- •1 Вопрос. Классификация резисторов, маркировка, обозначение, допускаемые нормализованные отклонения.
- •2 Вопрос. Основные параметры и характеристики резисторов.
- •3 Вопрос. Терморезисторы, основные параметры и характеристики.
- •4 Вопрос. Варисторы и позисторы, принцип работы, основные параметры и характеристики.
- •Вопрос 5. Переменные резисторы, конструктивные особенности и основные параметры и характеристики.
- •Вопрос 6. Конденсаторы, разновидности конденсаторов, обозначение, маркировка и допускаемые нормализованные отклонения.
- •7 Вопрос. Основные параметры постоянных конденсаторов.
- •8 Вопрос. Переменные и подстроечные конденсаторы, конструктивные особенности.
- •9 Вопрос. Катушки индуктивности, особенности конструкции и способы изготовления.
- •10 Вопрос. Основные параметры и характеристики катушек индуктивности.
- •Вопрос 11. Особенности работы трансформаторов и их классификация.
- •Вопрос 12. Магнитопроводы трансформаторов и их конструктивные особенности.
- •13. Электропроводность полупроводников, основные положения теории электропроводности.
- •Вопрос 14. Полупроводниковые диоды, особенности работы и обозначения.
- •Вопрос 15. Выпрямительные и универсальные диоды, конструктивные особенности, параметры и характеристики.
- •Вопрос 16. Импульсные диоды, особенности работы, параметры и характеристики.
- •Вопрос 17. Принцип работы стабилитронов, основные параметры и характеристики и схема включения.
- •Вопрос 18. Варикапы, схема включения, принцип работы и основные параметры и характеристики, область использования.
- •Вопрос 19. Туннельные и обращаемые диоды основные параметры и характеристики.
- •Вопрос 20. Конструктивные особенности свч диодов, классификация и область использования.
- •Вопрос 21. Биполярные транзисторы, физические процессы и их обозначение.
- •Вопрос 22. Активный режим работы бт с об, входные и выходные характеристики и параметры.
- •Вопрос 23. Активный режим работы бт с оэ, входные и выходные характеристики и параметры.
- •Вопрос 26. Принцип работы биполярного транзистора с общим эмиттером при подаче синусоидального напряжения.
- •Вопрос 27.Динамический режим работы биполярного транзистора.
- •Вопрос 28. Работа биполярного транзистора с вч сигналами
- •Вопрос 29. Особенности конструкции и структуры свч-транзисторов
- •Вопрос 30. Классификация полевых транзисторов, отличительные особенности их работы.
- •Вопрос 31. Полевые транзисторы с управляющим р-п переходом, устройство и принцип действия.
- •Вопрос 32. Статические параметры и характеристики полевых транзисторов управляющим р-п переходом.
- •33)Особенности работы мпд транзисторов со встроенным каналом.
- •34)Статические характеристики и параметры мдп транзисторов со встроенным каналом.
- •Вопросы 37,38,39. Схемы включения полевых транзисторов с общим стоком, истоком, затвором.
- •Вопрос 40. Динамический режим работы полевых транзисторов.
- •Вопрос 41. Вопрос 42. Динисторы, принцип работы основные параметры и характеристики.
- •Вопрос 43. Тринисторы, принцип работы, основные параметры и характеристики.
- •Вопрос 44. Фотоэлектрические полупроводниковые приборы, принцип работы, параметры и характеристики.
- •Вопрос 51-52. Статические характеристики трехэлектродных ламп. Работа трехэлектродной лампы с нагрузкой в анодной цепы.
- •Вопрос 53. Работа трехэлектродных ламп в свч диапазоне.
- •Вопрос 54. Тетроды,особенности работы,статические параметры и характеристики.
- •Вопрос 55. Пентоды, статические параметры и характеристики.
- •Вопрос 56. Работа пентода в динамическом режиме с нагрузкой в анодной цепи
- •Вопрос 57. Электровакуумные фотоэлектронные приборы
- •Вопрос 58. Электронно-лучевые трубки, классификация, принцип работы.
- •Вопрос 59. Операционные усилители, функциональная схема, особенности работы.
- •Вопрос 60. Параметры и характеристики операционных усилителей.
- •Вопрос 61. Схема включения операционного усилителя в инвертирующем режиме, особенности работы.
- •Вопрос 62. Включение операционного усилителя в неинвертирующем режиме, особенности работы.
- •Вопрос 65. Амплитудно-частотные характеристики операционных усилителей.
- •Вопрос 66. Фазо-частотные характеристики операционных усилителей.
- •Вопрос 67. Логические элементы и. Или, не, их комбинации и таблицы истинности.
- •Вопрос 68. Триггеры, классификация и принцип работы.
- •69. Счетчики, общие сведения, принцип работы.
- •Вопрос 70. Регистры хранения и сдвига, принцип работы регистров.
- •Вопрос 71. Регистры последовательных приближений.
- •Вопрос 72. Дешифраторы, принцип работы и назначение.
- •Вопрос 73. Шифраторы, назначение принцип действия.
- •Вопрос 75. Общие сведения о ацп и цап.
Вопрос 12. Магнитопроводы трансформаторов и их конструктивные особенности.
Основными частями трансформатора являются: магнитопровод и катушка с обмотками. Магнитопровод представляет собой магнитную цепь трансформатора, по которой замыкается основной магнитный поток. Одновременно магнитопровод служит основой для установки и крепления обмоток, отводов, переключателей и других деталей активной части трансформатора. Магнитопровод собирают из отдельных тонких пластин электротехнической стали, изолированных друг от друга пленкой специального жаростойкого покрытия или лака. Магнитопроводы выполняют двух типов: стержневого и броневого. В магнитопроводе стержневого типа вертикальные стержни / имеют ступенчатое сечение, вписывающееся в круг. На них расположены обмотки 2цилиндрической формы. Части магнитопровода, не имеющие обмоток и служащие для образования замкнутой дети, называют ярмами. В броневом магнитопроводе стержни расположены горизонтально и имеют прямоугольное поперечное сечение. Соответственно этому и обмотки такого магнитопровод а имеют прямоугольную форму. По способу соединения стержней с ярмами различают стыковую и шихтованную конструкции стержневого магнитопровода.
13. Электропроводность полупроводников, основные положения теории электропроводности.
Основные положения теории электропроводности. Атом состоит из ядра, окруженного облаком электронов, которые находятся в движении на некотором расстоянии от ядра в пределах слоев (оболочек), определяемых их энергией. Чем дальше от ядра находится вращающийся электрон, тем выше его энергетический уровень. При переходе электрона с одного разрешенного уровня на другой, более отдаленный, происходит поглощение энергии, а при обратном переходе —ее выделение. Последние слабее связаны с ядром, легче вступают во взаимодействие с другими атомами. Поэтому электроны, расположенные на внешней недостроенной оболочке, называют валентными. Для полупроводников наиболее распространенными являются ковалентные связи. Если атомы находятся в связанном состоянии, то на валентные электроны действуют поля электронов и ядер соседних атомов, в результате чего каждый отдельный разрешенный энергетический уровень атома расщепляется на ряд новых энергетических уровней, энергии которых близки друг к другу. Совокупность уровней, на каждом из которых могут находиться электроны, называют разрешенной зоной(на рис 1,3) Промежутки между разрешенными зонами носят название запрещенных зон(на рис 2) Разрешенная зона характеризуется тем, что все уровни ее при температуре О К заполнены электронами. Запрещенная зона характеризуется тем, что в ее пределах нет энергетических уровней, на которых могли бы находиться электроны. Зона проводимости характеризуется тем, что электроны, находящиеся в ней, обладают энергиями, позволяющими им освобождаться от связи с атомами и передвигаться внутри твердого тела. У полупроводников и диэлектриков зона проводимости при О К пуста и электропроводность отсутствует. Различия между ними чисто количественные в ширине запрещенной зоны. В полупроводниках при некотором значении температуры, отличном от нуля, часть электронов будет иметь энергию, достаточную для перехода в зону проводимости. Эти электроны становятся свободными, а полупроводник -электропроводным.
