1.1 Полупроводниковые приборы.

Рассмотрим процессы в n-p-переходе при отсутствии внешнего источника напряжения (см.рисунок 1.1). Так как носители заряда совершают беспорядочное тепловое движение, то происходит их диффузия из одного полупроводника в другой. Концентрация электронов в n-слое больше, чем в p-слое, и часть электронов перейдет из n-слоя в p-слой. Одновременно наблюдается диффузионный переход дырок из p-слоя в n-слой. В результате рекомбинации носителей в n-слое остается нескомпенсированный объемный заряд положительных ионов (в основном донорной примеси), а в p-слое - нескомпенсированный объемный заряд отрицательных ионов акцепторной примеси. Между образовавшимися объемными зарядами возникает контактная разность потенциалов и электрическое поле напряженностью . На потенциальной диаграмме n-p-перехода (см.рисунок 1.1б) за нулевой потенциал принят потенциал граничного слоя. В n-p-переходе возникает потенциальный барьер, препятствующий диффузионному перемещению носителей заряда. Высота барьера равна контактной разности потенциалов и обычно составляет десятые доли вольта. На рисунке 1.1, б изображен барьер для электронов, стремящихся за счет диффузии перемещаться из области n в область p.

Таким образом, в n-p-переходе вследствие ухода электронов и дырок вглубь p- и n-областей образуется обедненный зарядами слой, называемый запирающим и обладающий большим сопротивлением в сравнении с сопротивлением остальных объемов n- и p-областей.

Если источник внешнего напряжения положительным полюсом подключить к полупроводнику p-типа и отрицательным к n-типа (прямое включение), то электрическое поле, создаваемое в n-p-переходе прямым напряжением , действует навстречу контактной разности потенциалов .

Потенциальный барьер понижается до величины Uк-Uпр, уменьшаются толщина запирающего слоя и его сопротивление Rпр.

Если полярность внешнего источника изменить на обратную, то потенциальный барьер возрастает до величины Uк+Uобр. В этом случае через переход могут пройти только неосновные носители: электроны из p-области в n-область и дырки во встречном направлении. Так как концентрация основных носителей заряда на насколько порядков выше концентрации неосновных, то прямые токи на несколько порядков больше обратных. Таким образом, электронно-дырочный переход обладает выпрямляющими свойствами, которые используются для создания диодов.

1.2 Контакты металл-полупроводник

Они используются в полупроводниковой электронике либо в ка­честве омических (невыпрямляющих) контактов с областями полупроводниковых приборов, либо в качестве выпрямляющих контак­тов. Структура и свойства таких контактов зависят от взаимного расположения уровня Ферми в металле и полупроводнике.

Рисунок 1.2

Потенциальный барьер в приконтактном слое, равный разности работ выхода металла и полупроводника (_к = _М – _n на рисунке 1.2), называют барьером Шоттки, а диоды, использующие эти барьеры, – диодами Шоттки или диодами с барьером Шоттки (ДБШ).

Важной особенностью барьеров Шоттки по сравнению с р-n-переходом является отсутствие инжекции неосновных носителей. Эти переходы «работают» на основных носителях, поэтому у них отсут­ствует диффузионная емкость, связанная с накоплением и рассасы­ванием основных носителей, и выше быстродействие.

Особенностью переходов с барьером Шоттки является то, что их ВАХ ближе всего к экспоненциальной ВАХ идеализированного р-n-перехода, а прямое напряжение значительно меньше (примерно на 0,2 В), чем в р-n-переходах.