1. С₀;

2. С₁₂;

3. С₁₃; Абзац 25

4. С₁₂₃.

1. Ввод охранных электродов значительно уменьшает:

   1. электромагнитные наводки;

   2. краевой эффект;

   3. искажение электростатического поля;

   4. пункты «б» и «в». Абзац 26

2. Расчетная модель емкостных ПИП для микромеров учитывает главные факторы, характеризующие электростатическое поле, такие как:

   1. геометрические размеры преобразователя;

   2. распределение электрических потенциалов на электродах и контролируемом проводнике;

   3. особенности измерительной цепи;

   4. применяемые емкости в преобразователе;

   5. пункты «а», «б» и «в»; Абзац 27

   6. пункты «а» и «б».

3. При расчете емкостного ПИП с электродами, не лежащими в одной плоскости, используется:

   1. метод конформных преобразований;

   2. метод определения напряженности электростатического поля;

   3. метод конформных преобразований в сочетании с методом определения напряженности поля. Абзац 28

4. Суть метода конформных преобразований:

   1. конформное отображение плоскости комплексной переменной Z, за которую принимается сечение в рабочей зоне ПИП, на новую плоскость Ę, в которой электроды и контролируемый образец лежат в одной плоскости. Абзац 29

   2. конформное отображение плоскости комплексной переменной Z, за которую принимается сечение в рабочей зоне ПИП, на новую плоскость, в которой электроды ПИП лежат в одной плоскости.

5. Число особенных точек, напряженность в которых равна нулю, определяется:

   1. разностью потенциалов между электродами;

   2. числом электродов в ПИП. Абзац 30

6. Координаты особенной точки второго рода определяются:

   1. через суммарные заряды электродов (теорема Гаусса);

   2. через разность потенциалов между электродами;

   3. пункт «а» и «б». Абзац 31

7. Для емкостного ПИП к влияющим факторам не относятся:

   1. перемещение контролируемого проводника;

   2. поворот плоскости контролируемого проводника;

   3. изменение формы сечения проводника;

   4. емкостная связь между контролируемым проводником и экраном;

   5. погрешность измерителя емкости и изменение диэлектрической проницаемости среды;

   6. геометрические размеры проводника; Абзац 32

   7. пункт «в» и «е».

8. Уравнение для составляющих результирующей погрешности имеет вид:

   1. ;

   2. ;

   3. . Абзац 33

9. Относительная погрешность ПИП от перемещения проводника для емкостей С₀, С₁₂, С₁₃ и С₁₂₃ определяется из выражений. Выделите относительную погрешность для взаимочастичной емкости С₁₂:

   1. ;

   2. ; Абзац 34

   3. ;

   4. .

10. К факторам, которые не влияют на относительное значение составляющих результирующей погрешности емкостных ПИП, относятся:

    1. приближенность номинальной статической характеристики;

    2. неточность изготовления преобразователя;

    3. условия эксплуатации;

    4. суммарная погрешность измерителя емкости;

    5. относительное изменение рабочей емкости преобразователя; Абзац 35

    6. пункт «г» и «д».

11. Геометрические параметры преобразователя определяются на основании погрешностей обусловленных:

    1. нестабильностью измерителя емкости;

    2. условиями окружающей среды;

    3. приближенностью номинальной статической характеристики. Абзац 36

12. Технологические допуски на изготовление преобразователя определяются на основании выражений:

    1. ;

    2. ;

    3. пункт «а» и «б». Абзац 36

13. Из перечисленных ПИП к электромагнитным не относятся:

    1. индуктивные;

    2. магнитоупругие;

    3. индукционные;

    4. взаимоиндуктивные (трансформаторные);

    5. вихретоковые;

    6. электрокондуктометрические. Абзац 37

14. Преобразователь называют индуктивным, так как:

    1. выходной величиной является индуктивность;

    2. магнитная проводимость, вызванная объектом измерения, преобразуется в индуктивность; Абзац 38

    3. пункты «а» и «б».

15. Расчет индуктивного ПИП с переменным зазором сводится:

    1. к расчету полного магнитного сопротивления магнитопровода;

    2. к расчету магнитной проводимости; Абзац 39

    3. к расчету напряженности магнитного поля;

    4. к расчету номинальной статической характеристики;

    5. пункты «а» и «б»;

    6. пункты «в» и «г».

16. К составляющим результирующей погрешности индуктивного ПИП с переменным зазором не относятся:

    1. погрешности, связанные с изменением геометрических размеров под действием температуры окружающей среды;

    2. погрешность от нелинейности номинальной статистической характеристики ПИП;

    3. погрешность измерителя индуктивности;

    4. погрешность от внешнего электромагнитного поля; Абзац 40

    5. пункты «а» и «г».

17. Наиболее существенной составляющей результирующей погрешности индуктивного ПИП с переменным зазором является:

    1. погрешность измерителя индуктивности;

    2. погрешность от нелинейности номинальной статической характеристики; Абзац 41

    3. температурная погрешность.

18. Погрешности складываются алгебраически:

    1. если они вызваны одним источником;

    2. если они вызваны разными источниками;

    3. если они являются систематическими;

    4. если они являются случайными;

    5. пункты «а» и «в»;

    6. пункты «а» и «г». Абзац 42

19. Для измерения индуктивности обычно используются:

    1. мосты постоянного тока;

    2. мосты переменного тока; Абзац 43

    3. измерительные трансформаторы тока.

20. Индуктивные и взаимоиндуктивные преобразователи отличаются:

    1. конструкцией магнитной цепи;

    2. числом обмоток; Абзац 44

    3. пункты «а» и «б».

21. Характерным для трансформаторного (взаимоиндуктивного) преобразователя является:

    1. первичные обмотки включены встречно;

    2. вторичные обмотки включены встречно; Абзац 45

    3. пункты «а» и «б».

22. Принцип действия магнитоупругих преобразователей основан:

    1. на изменении магнитного сопротивления;

    2. на изменении магнитной проницаемости от механического воздействия; Абзац 46

    3. пункты «а» и «б».

23. Цепь преобразований реализуется:

    1. в преобразователях, в которых используются изменения магнитной проницаемости чувствительного элемента в одном направлении;

    2. в преобразователях, в которых используются изменения магнитной проницаемости одновременно в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Абзац 47

24. Цепь преобразований реализуется:

    1. в преобразователях, в которых используются изменения магнитной проницаемости чувствительного элемента в одном направлении;

    2. в преобразователях, в которых используются изменения магнитной проницаемости одновременно в двух взаимно перпендикулярных направлениях;

    3. во взаимоиндуктивных преобразователях, в которых используются изменения магнитной проницаемости в одном направлении. Абзац 48

25. ЭДС, наводимая во вторичной обмотке магнитоупругого ПИП, обусловлена:

    1. изменением индуктивностей в обмотках;

    2. изменением индуктивности во вторичной обмотке;

    3. взаимоиндукцией между обмотками. Абзац 48

26. Принцип действия индукционного ПИП основан:

    1. на явлении электромагнитной индукции; Абзац 49

    2. на явлении взаимоиндукции.

27. В общем случае индукционный ПИП представляет собой:

    1. катушку с сердечником;

    2. катушку без сердечника;

    3. пункты «а» и «б». Абзац 50

28. Входной величиной индукционного ПИП является:

    1. скорость изменения потокосцепления;

    2. скорость перемещения катушки;

    3. пункты «а» и «б». Абзац 51

29. В индукционном ПИП выражение справедливо:

    1. для неподвижной катушки в переменном магнитном поле; Абзац 52

    2. для катушки, вращающейся в постоянном магнитном поле.

30. В индукционном ПИП выражение справедливо:

    1. для неподвижной катушки в переменном магнитном поле;

    2. для катушки, вращающейся в постоянном магнитном поле. Абзац 53

31. В индукционном ПИП выражение справедливо:

    1. для катушки, перемещающейся в постоянном магнитном поле со скоростью ;

    2. для отрезка, движущегося со скоростью в однородном магнитном поле; Абзац 54

    3. для отрезка длинной , расположенного в переменном магнитном поле.

32. Принцип действия вихретокового преобразователя основан:

    1. на изменении индуктивности катушки при приближении к ней проводящего контролируемого тела;

    2. на изменении взаимоиндукции катушек при приближении проводящего тела;

    3. пункты «а» и «б». Абзац 55

33. Присутствие вблизи катушки вихретокового ПИП проводящей среды приводит к изменению электрических параметров катушки:

    1. активного сопротивления;

    2. реактивного сопротивления;

    3. взаимоиндуктивности;

    4. пункты «а» и «б». Абзац 56

34. Значение вносимых активных и реактивных сопротивлений в вихретоковых ПИП зависит:

    1. от расстояния от обмотки до подносимой пластины;

    2. от электрической проводимости и толщины пластины;

    3. пункты «а» и «б». Абзац 57

35. К особенности индуктивного ПИП на основе дифференциального трансформатора относится:

    1. наличие замкнутой магнитной цепи;

    2. наличие разомкнутой магнитной цепи; Абзац 58

    3. наличие сердечника.

36. Принцип действия индуктивного ПИП на основе дифференциального трансформатора основан:

    1. на явлении электромагнитной индукции;

    2. на взаимоиндукции между обмотками. Абзац 59

37. Вторичные обмотки дифференциального трансформатора соединены:

    1. последовательно;

    2. последовательно в противофазе; Абзац 60

    3. параллельно.

38. Перемещение ферритового сердечника изменяет:

    1. взаимоиндукцию между первичной и двумя вторичными обмотками;

    2. собственную индуктивность обмоток;

    3. связь первичной обмотки с каждой из вторичных;

    4. пункты «а» и «в». Абзац 61

39. Индуктивный ПИП на основе дифференциального трансформатора позволяет:

    1. уменьшить погрешность измерения;

    2. увеличить линейный участок характеристики;

    3. пункты «а» и «б». Абзац 62

40. Для простейшей конструкции преобразователя с электродами в виде плоскопараллельных пластин электрическая проводимость электрокондуктометрического преобразователя определяется по формуле:

    1. ; Абзац 63

    2. ;

    3. .

41. Погрешность измерения сопротивления электролитической ячейки электрокондуктометрического ПИП на переменном токе определяется одним из выражений:

    1. ;

    2. . Абзац 64

42. При расчете электрокондуктометрического ПИП некоторыми составляющими результирующей погрешности можно пренебречь:

    1. погрешностью от поляризации; Абзац 64

    2. погрешностью от неточности изготовления преобразователя;

    3. погрешностью измерения электропроводности;

    4. пункты «а» и «в».

43. Уравнение погрешности электрокондуктометрического ПИП имеет вид:

    1. ; Абзац 65

    2. ;

    3. .

44. Определение составляющих результирующей погрешности электрокондуктометрического ПИП осуществляется по формуле:

    1. ;

    2. ;

    3. пункты «а» и «б». Абзац 66

45. При выполнении условий , а отношение номинальная статическая характеристика электрокондуктометрического преобразователя примет вид:

    1. ; Абзац 67

    2. ;

    3. .

46. Верхний предел измерения электропроводности определяется:

    1. по номинальной статической характеристике преобразователя; Абзац 68

    2. по уравнению погрешности преобразователя;

    3. по формуле относительной чувствительности ПИП.

47. Теплокондуктометрические ПИП преобразуют измеряемую неэлектрическую величину:

    1. в постоянный ток;

    2. в напряжение;

    3. в тепловую проводимость. Абзац 69

48. Выходной величиной теплокондуктометрического ПИП является:

    1. сопротивление; Абзац 70

    2. напряжение;

    3. ток.

49. Тепловая проводимость теплокондуктометрического преобразователя определяется по одной из формул:

    1. ; Абзац 71

    2. ;

    3. .

50. Выражение в теплокондуктометрическом ПИП определяет:

    1. сопротивление провода при нулевой концентрации газа;

    2. номинальную статическую характеристику теплокондуктометрического ПИП; Абзац 72

    3. сопротивление газовой смеси.

51. В формуле номинальной статической характеристики теплокондуктометрического ПИП второй член выражает:

    1. изменение сопротивления, вызванное изменением концентрации газовой смеси;

    2. угол наклона прямой к оси абсцисс;

    3. абсолютную чувствительность ПИП;

    4. пункты «а», «б» и «в». Абзац 72

52. В формуле номинальной статистической характеристики теплокондуктометрического ПИП аддитивную погрешность определяет:

    1. первое слагаемое; Абзац 73

    2. второе слагаемое.

53. К составляющим результирующей погрешности теплокондуктометрического преобразователя относятся: , , , , , , , , какие из них вызваны изменением питающего напряжения, разности температур и неточностью измерения сопротивления?

    1. , , ; Абзац 74

    2. , ;

    3. , , , .

54. К составляющим результирующей погрешности теплокондуктометрического ПИП относятся: , , , , , . Какие из них вызваны перемещением микропроволоки?

    1. , ; Абзац 74

    2. , , ;

    3. , , .

55. Составляющие результирующей погрешности теплокондуктометрического ПИП , , вызваны изменением:

    1. температуры окружающей среды; Абзац 75

    2. питающего напряжения;

    3. начальной тепловой проводимостью;

56. Потери на конвекцию в теплокондуктометрическом ПИП можно уменьшить путем:

    1. уменьшением поверхности микропроволоки;

    2. уменьшения коэффициента теплоотдачи;

    3. пункты «а» и «б». Абзац 76

57. Относительные погрешности от изменения питающего напряжения и погрешности измерителя сопротивления определяются по формулам и при условии:

    1. если измерительная цепь включает компенсационный преобразователь;

    2. если измерительная цепь является мостом переменного тока;

    3. пункты «а» и «б». Абзац 77

58. Прямой пьезоэффект:

    1. это пьезоэлемент, электризующийся под действием механических напряжений; Абзац 78

    2. это пьезоэлемент, деформирующийся под действием механических напряжений;

    3. это элемент, деформирующийся в электрическом поле.

59. Обратный пьезоэффект:

    1. это пьезоэлемент, деформирующийся под действием механиских напряжений;

    2. это пьезоэлемент, деформирующийся в электрическом поле. Абзац 79

60. Система уравнений характеризует:

    1. связь между электрическими и механическими величинами в пьезоэлементе;

    2. связь между зарядом и механическим напряжением;

    3. деформацию кристалла от механических напряжений;

    4. пункты «а», «б» и «в». Абзац 79

61. Для последовательного резонанса в пьезоэлементе характерно:

    1. сопротивление минимальное;

    2. сопротивление максимальное;

    3. амплитуда выходного сигнала минимальна;

    4. пункты «а» и «в». Абзац 80

62. Для параллельного резонанса в пьезоэлементе характерно:

    1. сопротивление минимальное;

    2. сопротивление максимальное;

    3. амплитуда выходного сигнала максимальна;

    4. пункты «а» и «в». Абзац 80

63. Полоса пропускания пьезопреобразователя на верхних частотах ограничена:

    1. параллельным резонансом;

    2. механическим резонансом;

    3. последовательным резонансом;

    4. пункты «б» и «в». Абзац 81

64. К достоинству измерительной цепи пьезоэлектрического преобразователя, выполненной на базе усилителя напряжения, следует отнести:

    1. высокое входное сопротивление; Абзац 82

    2. выходной сигнал не зависит от емкости кабеля.

65. К достоинству измерительной цепи пьезоэлектрического преобразователя, выполненной на базе преобразователя заряда в напряжение, следует отнести:

    1. отсутствие зависимости выходного сигнала от емкости кабеля и емкости утечки;

    2. возможность увеличения чувствительности за счет снижения емкости обратной связи .

    3. пункты «а» и «б». Абзац 83

66. Пьезорезонансные преобразователи основаны:

    1. на прямом пьезоэффекте;

    2. на обратном пьезоэффекте. Абзац 84

67. Резонансные колебания в пьезоэлементе возникают:

    1. в результате установления в нем режима «стоячих волн»;

    2. если длина волны такова, что между излучателем и приемником укладывается целое число полуволн;

    3. пункты «а» и «б». Абзац 85

68. Основной частотой пьезорезонансного преобразователя называется:

    1. частота колебаний, при которой между излучателем и приемником укладывается одна полуволна; Абзац 86

    2. частота колебаний, при которой между излучателем и приемником укладывается целое число полуволн;

    3. частота колебаний, при которой между излучателем и приемником укладывается одна волна.

69. Частота последовательного резонанса пьезорезонатора определяется из выражений:

    1. ;

    2. ;

    3. пункты «а» и «б». Абзац 87

70. Частота механического резонанса пьезорезонатора совпадает:

    1. с частотой параллельного резонанса;

    2. с частотой последовательного резонанса. Абзац 87

71. Выражение определяет:

    1. частоту последовательного резонанса в пьезорезонаторе;

    2. частоту механического резонанса в пьезорезонаторе;

    3. частоту параллельного резонанса в пьезорезонаторе. Абзац 88

72. Сферическая волна может быть создана:

    1. цилиндрическим излучателем, периодически изменяющим свой радиус;

    2. точечным и сферический излучателем периодически изменяющим свой объем. Абзац 89

73. Волновое уравнение описывает форму:

    1. цилиндрической волны;

    2. сферической волны; Абзац 89

    3. плоской волны.

74. Волновое уравнение описывает форму:

    1. сферической волны;

    2. плоской волны;

    3. цилиндрической волны. Абзац 90

75. К ПИП излучений относятся:

    1. фотоэлектрические датчики;

    2. датчики ионизационных излучений;

    3. пункты «а» и «б». Абзац 91

76. К достоинствам ламп накаливания как источников излучения относят:

    1. значительный по величине поток излучения;

    2. непрерывный спектр излучения;

    3. значительная тепловая инерция;

    4. пункты «б» и «в»;

    5. пункты «а» и «б». Абзац 92

77. К достоинствам светодиодов как источников излучения относятся:

    1. малая постоянная времени;

    2. определенный и ограниченный спектр;

    3. слабый поток излучения;

    4. пункты «б» и «в»;

    5. пункты «а» и «б». Абзац 93

78. Физическое явление, положенное в основу фоторезисторов:

    1. фотопроводимость, вызванная внешним фотоэффектом; Абзац 94

    2. фотопроводимость, вызванная внутренним фотоэффектом.

79. Номинальная статическая характеристика фоторезистора имеет вид:

    1. ; Абзац 95

    2. .

80. Статический коэффициент преобразования фоторезистора имеет вид:

    1. ; Абзац 96

    2. .

81. К достоинствам фоторезистора не относится:

    1. высокое значение статического коэффициента преобразования;

    2. высокая чувствительность;

    3. полоса пропускания 10²-10⁵ Гц;

    4. нелинейность выходной характеристики;

    5. пункты «в» и «г»; Абзац 97

    6. пункты «а» и «в».

82. К полупроводниковым фотоприемникам относятся:

    1. фотодиоды и фототранзисторы; Абзац 98

    2. фотодиоды, фототранзисторы и оптроны;

    3. фотодиоды, фототранзисторы, оптроны и фототиристоры.

83. Режимы работы фотодиода:

    1. фотогенераторный;

    2. вентельный;

    3. фотодиодный;

    4. пункты «а» и «в»;

    5. пункты «а», «б» и «в». Абзац 98

84. Для фотодиодного режима характерно:

    1. отсутствие темнового тока; Абзац 99

    2. наличие темнового тока.

85. Величина обратного тока для фотодиодного режима определяется из формулы . Чем вызван ток :

    1. основными носителями заряда;

    2. неосновными носителями заряда; Абзац 100

    3. фотоэффектом.

86. Величина обратного тока для фотодиодного режима определяется из выражения :

    1. при незначительной величине обратного напряжения;

    2. при большой величине обратного напряжения; Абзац 101

    3. при малой нагрузке.

87. Особенность фотогенераторного режима:

    1. отсутствие внешнего источника питания;

    2. отсутствие темнового тока;

    3. пункты «а» и «б». Абзац 102

88. Фотогенераторный преобразователь характеризуется:

    1. напряжением холостого хода;

    2. током короткого замыкания;

    3. пункты «а» и «б». Абзац 102

89. Режим короткого замыкания характеризуется:

    1. высоким быстродействием;

    2. малой постоянной времени;

    3. широкой полосой пропускания;

    4. пункты «а» и «б». Абзац 103

90. Напряжение холостого хода измеряется непосредственно на фотодиоде, так как:

    1. его прямое сопротивление очень мало;

    2. его обратное сопротивление очень высоко. Абзац 104

91. При освещении фототранзистор ведет себя как:

    1. фотодиод в фотодиодном режиме; Абзац 105

    2. фотодиод в генераторном режиме;

    3. транзистор с p-n-p переходом.

92. При освещении фотодиод, включенный в базу фототранзистора, вызывает:

    1. ток базы;

    2. ток эмиттер-база;

    3. ток коллектора;

    4. пункты «а» и «в». Абзац 106

93. Возникновение тока коллектора при освещении фототранзистора обусловлено:

    1. увеличением потенциала базы;

    2. понижением потенциального барьера эмиттер-база;

    3. пункты «а» и «б». Абзац 106

94. В основу фотоэлектронного умножителя положено:

    1. явление внешнего фотоэффекта;

    2. явление внутреннего фотоэффекта;

    3. явление вторичной электронной эмиссии. Абзац 108

95. Коэффициент усиления фотоэлектронного умножителя зависит:

    1. от числа электронов, вылетевших из катода;

    2. от числа динодов;

    3. пункты «а» и «б». Абзац 109

96. Оптоэлектронные преобразователи на основе приборов с зарядовой связью (ПЗС-структур) представляют собой:

    1. комбинацию элементарных МДП-конденсаторов, сформированных на общей полупроводниковой подложке; Абзац 105

    2. комбинацию элементарных МДП-фотодиодов, сформированных на общей полупроводниковой подложке.

97. При освещении элементарных ячеек ПЗС заряды накапливаются:

    1. на границе раздела диэлектрик-полупроводник;

    2. в потенциальных ямах, возникающих под плоскими электродами. Абзац 106

98. Направленная передача накопленных зарядов в элементарных МДП-конденсаторах осуществляется:

    1. путем приложения к различным электродам ПЗС в определенной последовательности управляющих напряжений; Абзац 106

    2. путем освещения элементарных ячеек ПЗС в определенной последовательности.

99. Высокой степенью интеграции обладают:

    1. приборы с зарядовой связью; Абзац 107

    2. преобразователи на основе интегральных фотодиодных матриц.

100. Интегральные фотодиодные матрицы представляют собой:

     1. комбинацию элементарных МДП-конденсаторов, сформированных на общей полупроводниковой подложке;

     2. комбинацию элементарных МДП-фотодиодов, сформированных на общей полупроводниковой подложке. Абзац 108

101. Развертка изображения в интегральной фотодиодной матрице осуществляется:

     1. путем последовательного освещения элементарных фотоячеек матрицы;

     2. путем коммутации элементарных ячеек матрицы электронными ключами, встроенными в ИФДМ. Абзац 108

102. В ИФДМ с поэлементной организацией считывание осуществляется:

     1. путем последовательного опроса каждой элементарной ячейки матрицы при совпадении сканирующих напряжений по ее строкам и столбцам; Абзац 108

     2. путем одновременного считывания сигнала со всей строки матрицы.

103. Для поэлементной выборки ячеек ИФДМ снабжают:

     1. схемами в виде вертикальных и горизонтальных сдвиговых регистров;

     2. дешифраторами;

     3. пункты «а» и «б». Абзац 109

19