Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
KBZ_TZI_lab6.doc
Скачиваний:
3
Добавлен:
01.04.2025
Размер:
1 Мб
Скачать
☆

5.4. Отримання стік-затворних та вихідних вольт-амперних характеристик польового транзистора з ізольованим затвором

Синтезуємо схему, подану на рис.5,б. Вибираємо джерела живлення V1 i V2, необхідні для реалізації схеми, типу Battery і задаємо потрібні значення напруги (5 В і 20 В відповідно).

Для побудови ВАХ вибираємо в основному меню Аналіз/Передаточные характ. по постоянному току і встановлюємо опції і параметри.

Для побудови стік-затворної характеристики транзистора IС=f(UЗВ), якщо UСВ =const, необхідно встановити параметри, вказані на рис.9,а. Для отримання сім’ї вихідних характеристик IС=f(UСВ), якщо UЗВ=const, необхідно встановити параметри, вказані на рис.9,б.

а)

б)

Рис.9. Вікна Анализ/передаточные характ. по постоянному току для побудови стік-затворних (а) та вихідних (б) ВАХ польового транзистора з ізольваним затвором

5.5. Визначення параметрів польових транзисторів

Для визначення вихідного диференціального опору на одній із вихідних характеристик (рис.9) будують характеристичний трикутник АВС, з якого знаходять

(3)

На стік-затворній характеристиці визначають значення напруги відсікання Uвідс для польового транзистора з керувальним р-п- переходом (рис.10) або порогової напруги Uпор для п-МОН-транзистора з індукованим каналом.

Рис.9. Сім’я стокових характеристик польового транзистора

Для визначення крутості характеристики на стік-затворній характеристиці будують характеристичний трикутник АВС, з якого знаходять

(мА/В). (4)

Рис.10. Стік-затворна характеристика польового транзистора

6. Вимоги до оформлення звіту

Звіт повинен містити:

1. Назву та мету роботи.

2. Постановку задачі дослідження.

3. Умовні графічні позначення польових транзисторів з керувальним р-п- переходом та каналом р- і п-типів; та МОН-транзисторів з індукованим та вбудованим каналами р- і п-типів.

4. Створені електричні схеми для дослідження ВАХ польового транзистора з керувальним р-п- переходом та п-МОН-транзистора з індукованим каналом.

5. Стік-затворні та вихідні ВАХ польового транзистора з керувальним р-п- переходом.

6. Стік-затворні та вихідні ВАХ п-МОН-транзистора з індукованим каналом.

7. Розрахунок параметрів польових транзисторів.

8. Висновки про особливості ВАХ польових транзисторів.

Контрольні запитання та завдання

  1. Розкажіть про будову та принцип дії польового транзистора з керувальним p-n-переходом.

  2. Намалюйте схему увімкнення польового транзистора з врахуванням полярності джерел живлення в колі затвору і стоку.

  3. Яке умовне позначення польових транзисторів з керувальним p-n-переходом; з ізольованим затвором?

  4. Чим пояснити високий вхідний опір польового транзистора порівняно з біполярними транзисторами?

  5. Які носії зарядів (основні чи неосновні) беруть участь в утворенні струму стоку?

  6. Зобразіть сім’ю вихідних характеристик польового транзистора та поясніть вплив напруги стоку та затвору на струм стоку.

  7. Вкажіть на стоковій характеристиці її робочу область.

  8. Намалюйте стік-затворну характеристику польового транзистора і поясніть принцип керування струмом стоку.

  9. Назвіть основні параметри польового транзистора і способи їх визначення за статичними характеристики.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]