4. Контрольные вопросы

1. Перечислите основные режимы работы транзисторов .

2. Какие факторы определяют усилительные свойства транзистора?

3. Какими отличительными особенностями характеризуются три схемы включения транзистора ?

4. Какие существуют семейства статических характеристик транзистора?

5. Перечислите h - параметры транзистора, объясните их физический смысл и способ их экспериментального определения.

6. Почему процесс усиления по току осуществляется в схеме включения транзистора с общей базой

7. Как влияет величина напряжения на участке коллектор - эмиттер на положение входной статической характеристики транзистора ?

8. Чем объяснить увеличение входного сопротивления транзистора по схеме с общей базой?

9. Как результаты работы подтверждают основное свойство биполярного транзистора?

6. Содержание отчета:

1. название и цель работы;

2. оборудование и перечень приборов схема;

3. таблицы с результатами измерений и графики:

• IБ = f (UБЭ) по таблице 3.2;

• Iк = f (IБ); Iк = f (UБЭ) по таблице3.3;

• Iк = f (Uк-э) по таблице 3.4.

4. входное сопротивление транзистора (h11Э) находят из входных характеристик (h11э=UБЭ/IБ);

5. по выходным характеристикам транзистора определяют значение выходной проводимости (h22э= Iк /UКЭ);

6. по выходным характеристикам транзистора определяют значение коэффициента передачи тока (h21э=Iк /IБ);

7. ответ на вопрос: «Как результаты работы подтверждают основное свойство биполярного транзистора?».

3. Лабораторная работа №4. Исследование полевых транзисторов

Цель работы: изучение характерных свойств полевых транзисторов и ознакомление с методикой измерения их основных характеристик и параметров

Оборудование: лабораторный стенд, соединительные провода, микроамперметр с пределом измерения не менее 2мА.

4.1Теоретическое введение

Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на полевом эффекте – изменение электропроводимости поверхностного слоя под действием электрического поля, направленного перпендикулярно поверхности.

Основой приборов, работающих на полевом эффекте (полевых транзисторов, например) является структура МДП (металл, диэлектрик, полупроводник).

Устройство полевого транзистора на основе мдп-структуры показано на рисунке 4.1

Рисунок 4.1- Структура полевого МДП-транзистора с встроенным каналом

От биполярного транзистора полевой транзистор отличается:

1. принципом действия: в биполярном транзисторе управление производится входным током, а в полевом транзисторе - входным напряжением или электрическим полем;

2. полевой транзистор (это очень важно!) обладает большим входным сопротивлением - это сопротивление обратно смещенного p-n перехода или изолированного затвора;

3. в полевом транзисторе не используется инжекция неосновных носителей заряда - отсюда уменьшение рекомбинационных явлений и низкий уровень шумов (особенно на низких частотах).

МДП-транзисторы подразделяются на:

• полевой транзистор с изолированным затвором, работающий на основе появления индуцированного проводящего канала только при определенной полярности и определенном значении напряжения на затворе относительно истока;

• полевой транзистор с изолированным затвором и со встроенным каналом, изготовляемым технологически.

Существуют также полевые транзисторы с управляющим p-n переходом. Сущность которого состоит в изменении площади сечения канала в соответствии с изменением напряжения между затвором и истоком Uзu. Легко увидеть, что принципы работы полевых транзисторов с изолированным затвором и управляющим p-n переходом в основном совпадают:

1. цепь управления изолирована от выходной цепи и потребляет ничтожную мощность управления;

2. эффект управления сводится к изменению сопротивления проводящего канала;

3. управляющее электрическое поле направлено перпендикулярно выходному току (структура с горизонтальным каналом).

Однако отметим принципиальную разницу: полевой транзистор с управляющим p-n переходом (ПТУП) - это нормально открытый прибор, а МДП-транзистор с изолированным затвором - нормально закрытый.

Отсюда:

• меньше входное сопротивление и меньшее быстродействие у ПТУП по сравнению с сопротивлением у МДП.

Есть у ПТУП и преимущества:

• малый уровень собственных шумов;

• высокая стабильность параметров во времени;

• высокая радиационная стойкость.