2. Биполярные транзисторы bjt

   1. Нахождение параметров модели б и п о л я р н о г о т р а н з и с т о р а

      Напряжение на переходе база-эмиттер в режиме насыщения
      Входные данные		Таблица значений Vbe, Ic (Зависимость напряжения база-эмиттер от тока коллектора в режиме насыщения)
      Оцениваемые параметры		IS, NF, RE
      Уравнения
      Комментарии		Рассчитывается зависимость напряжения насыщения Vbe от тока коллектора Ic. Параметры EG, XTI назначаются по умолчанию
      Выходная проводимость
      Входные данные		Таблица зависимости выходной проводимости Ное от тока коллектора Ic
      Условия		Напряжение смещения Vce
      Оцениваемые параметры		VAF (Прямое напряжение Эрли)
      Уравнения
      Статический коэффициент передачи по току
      Входные данные		Таблица зависимости статического коэффициента усиления тока в схеме ОЭ Beta от тока коллектора Ic (при малых токах рекомбинации и больших токах высокогоуровня инжекции в областях падения Beta)
      Условия		Напряжение смещения Vce
      Оцениваемые параметры		NE, ISE, BF, IKF
      Уравнения		Уравнения модели Гуммеля-Пуна, описывающие зависимость Beta = f(Ic)
      Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
      Входные данные		Таблица зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер Vce от тока коллектора Ic при низких и высоких уровнях инжекции (в областях уменьшения Revers Beta)
      Условия		Отношение
      Оцениваемые параметры		NC, ISC, BR, IKR, RC
      Уравнения
      Барьерная емкость перехода коллектор-база
      Входные данные		Таблица значений Cob, Vcb (Зависимость барьерной емкости от обратного напряжения на коллекторном переходе)
      Оцениваемые параметры		CJC, MJC, VJC, FC
      Уравнения
      Комментарии			Напряжение обратного смещения Vcb считается положительным
      Барьерная емкость перехода эмиттер-база
      Входные данные	Таблица значений Cib, Veb (Зависимость барьерной емкости эмиттерного перехода от обратного напряжения на нем)
      Оцениваемые параметры	CJE, MJE, VJE
      Уравнения
      Комментарии	Напряжение обратного смещения Veb считается положительным
      Время рассасывания заряда
      Входные данные	Таблица зависимости времени рассасывания Ts от тока коллектора Ic
      Условия	Отношение токов
      Оцениваемые параметры	TR
      Уравнения	, , , ,
      Комментарии	Среднее время пролета TR оценивается на основе зависимости времени рассасывания Ts от тока коллектора Ic
      Площадь усиления
      Входные данные	Зависимость граничной частоты коэффициента передачи тока Ft в схеме с ОЭ от тока коллектора Ic
      Условия	Напряжение Vce
      Оцениваемые параметры	TF, ITF, XTF, VTF
      Уравнения	, , , , , .

   2. Модель биполярного транзистора (Bipolar Transistor) — bjt

n-p-n p-n-p

Таблица 6.2. Параметры модели биполярного транзистора

Имя параметра	Параметр	Значение по умолчанию	Единица измерения
IS	Ток насыщения при температуре 27°С	1E-16	А
BF	Максимальный коэффициент усиления тока в нормальном режиме в схеме с ОЭ (без учета токов утечки)	100
BR	Максимальный коэффициент усиления тока в инверсном режиме в схеме с ОЭ	1
NF	Коэффициент эмиссии (неидеальности) для нормального режима	1
NR	Коэффициент эмиссии (неидеальности) для инверсного режима	1
ISE*	Ток насыщения утечки перехода база-эмиттер	0	А
ISC*	Ток насыщения утечки перехода база-коллектор	0	А
ISS	Ток насыщения p-n перехода подложки	0	А
NS	Коэффициент эмиссии тока p-n-перехода подложки
IKF*	Ток начала спада зависимости BF oт тока коллектора в нормальном режиме		А
IKR*	Ток начала спада зависимости BR от тока эмиттера в инверсном режиме		А
NE*	Коэффициент эмиссии тока утечки эмиттерного перехода	1,5
NC*	Коэффициент эмиссии тока утечки коллекторного перехода	2
NK	Коэффициент перегиба при больших токах	0.5
VAF	Напряжение Эрли в нормальном режиме		В
VAR*	Напряжение Эрли в инверсном режиме		В
RC	Объемное сопротивление коллектора	0	Ом
RE	Объемное сопротивление эмиттера	0	Ом
RB	Объемное сопротивление базы (максимальное) при нулевом смещении перехода база-эмиттер	0	Ом
RBM*	Минимальное сопротивление базы при больших токах	RB	Ом
IRB*	Ток базы, при котором сопротивление базы уменьшается на 50% полного перепада между RB и RBM		А
TF	Время переноса заряда через базу в нормальном режиме	0	с
TR	Время переноса заряда через базу в инверсном режиме	0	с
XTF	Коэффициент, определяющий зависимость TF от смещения база-коллектор	0
VTF	Напряжение, характеризующее зависимость TF от смещения база-коллектор		В
ITF	Ток, характеризующий зависимость ТF от тока коллектора при больших токах	0	А
PTF	Дополнительный фазовый сдвиг на граничной частоте транзистора	0	град.
CJE	Емкость эмитгерного перехода при нулевом смещении	0	пФ
VJE (РЕ)	Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер	0,75	В
MJE (ME)	Коэффициент, учитывающий плавность эмиттерного перехода	0,33
CJC	Емкость коллекторного перехода при нулевом смещении	0	Ф
VJC (PC)	Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор	0,75	В
MJC(MC)	Коэффициент, учитывающий плавность коллекторного перехода	0,33
CJS (CCS)	Емкость перехода коллектор-подложка при нулевом смещении	0	Ф
VJS (PS)	Контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка	0,75	В
MJS (MS)	Коэффициент, учитывающий плавность перехода коллектор-подложка	0
XCJC	Коэффициент расщепления барьерной емкости база-коллектор по отношению к внутренней базе	1	~
FC	Коэффициент нелинейности барьерных емкостей прямосмещенных переходов	0,5
EG	Ширина запрещенной зоны	1,11	эВ
XTB	Температурный коэффициент BF и ВR	0	—
XTI(PT)	Температурный экспоненциальный коэффициент для тока IS	3	—
TRE1	Линейный температурный коэффициент RE	0	C-1
TRE2	Квадратичный температурный коэффициент RЕ	0	C-2
TRB1	Линейный температурный коэффициент RВ	0	C-1
TRB2	Квадратичный температурный коэффициент RB	0	C-2
TRM1	Линейный температурный коэффициент RВМ	0	C-1
TRM2	Квадратичный температурный коэффициент RВМ	0	C-2
TRC1	Линейный температурный коэффициент RС	0	C-1
TRC2	Квадратичный температурный коэффициент RС	0	C-2
KF	Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума	0
AF	Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока через переход	1
T_MEASURED	Температура измерений	—	°С
T_ABS	Абсолютная температура	—	°С
T_REL_GLOBAL	Относительная температура	—	°C
T_REL_LOCAL	Разность между температурой транзистора и модели-прототипа		°C
* Для модели Гуммеля-Пуна.