- •Содержание
- •Модуль 1 Тема № 1. Неразрушающие методы и средства контроля. Классификация методов. Основные технические характеристики средств контроля
- •1. Классификация методов и средств контроля
- •2. Неэлектрические величины - объект исследования для снк
- •3. Первичные измерительные преобразователи (пип), основные определения, активные и пассивные пип
- •4. Основные технические характеристики пип
- •Конденсаторы с переменным зазором между обкладками
- •Методы измерения изменения ёмкости
- •Модуль 2 Тема № 2. Неразрушающие методы контроля параметров технологических процессов на основе ёмкостных пип.
- •1. Емкостные пип, классификация, принцип действия, расчетные модели, измерительные цепи, область применения
- •Конденсатор с переменной площадью обкладок
- •2. Емкостные пип для микромеров: основные понятия и определения, физические основы и классификация по измеряемой емкости, функциональные схемы и их расчетные модели
- •Пути повышения технических характеристик емкостных пип
- •3. Расчет емкостного измерительного преобразователя методом конформных преобразований и непосредственного определения напряженности поля
- •Модуль 3 Тема № 3. Неразрушающие методы контроля на основе электромагнитных пип
- •Магнитоупругие пип;
- •Индукционные пип;
- •Индуктивный пип на основе дифференциального трансформатора.
- •2. Трансформаторные (взаимоиндуктивные) преобразователи
- •3. Магнитоупругие преобразователи
- •4 . Индукционные преобразователи
- •5. Вихретоковые индуктивные преобразователи
- •6. Дифференциальный трансформатор
- •Модуль 5 Тема № 5. Неразрушающие методы контроля тепловыми пип. Расчет теплокондуктометрического пип с использованием свойств аналогии потенциальных полей
- •Модуль 6 Тема № 6. Неразрушающие методы и средства контроля на основе пьезоэлектрических пип
- •Модуль 7 Тема № 7. Неразрушающие методы контроля на основе пип излучений
- •3. Фотоэлектронные умножители (фэу)
- •4. Оптические электронные преобразователи на основе приборов с зарядовой связью (пзс-структур)
- •5. Оптоэлектронные преобразователи на основе интегральных фотодиодных матриц (ифдм)
2. Емкостные пип для микромеров: основные понятия и определения, физические основы и классификация по измеряемой емкости, функциональные схемы и их расчетные модели
Емкостные микромеры содержат емкостный ПИП, преобразующий геометрические размеры в емкость и измеритель емкости, шкала которого отградуирована в единицах измеряемой величины. Относятся к пассивным ПИП.
Х
арактер
и степень изменения емкости зависит от
количества электродов, их потенциалов
и геометрических размеров контролируемого
образца. Датчик является 3-х электродным,
если между его обкладками поместить
контролируемый образец. При этом
рассматривается 4 случая исходных схем
ПИП.
1 – высокопотенциальный электрод
2 – низкопотенциальный электрод
3 – контролируемый образец
С0 – конденсаторная емкость
С12 – взаимочастичная емкость
С123 – полная емкость
С13 – взаимочастичная емкость
Связь между потенциалами и зарядами электродов определяется системой уравнений:
Q1 = C12 (V1 -V2) +C13 (V1 -V3)
Q2 = C21 (V2 -V1) +C23 (V2 -V3)
Q3 = C31 (V3 -V1) +C32 (V3 -V2)
Разность V1-V2<0, т.к. V1 – потенциал высокий
При коротком замыкании электродов 3 на 2 значение V2=V3 , тогда
С12=Q2 / V1 -V2 , С13=Q3 / V1 –V3
Каждая из емкостей может быть использована как информативный параметр.
Пути повышения технических характеристик емкостных пип
1. Ввод экранных электродов, что снижает влияние э/м наводок, повышает чувствительность ПИП и увеличить емкость С0.
В преобразователях С12, С123 применение экранных электродов уменьшает паразитные потоки между высокопотенциальным и низкопотенциальным электродами. В преобразователе С13 защищает проводник 3 от магнитных полей.
С вводом экранных электродов исходные схемы ПИП примут следующий вид:
1 – высокопотенциальный электрод
2 – низкопотенциальный электрод
3 – контролируемый проводник
4 – экран
2. Ввод охранных электродов
Установка охранных электродов устраняет краевой эффект. Устранение краевого эффекта обеспечивается при условии равенства потенциалов электродов 1 и 5 в случае измерения С0 и С13 или электродов 2 и 5 при С12 и С123.
Обоснование расчетных моделей
Р
асчетная
модель должная учитывать главные
факторы, определяющие электростатическое
поле преобразователя, геометрические
характеристики преобразователя,
распределение напряженности на электродах
и контролируемом проводнике, а так же
особенности измерительной цепи и влияние
активных и индуктивных сопротивлений
контролируемого проводника.
О
сновные
требования к измерительной цепи
измеритель емкости должен быть высокой точности;
обеспечение заданных потенциалов контролируемого проводника и электродов;
min допустимые значения паразитных емкостей;
Этим условиям удовлетворяют трансформаторы с индуктивной связью между плечами.
Эквивалентная схема преобразователя приведена на рисунке 1.
Рисунок 1 – Эквивалентная схема ПИП
Отсутствие влияния контролируемого проводника можно обосновать следующими доводами:
индуктивное сопротивление контролируемого проводника очень мало по сравнению с активным;
емкостное сопротивление очень велико по сравнению с активным сопротивлением проводника.
В связи с этим плоскопараллельность поля в рабочей зоне ПИП не нарушается от внесения проводника.
В связи с этим схемы расчетных моделей примут следующий вид:
