- •1. Инициирование дугового разряда.
- •1.1. Электромеханический метод инициирования дуги.
- •1.2. Метод высоковольтного пробоя.
- •1.3. Инициирование дуги с помощью лазерных систем.
- •1.4. Инициирование дуги с помощью электрического взрыва.
- •2. Конструкции инициирующих систем.
- •2.1. Контактные системы инициирования.
- •2.2. Зажигание вакуумно-дугового разряда при помощи плазменного инжектора.
- •3. Электрические схемы систем инициирования дугового разряда.
2.2. Зажигание вакуумно-дугового разряда при помощи плазменного инжектора.
Широкое распространение данного способа обусловлено, прежде всего, тем, что он имеет ряд преимуществ перед контактным способом зажигания дуги. К этим преимуществам относятся:
- отсутствие явления привязки катодного пятна;
- меньшая степень разрушающего воздействия на элементы поджига вакуумно-дугового разряда;
- большая технологичность из-за отсутствия необходимости в регулировке положения и закрепления элементов поджига всякий раз по мере срабатывания катода или при его замене.
Несомненным преимуществом является также возможность изготовления и использования пускового инжектора в виде отдельной, унифицированной «свечи» поджига.
Первая ступень - это пусковой инжектор (здесь он образован элементами 3, 6 и 4), который генерирует плазменный сгусток, инициирующий разряд во второй ступени - между катодом 1 и вспомогательным анодом 4. Представление о процессе зажигания дуги в двухступенчатой системе поджига дает рис. 3, где показаны диаграммы токов в цепях разряда пускового инжектора i1 и вспомогательного анода i2.
3. Электрические схемы систем инициирования дугового разряда.
На рис. 4 представлена типичная электрическая схема возбуждения с использованием накопительного конденсатора.
Данная
система электрического инициирования
характеризуется напряжением, прикладываемым
к разрядному промежутку (до 1000 В и более),
разрядным током (10…50 А) и формой импульса,
учитывающей изменения во времени
,
и его длительностью, которая должна
быть не меньше времени достижения
генерируемыми заряженными частицами
поверхности анода за время развития
катодного пятна.
От источника постоянного питания накопительный конденсатор С1, через зарядную цепочку R1 − VD1, заряжается до напряжения 200…800 В, необходимого для пробоя промежутка поджигающий электрод − катод. Одной, отрицательно заряженной обкладкой, конденсатор С1 подключен к катоду, а другой, положительно заряженной, в момент отпирания тиристора VS, через тиристор и разрядную цепочку L1 − R3 − к поджигающему электроду.
Дроссель L1, в разрядном контуре, ограничивает нарастание тока в момент отпирания тиристора, а сопротивление R3 обеспечивает требуемые токовые характеристики. Схема отпирания тиристора построена на использовании развязывающего импульсного трансформатора, в котором, в момент пропускания импульса, во вторичной обмотке наводится импульс тока, обеспечивающий отпирание тиристора VS.
|
Рис. 4. Электрическая схема инициирования дугового разряда |
Физический
принцип формирования плазменного
образования, при подаче электрического
импульса на поджигающее устройство,
заключается в омическом разогреве
локального участка токопроводящей
пленки и ее испарении. Переходные
процессы в момент инициирования разряда
определяются электрическими параметрами
схемы: напряжением питания Uпит,
емкостью накопительного конденсатора
C,
значением разрядного сопротивления R
и энергией запасенной конденсатором
;
геометрическими размерами инициирующего
электрода: расстоянием от поджигающего
электрода до катода и площадью его
рабочей поверхности S,
а также толщиной металлической
пленки
h.
При работе вакуумно-дугового испарителя в импульсном режиме существенно усложняются условия эксплуатации электродной системы инициирования разряда, которая в этом случае должна выдерживать большое количество стартовых импульсов, при условии воздействия на нее электротермических ударных нагрузок большой интенсивности. Поэтому выбирается высокопрочная алюмооксидная керамика 22 ХС с содержанием 95.1 % оксида алюминия и электрической прочностью 50 МВ/м на частоте 50 Гц. Электрическая схема обеспечивает импульсный режим работы источника плазмы с частотой следования импульсов от 2 до 20 Гц (рис. 5). В качестве активного элемента используется накопительный конденсатор С1. Для гальванической развязки силовой схемы и цепи управления, использованы тиристорные оптопары. Время задержки между импульсами управления зарядной и разрядной части схемы составляет от 0.2 до 2 мс.
Рис. 5. Инициирование разряда с использованием тиристорных оптопар
Список использованной литературы.
1. Аксенов И.И. Вакуумная дуга в эрозионных источниках плазмы / И.И.Аксенов. - Х.: ННЦ ХФТИ, 2005. - 212 с.
2. Кесаев И. Г. Катодные процессы электрической дуги / И.Г. Кесаев. - М.: Наука, 1968. - 244 с.
Сливков И.Н. Процессы при высоком напряжении в вакууме / И.Н. Сливков. - М.: Энергоатомиздат, 1985. - 256 с.
Инициация вакуумной дуги / Вакуумные дуги: пер. с англ. // Дж. Кобайн, Г. Эккер, Дж. Фарелл и др.; под ред. Дж. Лафферти. - М.: Мир, 1982. - С. 108 - 152.
А.с. 550943 СССР, МКИ Н01 J 37/00. Способ зажигания вакуумной дуги / И.И. Аксенов, В.А. Белоус, В.Г. Падалка, А.А. Романов (СССР). - Заявл. 18.08.75. - Опубл. 1978. - Бюл. ОИПОТЗ № 31.
Аксенов И.И. Зажигание вакуумной дуги в стационарных источниках металлической плазмы от автономного плазменного инжектора / И.И. Аксенов, В.А. Белоус // ПТЭ. - 1979. - №3. - С. 160 -162.
7. Сысоев Ю.А. Высокоресурсные пусковые инжекторы для источников плазмы электротехнологических установок / Ю.А. Сысоев // Новые электротехнологические процессы в машиностроении : тез. докл. Всесоюз. семин. - Кишинев: Кишинев. политехн. ин-т, 1990. - С. 99 -
100.
8. А.с. 1125941 СССР, МКИ С04 В35/00. Электропроводящий композиционный материал / В.Г. Сердюк, С.А. Смирнов, В.А. Белоус, В.Ф. Полохов (СССР). - Заявл. 13.07.83. - Опубл. 1987. - Бюл. ОИПОТЗ.
№24.
9. Костюк Г.И. Исследование ресурсных характеристик пусковых инжекторов систем инициирования плазменных устройств / Г.И. Костюк, Ю.А. Сысоев // Новые технологии и робототехнические комплексы в производстве авиационной техники: сб. науч. тр. Нац. аэрокосм. ун-та им. Н.Е. Жуковского «ХАИ». - Х., 1989. - С 27 - 36.
10. А.с. 1598836 СССР, МКИ Н 05 В 7/18. Вакуумно-дуговая плазменная установка / Ю.А. Сысоев, Г.И. Костюк, А.В. Козаченко
(СССР). - 24.05.88.
11. А. с. 1558284 СССР, МКИ Н 05 В 7/22. Вакуумно-дуговое
плазменное устройство / Ю.А. Сысоев, Г.И. Костюк, И.И. Аксенов (СССР). - 19.04.88.
12. А.с. 1552917 СССР, МКИ Н 01 J 17/12. Способ управления поджигающим устройством вакуумного дугового разряда / Ю.А. Сысоев, Ф.Л. Ерихов, В.Г. Сердюк, В.И. Шелохаев (СССР). - 23.06.87.
13. А.с. 1792206 СССР, МКИ Н 01 Т 1/20. Способ инициирования
вакуумно-дугового разряда в источниках плазмы и управляемых разрядниках / Ю.А. Сысоев. (СССР). - 11.11.90.
Сысоев Ю.А. Вероятность процесса зажигания разряда в вакуумно-дуговом плазменном устройстве / Ю.А. Сысоев, М.В. Гончаренко // Новые технологии и робототехнические комплексы в производстве авиационной техники: сб. науч. тр. Нац. аэрокосм. ун-та им. Н.Е. Жуковского «ХАИ». - Х., 1989. - С 41 - 49.
Костюк Г.И. Методика обработки ЭОП-грамм и осциллограмм импульсного разряда в плазменном инжекторе / Г.И. Костюк, Ю.А. Сысоев // YII Всесоюз. конф. по плазменным ускорителям и ионным инжекторам : тез. докл. YII Всесоюзн. конф. 26-28 сентября 1989 г., Х.: ЦНИИатоминформ, 1989. - С. 231 - 232.
А.с. 1517745 СССР, МКИ Н 05 Н 1/26. Способ зажигания дуги в вакуумной установке / Ю.А. Сысоев, Г.И. Костюк (СССР). - 28.10.87.
