунке приведена вольт-амперная характеристика

-: варикапа

-: выпрямительного диода

+: стабилитрона

-: туннельного диода

I: {{155}}; К=В

S: На рисунке приведена вольт-амперная характеристика

-: стабилитрона

-: выпрямительного диода

-: варикапа

+: тиристора

I: {{156}}; К=В

S: Полупроводниковым диодом называется полупроводниковый прибор с двумя выводами и одним

-: эмиттером

+: p-n переходом

-: управляющим электродом

-: коллектором

I: {{157}}; К=В

S: Сколько p-n переходов имеет тиристор?

-: два

-: один

+: три и более

I : {{158}}; К=В

S: На рисунке изображен

+: варикап

-:стабилитрон

-: выпрямительный диод

-: обращенный диод

I: {{159}}; К=С

S:Диод, у которого при прямом смещении 0,8 В максимально допустимый ток равен 100 мА, соединен последовательно с резистором нагрузки R_н =100 Ом. Каково наибольшее значение напряжения источника, при котором диод будет работать в безопасном режиме

+:10,8 В

-: 10 В

-: 9,2 В

-: 8 В

I: {{160}}; К=С

S:Кремниевый стабилитрон имеет напряжение стабилизации U_ст=9,1 В, средний ток стабилитрона I_ср=30мА. Каким должно быть дифференциальное напряжение стабилитрона, чтобы при изменении напряжения на 1% ток через стабилитрон изменился в 1,5 раза

+:2,02 Ом

-: 1,08 Ом

-: 0,03 Ом

-: 0,27 Ом

I: {{161}}; К=А

S:Биполярным транзистором называется полупроводниковый прибор

+:с двумя взаимодействующими p-n переходами и тремя выводами

-: с одним p-n переходом и двумя выводами

-: с тремя взаимодействующими p-n переходами и тремя выводами

-: с двумя p-n переходом и четырьмя выводами

I: {{162}}; К=А

S:Биполярный транзистор прямой проводимости имеет структуру

-: n-p-n

+: p-n-p

-: p-i-n

-: МОП

I: {{163}}; К=А

S : На рисунке изображен

-: выпрямительный диод

+: биполярный транзистор

-: варикап

-: стабилитрон

I: {{164}}; К=В

S:Схема включения биполярного транзистора с общим(ей) ….приведена на рисунке

+: базой

- : эмиттером

-: коллектором

-: нет правильных ответов

I: {{165}}; К=В

S: Схема включения биполярного транзистора с общим(ей) … приведена на рисунке

- : базой

+: эмиттером

-: коллектором

-: нет правильных ответов

I: {{166}}; К=В

S : Схема включения биполярного транзистора с общим(ей) …. приведена на рисунке

-: базой

-: эмиттером

+: коллектором

-: нет правильных ответов

I: {{167}}; К=В

S: В транзисторе, включенном по схеме с ОБ происходит усиление:

-: тока

-: напряжения

-: тока и напряжения

-: не обладает усилительными свойствами

I: {{168}}; К=В

S: В транзисторе, включенном по схеме с ОЭ происходит усиление:

-: тока

-: напряжения

+: тока и напряжения

-: не обладает усилительными свойствами

I: {{169}}; К=В

S: В транзисторе, включенном по схеме с ОК происходит усиление:

-: тока

-: напряжения

-: тока и напряжения

+: не обладает усилительными свойствами

I: {{170}}; К=С

S : На рисунке приведена АЧХ БП транзистора включенного по схеме с общим(ей)

-: базой

+: эмиттером

-: коллектором

-: нет правильных ответов

I: {{171}}; К=А

S: На рисунке изображен

- : стабилитрон

-: биполярный транзистор

+: полевой транзистор

-: тиристор

I : {{172}}; К=А

S:На рисунке изображен

-: биполярный транзистор

-: полевой транзистор с управляющим p-n-переходом

-: МОП-транзистор с индуцированным каналом

+: МОП-транзистор со встроенным каналом

I: {{173}}; К=А

S:На рисунке изображен

-: биполярный транзистор

-: полевой транзистор с управляющим p-n-переходом

+: МОП-транзистор с индуцированным каналом

- : МОП-транзистор со встроенным каналом

I: {{174}}; К=В

S: Приведенной на рисунке передаточной

характеристике соответствует:

-: биполярный транзистор

-: полевой транзистор с управляющим p-n-переходом

-: МОП-транзистор с индуцированным каналом

+: МОП-транзистор со встроенным каналом

I: {{175}}; К=В

S: Приведенной на рисунке передаточной

характеристике соответствует:

-: биполярный транзистор

+: полевой транзистор с управляющим p-n-переходом

-: МОП-транзистор с индуцированным каналом

-: МОП-транзистор со встроенным каналом

I: {{176}}; К=В

S : Приведенной на рисунке передаточной

характеристике соответствует:

-: биполярный транзистор

-: полевой транзистор с управляющим p-n-переходом

+: МОП-транзистор с индуцированным каналом

-: МОП-транзистор со встроенным каналом

I: {{177}}; К=В

S: На рисунке изображена схема включения

полевого транзистора с общим

+: истоком

- : стоком

-: затвором

-: нет правильных ответов

I: {{178}}; К=В

S:На рисунке изображена

выходная характеристика

+: МОП транзистора с

встроенным каналом

-: МОП транзистора с

индуцированным каналом

-: полевого транзистора с управляющим p-n переходом

-: биполярного транзистора

I: {{179}}; К=С

S: При изменении управляющего напряжения U_зи на 10 мВ ток стока изменился на 100 мА. Крутизна стоко-затворной характеристики равна

+: 10

-: 0,1

-: 0,001

-: 1000

I: {{180}}; К=С

S: При изменении управляющего напряжения U_зи на 500 мВ ток затвора изменился на 0,5 мкА. Входное сопротивление полевого транзистора равно

-: 10 кОм

-: 100 кОм

+:1МОм

-: 10 МОм

I: {{181}}; К=А

S: Усилительным режимом работы БТ является

+:активный режим

-: режим насыщения

-: режим отсечки

-: инверсный режим

I: {{182}}; К=А

S: При работе БТ в ключевых схемах используются режимы включения

-:активный режим

+: режим насыщения и режим отсечки

-: активный режим и инверсный режим

-: инверсный режим

I: {{183}}; К=В

S: В выражении для расчета тока коллектора биполярного транзистора в схеме включения с общей базой I_К =  I_Э + I_КБ0, коэффициент  означает

+:коэффициент передачи тока эмиттера

-: коэффициент затухания

-: коэффициент размножения электронов

-: коэффициент инжекции

I: {{184}}; К=В

S: В выражении для расчета тока коллектора биполярного транзистора в схеме включения с общей базой I_К = I_Б + I_{КЭ0 ,} коэффициент  означает

+: коэффициент усиления тока эмиттера

-: коэффициент передачи тока эмиттера

-: коэффициент размножения электронов

-: коэффициент инжекции

I: {{185}}; К=В

S: Параметр биполярного транзистора, имеющий физический смысл обратного коэффициента передачи по напряжению

-:

+:

-:

-:

I: {{186}}; К=В

S: Параметр биполярного транзистора, имеющий физический смысл коэффициента усиления по току

-:

-:

+:

-:

I: {{187}}; К=В

S: Параметр биполярного транзистора, имеющий физический смысл выходной проводимости

-:

-:

-:

+:

I: {{188}}; К=В

S: Параметр биполярного транзистора, имеющий физический смысл входного сопротивления

+:

-:

-:

-:

I: {{189}}; К=С

S: Выражение имеет смысл

+: коэффициента усиления по напряжению полевого транзистора

-: крутизны стоко-затворной характеристики полевого транзистора

-: входного сопротивления полевого транзистора

-: выходного сопротивления полевого транзистора

I: {{190}}; К=С

S: Выражение описывает

-: частотную характеристику биполярного транзистора в схеме с общей базой

+:частотную характеристику биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

-: частотную характеристику биполярного транзистора в схеме с общим коллектором

-: зависимость входного сопротивления биполярного транзистора от частоты

I: {{191}}; К=А

S:Биполярный транзистор имеет следующие характеристики: обратный ток коллектора I_К0=0,2мА, ток эмиттера I_Э=3мА, коэффициент передачи . Ток коллектора равен

-:2,65 мА

+:3,05мА

-:0,57мА

-:3,04мА

I: {{192}}; К=А

S: Биполярный транзистор имеет следующие характеристики: ток коллектора I_К=3,05мА, ток эмиттера I_Э=3мА, коэффициент передачи . Обратный ток коллектора равен

+:0,2мА

-: 0,57мА

-:0,0475мА

-:-0,1мА

I: {{193}}; К=В

S: Биполярный транзистор имеет следующие характеристики: ток коллектора I_К=3,05мА, ток эмиттера I_Э=3мА, обратный ток коллектора равен I_К0=0,2мА.

Коэффициент передачи равен

-: 0,2

-: 0,57

+:0,95

-:1,05

I: {{194}}; К=В

S: Прямой ток эмиттера биполярного транзистора равен I_Э=2мА, обратный ток эмиттера I_Э0=1,6мкА, потенциальный барьер p-n перехода равен В. Напряжение на эмиттерном переходе U_Э равно

-: 0,2 В

-: 0,57 В

+:0,185 В

-: 1,05 В

I: {{195}}; К=В

S: Прямой ток коллектора I_К=1,96мкА, обратный ток коллектора I_К0=2мкА, потенциальный барьер p-n перехода равен В. Напряжение на коллекторном переходе U_К равно

-: 0,2 В

-: 0,57 В

+:0,179 В

-: 1,05 В

I: {{196}}; К=В

S: Полевой транзистор с управляющим p-n переходом имеет напряжение отсечки U_отс=-1,75 В, сопротивление открытого канала R₀=1Ом, сопротивление R_СИ=2Ом. Напряжение затвор-исток U_ЗИ равно

-: -0,2 В

-: 0,57 В

+:-0,44 В

-: 1,05 В

I: {{197}}; К=В

S: Полевой транзистор с управляющим p-n переходом имеет напряжение отсечки U_отс=-1,75 В, сопротивление открытого канала R₀=1Ом, напряжение затвор-исток U_ЗИ =-1 В. Крутизна стоко-затворной характеристики S равна

-: -0,2 мА/В

-: 0,57 мА/В

+:2,5 мА/В

-: 1,05 мА/В

I: {{198}}; К=В

S: Полевой транзистор с управляющим p-n переходом имеет напряжение отсечки U_отс=-1,75 В, напряжение затвор-исток U_ЗИ =-1 В, максимальный ток стока I_Сmax=5мА. Ток стока транзистора I_С равен

-: -0,2 мА

-: 0,57 мА

+:12,3 мА

-: 1,05 мА

I: {{199}}; К=С

S: : Прямой ток эмиттера биполярного транзистора равен I_Э=2мА, обратный ток коллектора I_К0=2мкА, обратный ток эмиттера I_Э0=1,6мкА, ток коллектора I_К=1,96мкА, потенциальный барьер p-n перехода равен В. Напряжение эмиттер-коллектор U_КЭ равно

-: 0,2 В

-: 0,57 В

+:0,006 В

-: 1,05 В

I: {{200}}; К=С

S: Полевой транзистор с управляющим p-n переходом имеет напряжение отсечки U_отс=-1,75 В, сопротивление открытого канала R₀=1Ом, сопротивление R_СИ=2Ом.

Ток стока транзистора I_С равен

-: -0,2 мА

-: 0,57 мА

+:7,8 мА

-: 1,05 мА