- •Підготовка до роботи
- •Порядок виконання роботи
- •Підготовка до роботи:
- •Дослідження біполярного транзистора в схемі зі спільною базою
- •Підготовка до роботи
- •Порядок виконання роботи
- •Дослідження біполярного транзистора в схемі зі спільним емітером
- •Підготовка до роботи
- •Порядок виконання роботи
- •Дослідження польового транзистора з управляючим р-n-переходом
- •Підготовка до роботи
- •Порядок виконання роботи:
- •Лабораторна робота №6 Дослідження тиристора у диністорному та триністорному режимах
- •Підготовка до роботи.
- •Порядок виконання роботи.
- •І. Диністорний режим
- •Іі. Триністорний режим
- •1 Спосіб.
- •2 Спосіб.
- •Дослідження діодного оптрона
- •Підготовка до роботи
- •Порядок виконання роботи
Підготовка до роботи:
Досліджувати теоретичний матеріал про різновиди напівпровідникових діодів I стор. 105-115, II стор. 71-93.
Накреслити в зошитах схеми рис.2.1, 2.2, 2.3 для проведення досліджень.
Питання до письмового колоквіуму перед лабораторною роботою.
Порівняльна характеристика ВАХ германієвого і кремнієвого діодів.
Універсальні ( високочастотні) діоди. Особливості технології виготовлення.
Напівпровідникові стабілітрони. Їхні параметри і характеристики.
Схема і принцип дії стабілізатора на н/п стабілітроні.
Тунельний і обернений діоди, їх ВАХ і сфера використання.
Імпульсні діоди і перехідні процеси в них. Способи підвищення швидкодії діодів.
Варікапи. Способи підвищення добротності варикапів.
Фізичні процеси в невипрямних і випрямних контактах «метал-напівпровідник».
Порядок виконання роботи:
Зібрати схему (рис. 2.1) для дослідження напівпровідникового стабілітрона з відомим маркіруванням.
Зняти зворотну гілку ВАХ згідно методики визначення характеристики діодів. Результати дослідження записати в таблицю.
Таблиця 2.1.
|
0 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
… |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис
2.1
Отриману напругу стабілізації порівняти з довідником. При наближенні до ділянки стабілізації крок вимірів варто істотно зменшити для більш точного відображення ВАХ приладу. Зворотна напруга підвищується до значення, при якому струм через прилад не повинен перевищувати ICT.max (за довідником).
Виконати аналогічні виміри і заповнити таблицю 2.2 для невідомого стабілітрона ICT.max ≤150 mA
Таблиця 2.2
|
0 |
5 |
10 |
… |
|
|
|
|
|
|
|
2.3 Відповідно до результатів
п.п. 2-3 накреслити ВАХ досліджуваних
стабілітронів, використовуючи які,
визначити параметри стабілітронів:
(ширину
ділянки стабілізації), диференціальний
опір
у точці
.Для визначення задатися приростом
2.4 Зібрати схему параметричного стабілізатора постійної напруги на стабілітроні невідомого маркірування (рис. 2.2).
Для виміру вхідної напруги стабілізатора варто використовувати вольтметр V2, якого необхідно підключити до вихідних гнізд 10 правого блоку живлення. Для виміру вихідної напруги стабілізатора необхідно використовувати цифровий вольтметр, якого необхідно підключити до стабілітрона, де звичайно підключається вольтметр V2
2.5 Підбираючи напругу
правого блоку живлення U2
і значення обмежуючого опору R2
установити на вході стабілітрона напругу
UCT,
що було визначено в п. 2. Збільшуючи, а
потім зменшуючи щодо цього значення
вхідну напругу, зняти стабілізаційну
характеристику пристрою
,
заповнивши таблицю 2.3.
Рис2.2
Таблиця 2.3
|
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
… |
30 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2.6 Накреслити отриману стабілізаційну характеристику і розрахувати коефіцієнт стабілізації за зразком на рис. 2.3
2.7 Зібрати навісним монтажем схему, використовуючи стабілітрон Д815A, одержати і замалювати осцилограми на дільницях АВ, ВС, АС, визначити UCT.
АС – вхідна напруга, ВС – напруга на діоді, АС – напруга на стабілітроні.
Змінна напруга 10 В подається від стенда (відповідні гнізда позначені на лицьовій панелі). Баластовий резистор можна одержати у викладача, або скористатись магазином опорів стенда R1чи R2
Загальний вид осцилограм
Звіт:
Схеми.
Таблиці.
Графіки.
Осцилограми.
Розрахунок
і
.Висновки.
ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №3
