- •Вопрос 5. Переменные резисторы, конструктивные особенности и основные параметры и характеристики. 6
- •Вопрос 6. Конденсаторы, разновидности конденсаторов, обозначение, маркировка и допускаемые нормализованные отклонения. 7
- •1 Вопрос. Классификация резисторов, маркировка, обозначение, допускаемые нормализованные отклонения.
- •2 Вопрос. Основные параметры и характеристики резисторов.
- •3 Вопрос. Терморезисторы, основные параметры и характеристики.
- •4 Вопрос. Варисторы и позисторы, принцип работы, основные параметры и характеристики.
- •Вопрос 5. Переменные резисторы, конструктивные особенности и основные параметры и характеристики.
- •8 Вопрос. Переменные и подстроечные конденсаторы, конструктивные особенности.
- •9 Вопрос. Катушки индуктивности, особенности конструкции и способы изготовления.
- •Вопрос 6. Конденсаторы, разновидности конденсаторов, обозначение, маркировка и допускаемые нормализованные отклонения.
- •7 Вопрос. Основные параметры постоянных конденсаторов.
- •10 Вопрос. Основные параметры и характеристики катушек индуктивности.
- •11. Особенности работы трансформаторов и их классификация.
- •12. Магнитопроводы трансформаторов и их конструктивные особенности.
- •13. Электропроводность полупроводников, основные положения теории электропроводности.
- •14. Полупроводниковые диоды, особенности работы и обозначения.
- •15. Выпрямительные и универсальные диоды, конструктивные особенности, параметры и характеристики.
- •16. Импульсные диоды, особенности работы, параметры и характеристики.
- •17. Принцип работы стабилитронов, основные параметры и характеристики и схема включения.
- •18. Варикапы, схема включения, принцип работы и основные параметры и характеристики, область использования.
- •19. Туннельные и обращаемые диоды основные параметры и характеристики.
- •20. Конструктивные особенности свч диодов, классификация и область использования.
- •21.Биполярные транзисторы, физические процессы и их обозначение.
- •22.Активный режим работы бт с об, входные и выходные характеристики и параметры.
- •23 Активный режим работы бт с оэ, входные и выходные характеристики и параметры.
- •24. Схема включения биполярного транзистора в режиме усиления тока (эмиттерный повторитель). Особенности работы.
- •25. Принцип работы биполярного транзистора с общей базой при подаче синусоидального напряжения.
- •26. Принцип работы биполярного транзистора с общим эмиттером при подаче синусоидального напряжения.
- •27.Динамический режим работы биполярного транзистора.
- •28.Работа биполярного транзистора с вч сигналами
- •29. Особенности конструкции и структуры свч-транзисторов
- •30.Классификация полевых транзисторов, отличительные особенности их работы.
- •]Транзисторы с управляющим p-n переходом
- •Транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
- •31)Полевые транзисторы с управляющим р-п переходом, устройство и принцип действия.
- •32)Статические параметры и характеристики полевых транзисторов управляющим р-п переходом.
- •33)Особенности работы мпд транзисторов со встроенным каналом.
- •34)Статические характеристики и параметры мдп транзисторов со встроенным каналом.
- •35)Мдп транзисторы с индуцированным каналом, физические процессы, принцип работы.
- •36)Работа полевых транзисторов при малых синусоидальных сигналах.
- •40)Динамический режим работы полевых транзисторов.
- •41. Особенности работы полевых транзисторов в свч диапазоне.
- •43. Тринисторы, принцип работы, основные параметры и характеристики.
- •45. Излучающие полупроводниковые приборы, параметры и характеристики.
- •46. Основные сведения об электровакуумных приборах и физические основы их работы.
- •47. Двухэлектродные лампы, физические процессы.
- •48. Статические характеристики и параметры двухэлектродных ламп.
- •49. Электровакуумный диод в режиме нагрузки
- •50. Трехэлектродные лампы, физические процессы, основные параметры
- •51. Статические характеристики трехэлектродных ламп Работа трехэлектродной лампы с нагрузкой в анодной цепы.
- •53) 53. Работа трехэлектродных ламп в свч диапазоне.
- •54) Тетроды,особенности работы,статические параметры и характеристики.
- •55) Пентоды, статические параметры и характеристики.
- •56. Работа пентода в динамическом режиме с нагрузкой в анодной цепи
- •57. Электровакуумные фотоэлектронные приборы
- •58. Элекктронно-лучевые трубки, классификация, принцип работы.
- •59. Операционные усилители, функциональная схема, особенности работы.
- •60. Параметры и характеристики операционных усилителей.
12. Магнитопроводы трансформаторов и их конструктивные особенности.
Основными частями трансформатора являются: магнитопровод и катушка с обмотками. Магнитопровод представляет собой магнитную цепь трансформатора, по которой замыкается основной магнитный поток. Одновременно магнитопровод служит основой для установки и крепления обмоток, отводов, переключателей и других деталей активной части трансформатора. Магнитопровод собирают из отдельных тонких пластин электротехнической стали, изолированных друг от друга пленкой специального жаростойкого покрытия или лака. Магнитопроводы выполняют двух типов: стержневого и броневого. В магнитопроводе стержневого типа вертикальные стержни / имеют ступенчатое сечение, вписывающееся в круг. На них расположены обмотки 2цилиндрической формы. Части магнитопровода, не имеющие обмоток и служащие для образования замкнутой дети, называют ярмами. В броневом магнитопроводе стержни расположены горизонтально и имеют прямоугольное поперечное сечение. Соответственно этому и обмотки такого магнитопровод а имеют прямоугольную форму. По способу соединения стержней с ярмами различают стыковую и шихтованную конструкции стержневого магнитопровода.
13. Электропроводность полупроводников, основные положения теории электропроводности.
Основные положения теории электропроводности. Атом состоит из ядра, окруженного облаком электронов, которые находятся в движении на некотором расстоянии от ядра в пределах слоев (оболочек), определяемых их энергией. Чем дальше от ядра находится вращающийся электрон, тем выше его энергетический уровень. При переходе электрона с одного разрешенного уровня на другой, более отдаленный, происходит поглощение энергии, а при обратном переходе —ее выделение. Последние слабее связаны с ядром, легче вступают во взаимодействие с другими атомами. Поэтому электроны, расположенные на внешней недостроенной оболочке, называют валентными. Для полупроводников наиболее распространенными являются ковалентные связи. Если атомы находятся в связанном состоянии, то на валентные электроны действуют поля электронов и ядер соседних атомов, в результате чего каждый отдельный разрешенный энергетический уровень атома расщепляется на ряд новых энергетических уровней, энергии которых близки друг к другу. Совокупность уровней, на каждом из которых могут находиться электроны, называют разрешенной зоной(на рис 1,3) Промежутки между разрешенными зонами носят название запрещенных зон(на рис 2) Разрешенная зона характеризуется тем, что все уровни ее при температуре О К заполнены электронами. Запрещенная зона характеризуется тем, что в ее пределах нет энергетических уровней, на которых могли бы находиться электроны. Зона проводимости характеризуется тем, что электроны, находящиеся в ней, обладают энергиями, позволяющими им освобождаться от связи с атомами и передвигаться внутри твердого тела. У полупроводников и диэлектриков зона проводимости при О К пуста и электропроводность отсутствует. Различия между ними чисто количественные в ширине запрещенной зоны. В полупроводниках при некотором значении температуры, отличном от нуля, часть электронов будет иметь энергию, достаточную для перехода в зону проводимости. Эти электроны становятся свободными, а полупроводник -электропроводным.
