- •Определения и классификация
- •Основные параметры полупроводников
- •Собственные и примесные полупроводники, типы носителей заряда
- •Зависимость подвижности носителей заряда от температуры
- •§5. Температурная зависимость подвижности при смешанном механизме рассеяния носителей заряда.
- •Зависимость концентрации носителей заряда от температуры
- •Зависимость удельной проводимости от температуры
- •Время жизни носителей и диффузионная длина
- •Основные эффекты в полупроводниках и их применение
- •Простые полупроводники
- •Бинарные соединения
- •Магнитные свойства вещества
- •Основная кривая намагничивания
- •Классификация веществ по магнитным свойствам
- •Доменная структура
- •Намагничивание магнитных материалов. Кривая намагничивания
- •Магнитный гистерезис
- •Структура ферромагнетиков
- •Магнитострикционная деформация
- •Магнитная проницаемость
- •Электрические свойства магнитных материалов
- •Классификация магнитных материалов
- •Магнитотвердые материалы. Основные параметры
- •Магнитомягкие материалы
- •Магнитотвердые материалы
- •Процессы перемагничивания и методы записи информации на магнитных пленках
- •Проводниковые материалы
- •Природа проводимости и основные характеристики проводников
- •Теплопроводность металла
- •Термоэлектродвижущая сила
- •Зависимость удельного эл. Сопротивления металлов от температуры
- •Электрические характеристики сплавов
- •Классификация проводниковых материалов
- •Материалы высокой проводимости
- •Сплавы высокого сопротивления для резисторов измерительных приборов
- •Контактные материалы
- •Сверхпроводники
- •Высокотемпературные сверхпроводники
- •Перспективы применения сверхпроводников
- •Криопроводники
- •Диэлектрики
- •Поляризация диэлектриков. Определения, классификация.
- •Зависимость диэлектрической проницаемости от температуры, давления, влажности, напряжения
- •Диэлектрическая проницаемость смесей Электропроводность диэлектриков
- •5.2. Диэлектрическая проницаемость веществ
- •5.3. Электропроводность диэлектриков.
- •Электрическая прочность диэлектриков
Магнитострикционная деформация
Это обратимое изменение формы и размеров образца при переходе ферромагнетика через точку Кюри при отсутствии внешнего поля (самопроизвольная магнитострикция) и при воздействии внешнего поля на ферромагнетик при Т<Тк.
Сумму энергий кристаллографической магнитной анизотропии и магнитоупругой в результате магнитострикции называют энергией магнитной анизотропии.
Магнитная проницаемость
В технике используется несколько десятков видов магнитной проницаемости в зависимости от конкретных применений магнитного материала. Абсолютнаяпроницаемость a=B/H,относительная проницаемость =(1/ o) . (B/H). Зависимость =F(H) показана на рисунке. Начальная и максимальная проницаемости являются частными случаями нормальной проницаемости (слово "нормальная"принято опускать)
нач=
;
макс=
.При одновременном воздействии на магнитный материал постоянного Нo и переменного Н~ магнитных полей и, обычно, при условии Н~<<Нo вводят понятиедифференциальной проницаемости диф
диф=
Зависимость. =F(T). Характер этой зависимости различен в слабых, средних и сильных полях. Для нач при T несколько ниже TK наблюдается четко выраженный максимум, сглаживающийся при увеличении напряженности поля (см. рисунок).
Возрастание нач объясняют тем, что при нагревании облегчается смещение доменных границ и поворот векторов намагниченности доменов, главным образом из-за уменьшения констант магнитострикции и магнитной анизотропии. Уменьшение нач при высоких температурах связывается с резким уменьшением спонтанной намагниченности доменов.
Потери в магнитных материалах
В переменных полях площадь петли гистерезиса увеличивается за счет потерь на гистерезис Рг, потерь на вихревые токи Рв и дополнительных потерь Рд. Такая петля называется динамической, а суммарные потери полными или суммарными. Потери на гистерезис, отнесенные к единице объема материала (удельные потери)
Pг=
,
Дж/м3.
При перемагничивании с частотой f (Гц)
Pг=
,
Вт/кг, где
-
плотность материала, кг/м3.
Потери
на вихревые токи для
листового образца Рв=
, где
Bmax - амплитуда магнитной индукции, Тл;
f - частота переменного тока, Гц;
d - толщина листа, м;
плотность, кг/м3;
удельное
электросопротивление, Ом . м.Дополнительные потери или потери на магнитную вязкость (магнитное последействие) обычно находят как разность между полными потерями и суммой потерь на гистерезис и вихревые токи
Рд=Р-(Рг+Рв).
Магнитная вязкость Jn=Jn(t) зависит от времени действия магнитного поля. J при включении магнитного поля H быстро достигает значения J1, а затем со временем возрастает в соответствии сформулой
Jn(t)=Jno(1-exp(-t/ ),
где Jno - намагниченность при t
;
-
время релаксации. На рисункепоказана
зависимость напряженности магнитного
поля и намагниченностиот времени
действия магнитного поля. В магнитотвердых
магнитныхматериалах время
магнитной
релаксации может достигать нескольких
минут. Такое явление называют сверхвязкостью.
Тангенс угла магнитных потерь используют в переменных полях. Его можно выразить через параметры эквивалентной схемы, показанной на рисунке. Индуктивную катушку с сердечником из магнитного материала представляют в виде последовательной схемы из индуктивности L и активного сопротивления R. Пренебрегая собственной емкостью и сопротивлением обмотки катушки, получаем
tgбм=r/(wL).
Активная мощность Ра:
Ра=J2 . wL . tgбм.
Величина, обратная tgбм называется добротностью сердечника.
