- •1. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия.
- •2. Усилительный каскад по схеме оэ. Параметры и характеристики усилительного каскада.
- •1. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии.
- •2. Усилительный каскад по схеме об. Параметры и характеристики усилительного каскада.
- •1. Вах идеального и реального p-n-перехода.
- •2. Усилительный каскад по схеме ок. Параметры и характеристики усилительного каскада
- •1. Выпрямительные диоды,параметры,характеристики.
- •2. Дифференциальный усилительный каскад на биополярных транзисторах. Параметры и характеристики усилительного каскада.
- •2. Способы питания биополярного транзистора в усилительных каскадах
- •1.Импульсные диоды,параметры, характеристики
- •1. Стабилитроны. Параметры и характеристики.
- •2. Способы питания полевого транзистора (пт) в усилительных каскадах
- •1. Схема с общим истоком
- •2. Схема с общим затвором
- •3. Схема с общим стоком. Истоковый повторитель
- •1.Туннельные и обращенные диоды, параметры и характеристики.
- •2. Усилительный каскад по схеме ои. Параметры и характеристики усилительного каскада
- •1. Работа биполярного транзистора в ключевом режиме.
- •2. Усилительный каскад по схеме ос. Параметры и характеристики усилительного каскада.
- •1. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом, параметры и характеристики.
- •1. Мдп транзистор с встроенным каналом, параметры и характеристики.
- •2. Неинвертирующий усилительный каскад на оу. Параметры и характеристики усилительного каскада.
- •1. Мдп транзистор с индуцированным каналом, параметры и характеристики.
- •2. Дифференциальный каскад на оу. Параметры и характеристики усилительного каскада.
- •1. Работа полевого транзистора в ключевом режиме.
- •2. Логарифмирующие и антилогарифимирующие преобразовательные каскады на оу. Параметры и характеристики каскадов.
- •1. Двухэлектродный тиристор (динистр), параметры и характеристики.
- •1. Трехэлектродный тиристор (тринистр), параметры и характеристики.
- •Основные параметры тиристоров.
- •2. Однотактный усилительный каскад мощности на биполярных транзисторах. Параметры и характеристики усилительного каскада.
- •1.1. Фотодиоды
- •1.2.Фототранзистор
- •2. Усилительный каскад по схеме оэ. Параметры и характеристики усилительного каскада.
- •2. Усилительный каскад по схеме оэ. Параметры и характеристики усилительного каскада.
- •1. Вах идеального и реального p-n-перехода.
- •2. Обратная ветвь.
- •2. Усилительный каскад по схеме ок. Параметры и характеристики усилительного каскада
- •1.1. Параметры и характеристики транзистора в схеме оэ.
- •1.2. Эквивалентные схемы биполярных транзисторов.
- •1) Эквивалентные схемы с h-параметрами.
- •2) Гибридная п-образная эквивалентная схема.
- •3) Эквивалентная схема идеализированного транзистора.
- •2. Усилительный каскад по схеме ои. Параметры и характеристики усилительного каскада
- •1.1. Параметры и характеристики транзистора в схеме об.
- •1.2. Эквивалентные схемы биполярных транзисторов.
- •1) Эквивалентные схемы с h-параметрами.
- •2) Гибридная п-образная эквивалентная схема.
- •3) Эквивалентная схема идеализированного транзистора.
- •2. Усилительный каскад по схеме ос. Параметры и характеристики усилительного каскада.
- •1. Принцип работы биополярного транзистора. Режим работы.
- •2. Дифференциальный каскад на оу. Параметры и характеристики усилительного каскада.
1. Стабилитроны. Параметры и характеристики.
Полупроводниковые стабилитроны, называемые иногда опорными диодами, предназначены для стабилизации напряжений. Их работа основана на использовании явления электрического пробоя p-n- перехода при включении диода в обратном направлении.
Механизм пробоя может быть туннельным, лавинным или смешанным. У низковольтных стабилитронов (с низким сопротивлением базы) более вероятен туннельный пробой. У стабилитронов с высокоомной базой (сравнительно высокоомных) пробой носит лавинный характер.
Рис.1. Вольт-амперная характеристика стабилитрона (а), его условное обозначение (б) и включение полупроводникового стабилитрона в схему стабилизации напряжения на нагрузке (в)
Основные параметры стабилитронов и их типовые знаечния.
Напряжение стабилизации Uст – падение напряжения на стабилитроне при протекании заданного тока стабилизации (несколько вольт – десятки вольт).
Максимальный ток стабилизации Iст.max (несколько мА – несколько А)
Минимальный ток стабилизации Iст.min (доли – десятки мА)
Дифференциальное сопротивление rдиф, которое определяется при заданном значении тока на участке пробоя как rдиф=dUст/dIст (доли Ом – тысячи Ом).
Температурный коэффициент напряжения стабилизации αст – относительное изменение напряжения стабилизации ΔUст при изменении температуры окружающей среды на ΔT: (αст – тысчные доли процента).
При увеличении тока через стабилитрон возрастает падение напряжения на резисторе R. Другими словами, почти все приращения напряжения питания падает на резисторе R, а выходное напряжение остается неизменным за счет своеобразной характеристики обратной ветви стабилитрона. Параметры цепи стабилизации напряжения выбирают так, чтобы удовлетворялись следующие очевидные неравенства:
Где Uи max и Uи min - максимальное и минимальное напряжения источника питания;
Iн max и Iн min - максимальный и минимальный токи нагрузок, которые будут соответственно при Rн min и Rн max.
Если неравенства (1), (2) не удовлетворяются, то реализовать параметрический стабилизатор напряжения, имеющий заданные параметры, нельзя и необходимо применять более сложные технические решения.
Для уменьшения температурного коэффициента напряжения стабилизации стабилизации последовательно со стабилитроном включают дополнительный диод.
2. Способы питания полевого транзистора (пт) в усилительных каскадах
В зависимости от того,какой электрод подключается к точке постоянного потенциала,различают 3 схемы включения: истоковое, стоковое и затворное.
1. Схема с общим истоком
Схема с общим истоком соответствует схеме с общим эмиттером для биполярного транзистора. Различие состоит в том , что диод канал-затвор включен в запирающем направлении. Входной ток при этом практически равен нулю, а входное сопротивление очень велико.
Рис. 5.6.Схема с общим истоком.
Коэффициент
усиления по напряжению
Входное
сопротивление
Выходное
сопротивление
Установка рабочей точки транзистра
Отрицательная обратная связь по постоянному току – удобное средство установки рабочей точки транзистора. Для нормально открытых ПТ существует возможность подключения затвора к шине нулевого потенциала ( рис 5.7)
