38. Реализация и-не или-не на кмоп элементах.
Большое распространение получили в последнее время ИМС на основе полевых транзисторов структуры МОП. Принципиальные особенности их позволяют создавать элементы и новые узлы цифровых устройств с малым потреблением P при высокой помехоустойчивости и нагрузочной способности. Сравнительно с биполярными они имеют меньшие размеры, что позволяет разместить на единице площади кристалла большее число элементов при более простой технологии. Действие их основано на управлении рабочим током при помощи электрического поля, создаваемого входным напряжением, поэтому для полевых транзисторов характерно высокое входное сопротивление. Чтобы открыть оба нижних транзистора надо, чтобы на входе A и входе B была логическая единица, при этом оба верхних транзистора закроются и на выходе Q будет логический ноль. Если хотя бы на одном или на обоих входах будет логический ноль, то хотя бы один из нижних транзисторов закроется, один из верхних откроется, при этом на выходе будет логическая единица.
Схема КМОП ЛЭ И–НЕ и его таблица истинности: Схема
К
МОП
ЛЭ ИЛИ–НЕ и его таблица истинности:
Если на входах A или B (или на обоих) логическая единица, то откроется один или оба из нижних транзисторов, при этом закроется один или оба верхних транзистора, тогда на выходе логический ноль. Если на обоих входах логический ноль, то закроются оба нижних и откроются оба верхних транзистора, при этом на выходе логическая единица.
