45.Типовые схемы токовых зеркал: простейшая схема, схема с буферным транзистором, схема со следящим напряжением питания.

Р

а) простейшая схема ТЗ; б) схема ТЗ с буферным транзистором; в) схема ТЗ со следящим напряжением питания VT2. а) В простейшей схеме базы присоединены к . Точка 1- вход ТЗ; 2- выход ТЗ.

Для увеличения КОСС необходимо (недостаток схемы – различие и на величину ) б) Для уменьшения недостатка схемы а), т.е. приближают , включают в качестве буферного. Он уменьшает разность токов ветвей в раз

Это достигается при равенстве всех транзисторов. Однако ток через транзистор VT3 меньше, чем через транзисторы VT1, VT2 во много раз. Для увеличения тока VT3 включают токоотводящий резистор.

Недостатком схем а), б) является низкое ТЗ зависит от , которое в случае высокоомной нагрузке м.б. значительным. Это приводит к разбалансу плеч, т.е. уменьшению . Для уменьшения разбаланса применяют схему со следящим напряжением питания транзистора VT2. Здесь эмиттер транзистора VT3 повторяет транзистора VT1, благодаря чему транзистора VT1 и транзистора VT2 почти одинаковы и не зависят от . практически такой же, что и в предыдущем случае. Однако здесь схема не разбалансируется под действием выходного напряжения, т.е. работоспособна при более высокоомной нагрузке.

46.Дифференциальный каскад с симметричным входом и нелинейной нагрузкой: назначение элементов схемы, достоинства, применение.

Транзисторы VT1 и VT2 включены как (ОК). Это повышает . Транзисторы VT3, VT4, включены по схеме ОБ, . Благодаря структуре перегрузка по входу не вызывает скачка фазы на 180.Суммарный ток коллекторов транзисторов VT1, VT2 задаётся генератором тока (ГСТ) с помощью ТЗ: VT8, VT9, а в качестве третьего транзистора - цепь VT1 - VT4. , улучшает подавление синфазные помехи. Для синфазных токов здесь действует глубокая ООС (увеличение токов VT1, VT2 увеличение токов VT8, VT9, что приводит к уменьшению токов баз VT3, VT4, т.к. ток не меняется, следовательно, коллекторных токов VT1 - VT4).Недостатками этой схемы является: сравнительно малый коэффициент усиления (ООС); высокие потенциалы коллекторов VT1, VT2 при отсутствии сигналов на входе.

47.Каскады на транзисторах типа супер-бэта: назначение элементов схемы, достоинства, недостатки, применение.

Т ранзистором типа супер-бэта, применяют во входных ДК для уменьшения входных токов и повышения дифференциального входного сопротивления. Транзисторы VT1, VT2 – имеют сверхвысокие и включены как ДК с эмиттерной связью и ГСТ в цепи эмиттеров, . являются включённые с ОБ VT3, VT4. Неизменность потенциалов их баз обеспечивается благодаря противофазности переменных составляющих их базовых токов. От ГСТ питается ГМСН, выполненный на транзисторах VT5 и VT6. Он задаёт между точками а и б U=1,4В. Оно близко к сумме ( ). Благодаря этому транзисторы VT1 и VT2 работают при . Это не только предотвращает их пробой, но и снижает до 0. Низкоомные нагрузки транзисторов VT1, VT2, близкие к , снижают до , что снижает входную ёмкость. Усиление по напряжению U обеспечивают транзисторы VT3, VT4. Ёмкость их коллекторных переходов не подключена к базе входов транзисторов VT1, VT2, поэтому не создаёт паразитной ОС. Для защиты транзисторов VT1, VT2 от пробоя U_{вх.дифф.} между их базами включается встречно-параллельно БЭ двух дополнительных транзисторов.

48.Интегральные каскады УНЧ: типовые схемы, назначение элементов, достоинства и недостатки. УНЧ на интегральных микросхемах - это апериодические усилители, охваченные общей или местной ОС.

П ервый каскад (на транзисторе VT1) собран по схеме с ОЭ, второй каскад (VT2):ОЭ, если выходной сигнал снимается с выводов 8,9 ОК – выходной сигнал снимается с 11 вывода. Выводы 3,5,10,11 служат для подключения внешних конденсаторов. Конденсатор к выводу 10 с R3 образуют фильтр в коллекторной цепи транзистора VT1 для уменьшения опасности возбуждения усилителя. При подключения конденсатора к выводам 3,5,11 ООС отсутствуют по переменному сигналу остаются местные ООС по току (R2, R7). R4, R5 обеспечивают смещение на эмиттерном переходе транзистора VT1 и одновременно образуют общую ООС усилителя. Резистор R5 является нагрузкой в цепи истока ПТVT1 и частью коллекторной нагрузки БТVT2; R6 служит для защиты VT2 при коротком замыкании на выходе. Имеет малое R_вых и других устройств, требующих большого R_вх и малого R_вых и стабильного К.