- •Глава 7. Полупроводниковые приборы свч
- •7.1 Элементы полупроводниковой электроники.
- •7.1.1 Энергетический спектр электронов в полупроводнике.
- •7.1.2 Эффективная масса носителей заряда.
- •7.1.3 Понятие дрейфовой скорости.
- •7.1.4 Ударная ионизация.
- •7.1.5 Основные уравнения полупроводниковой электроники.
- •7.2 Лавинно-пролетный диод.
- •7.2.2.1 Конструкция и статические характеристики лпд.
- •7.2.2 Работа лпд в пролетном режиме.
- •7.2.2.2 Возникновение отрицательного сопротивления в лпд.
- •7.2.2.3 Эквивалентная схема генератора.
- •7.2.2.4 Условия возбуждения автогенератора.
- •7.2.2.5 Работа глпд в режиме большего сигнала.
- •7.2.2.5 Основные характеристики глпд в impatt-режиме.
- •7.2.3 Работа глпд в режиме захваченной плазмы.
- •7.2.3.1 Конструкция и принцип действия.
- •7.2.4 Основные параметры глпд и область применения.
- •7.3 Диод Ганна.
- •7.3.1 Механизм возникновения эффекта Ганна.
- •7.3.2 Механизм возникновения объемных неустойчивостей.
- •7.3.3 Виды неустойчивости в образце с отрицательной дифференциальной подвижностью.
- •7.3.4 Генератор на диоде ганна. Режимы работы
- •7.3.4.1 Вольт-амперная характеристика образца с доменом
- •7.3.4.2 Пролетный режим
- •7.3.4.3 Режим с задержкой образования домена
- •7.3.4.5 Гибридный режим.
- •7.3.4.6 Режим ограниченного накопления объемного заряда (оноз).
- •7.3.5 Эквивалентная схема и метод расчета генератора на диоде ганна
- •7.3.5 Область применения дг и конструкция гдг.
7.1.2 Эффективная масса носителей заряда.
Привычным является описание движения тел в рамках классической механики Ньютона, которая устанавливает связь между внешней силой F, приложенной к телу, и его ускорением а = dvldt:
В кристалле же на электрон действует периодическое поле, явившееся следствием действия на электрон многих внутренних сил. Эти силы также должны учитываться величиной F. Поэтому рассчитать истинную траекторию электрона в кристалле не представляется возможным, так как нельзя точно решить задачу действия многих сил. Если такую задачу и удалось бы решить, то законы действия этих сил оказались бы не столь наглядными по сравнению g законами ньютоновской механики.
Неприменимость ньютоновской механики для электронов в кристалле легко показать на основании известного в квантовой механике принципа неопределенности Гейзенберга, по которому
Принимая
в качестве
период кристаллической решетки и
учитывая что
,
можно
вычислить
,
т. е. неопределенность (или что то же
самое — ошибку) в значении скорости
электрона. Например, для
=
м и
.
Но электрон в кристалле должен обладать обычной тепловой скоростью, равной 107 см/с. Следовательно, неопределенность в значении скорости оказалась больше самой скорости, что является абсурдом. Таким образом, для электрона в кристалле понятие о мгновенной скорости теряет смысл. Остается лишь понятие о средней скорости электрона, которую в связи с волновым представлением можно представить в виде групповой скорости движения волнового пакета.
Точно так же можно ввести и усредненное ускорение для электрона в кристалле:
Учитывая независимость время и квазиимпульса среднее ускорение можно записать в следующем виде:
Внешняя сила F совершает с рассматриваемым электроном работу, равную dA, так что в среднем за время dt произойдет изменение скорости электрона, а значит, и изменение его энергии dE, равное совершенной работе: dE = dA = Fds = Fvdt. Отсюда
И
связь между
и F
может
быть записана в виде следующей формулы:
Учитывая, что , получаем:
Перепишем это выражение в форме, аналогичной закону Ньютона:
(7.2)
Сравнивая эту зависимость с законом Ньютона для обычных тел, можно увидеть полное сходство, если величину
(7.3)
трактовать как аналог массы электрона. Величину т* называют эффективной массой.
Смысл введения эффективной массы заключается в том, что с ее помощью учитывают совместное действие периодического потенциального поля и внешней силы на электрон в кристалле. Посредством введения эффективной массы удалось сложные законы движения электронов в кристалле свести к законам, которые по форме (только по форме!) совпадают с хорошо известными законами классической механики.
Следует
понимать, что эффективная масса ничего
общего не имеет с обычной массой, т. е.
она не является мерой инерции и не
связана с силами тяготения. Более того,
из рис. 7.5
видно,
что
является
переменной величиной в зависимости от
k,
а
значит, и
может
быть .переменной величиной, т. е.
эффективная масса может быть не постоянной
в отличие от обычной истинной массы
электрона.
Рис.7.5. Схема, иллюстрирующая свойства эффективной массы электрона
Таким образом, эффективная масса есть лишь коэффициент пропорциональности в законе, связывающем внешнюю силу, действующую на электрон в кристалле с его ускорением.
Рассмотрим некоторые свойства эффективной массы. Для этого bыделим одну из зон в пространстве импульсов так, как это показано на рис. 7.5, а. Последовательно дифференцируя графически эту кривую два раза, получим кривые рис. 7.5, б, в. Наконец пользуясь выражением (7.3), можно построить т* (к), изображенную на рис. 7.5, г. Сопоставление кривых рис. 7.5, а и 7.5, г приводит выводу, что у дна зоны эффективная масса электрона положительша, а у потолка зоны — отрицательна.
Следовательно, возвращаясь к описанию перемещения электронов в зонах (см. рис. 7.4), приходим к необходимости описывать его движением электронов в зоне проводимости с хотя и переменной по значению, но все-таки с нормальной положительной эффективной массой и одновременно — движением электронов с аномальной (отрицательной) массой в валентной зоне. Во избежание трудностей при описании такого движения было введено понятие положительной дырки, перемещение которой в электрическом поле происходит в противоположном направлении по сравнению с электроном. Тогда масса такой положительной дырки будет положительна.
