Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
МП ЛР ФОМЭ.doc
Скачиваний:
5
Добавлен:
01.04.2025
Размер:
6 Мб
Скачать
☆

Порядок выполнения работы

1. Получить задание для выполнения лабораторной работы у преподавателя.

2. Последовательность выполнения технологических операций осуществлять согласно таблице 4.1.

3. Подготовить отчет о работе.

Таблица 4.1 – Типовой технологический процесс изготовления плат на подложках из поликора без резисторов с покрытием химическим оловом

№

опе-ра-

ции

№

пе-ре-

хода

Наименование

и содержание

операции

и перехода

Средства

технологи-ческого

оснащения

Материал

Режим

Наиме-

нование

Концен-

трация

или

содер-

жание

Темпе-ратура, ºС

Время,

мин

Дополнительные указания

1

2

3

4

5

6

7

8

9

1

Защита экранной поверхности подложки

Кисть колонковая №5

Лак НЦ-218

-

-

-

Сушку лака проводить на воздухе до полного высыхания

2

Нанесение фоторезиста

Установка

нанесения

фоторезиста

Фоторезист ФП-383

-

-

(20-30) с

Операцию проводить методом центрифугирования.

Скорость нанесения фоторезиста (вращения центрифуги) (2000 ± 100) об/мин, толщина слоя фоторезиста (1,8 ± 0,1) мкм

3

Термообработка (сушка) фоторезиста

Установка

ИК-термо-обработки

конвейерного типа

-

-

140±5

4,5±0,1

Предварительно прогреть установку не менее 20 мин. Допускается проводить сушку в сушильном шкафу при температуре (70 ± 3) ºС при двустороннем нанесении фоторезиста в течение (40 ± 5) мин.

Продолжение таблицы 4.1

1

2

3

4

5

6

7

8

9

9

Совмещение и

экспонирование

Кассета для экспонирования

Микроскоп МБС-2

Установка

совмещения и экспонирования ЭМ-517

-

-

-

-

Перед операцией прогреть установку не менее 15 мин. Время экспонирования ФП от 1 до 3 мин в зависимости от освещённости ламп, устанавливается в рабочем порядке технологом. Совмещение ФШ с подложкой проводить по реперным знакам.

10

Проявление фоторезиста

1

Проявить фоторезист

Ванна вини-пластовая

Пинцет с фто-ропластовыми наконечника-ми

Калия

гидроокись

5 г/л

от 18 до 25

-

Оптимальный режим проявления от 10 до 120 с, подбирается технологом участка фотолитографии по контрольной подложке

2

Промыть проточной водой

Раковина-мойка

-

-

от 18 до 25

от 1,5 до 2,0

-

3

Сушить сжатым воздухом

Пистолет для обдува пластин

-

-

-

-

Допускается сушка в центрифуге

Продолжение таблицы 4.1

1

2

3

4

5

6

7

8

9

11

Термообработка (дубление) фоторезиста

Установка

ИК-термо-обработки

конвейерного типа

-

-

140±5

4,5±0,1

Допускается проводить сушку в сушильном шкафу при температуре (75 ± 5) º С в течение 20 мин

12

Ретушь плат

Кисть колон-ковая №1

Игла для ре-туши

Фоторезист ФП-383

-

-

-

Операцию проводить при обнаружении локальных повреждений в маске фоторезиста. Сушить на воздухе 10 мин

13

Травление меди

1

Травить медь

Ванна вини-пластовая

Пинцет с фто-ропластовыми наконечни-ками

Аммоний двухромово-кислый

Кислота серная

Аммоний хлористый

50 г/л

80 мл/л

4 г/л

от 18 до 25

от 3 до 4

Время травления не должно превышать 5 мин

2

Промыть проточной водой

Раковина-мойка

-

-

от 18 до 25

от 1,5 до 2,0

-

3

Сушить сжатым воздухом

Пистолет для обдува пластин

-

-

-

1

-

14

Контроль геометри-ческих размеров про-водников

Проектор

Nikon

-

-

-

-

Размеры проводников должны соответствовать требованиям конструкторской документации на платы

Продолжение таблицы 4.1

1

2

3

4

5

6

7

8

9

15

Удаление фоторезиста

1

Удалить фоторезист

Ванна вини-пластовая

Пинцет с фто-ропластовыми наконечни-ками

Натрия

гидроокись

25 %

от 18 до 25

от 3 до 5

Обработку подложки проводить с помощью ватного тампона

2

Промыть проточной водой

Линия какадной промывки

-

-

от 18 до 25

от 5до 10

3

Сушить сжатым воздухом

Пистолет для обдува пластин

-

-

-

-

16

Травление хрома

1

Травить хром

Ванна вини-пластовая

Пинцет с фторопластовыми наконечниками

Калия

гидроокись

Калий железосинеродистый

28 г/л

250 г/л

от 18 до 25

от 1до 2

Контроль травления провести визуально по изменению цвета слоя хрома на цвет подложки

2

Промыть проточной водой

Раковина-мойка

-

-

от 18 до 25

от 1,5 до 2,0

-

3

Сушить сжатым воздухом

Пистолет для обдува пластин

-

-

-

1

-

Продолжение таблицы 4.1

1

2

3

4

5

6

7

8

9

17

Удаление защиты с экранной поверхности подложки

Чашка Петри

Пинцет меди-цинский

Ацетон

-

-

-

На поверхности не должно остаться следов лака

18

Разделение подложки на платы, прошивка технологических отверстий

Универсально- фрезеровальный станок

МL-4-2M

-

-

-

-

Выполнять в соответствии с инструкцией на станок

19

Отмывка плат

Пинцет медицинский

Ацетон

Вата медицинская

-

-

-

-

20

Химическое оловянирование

1

Декапировать

Ванна вини-пластовая Пинцет с фто-ропластовыми наконечника-ми

Кислота

соляная

10 %

от 18 до 25

0,5

Операцию проводить покачиванием подложки.

2

Промыть проточной водой

Раковина-мойка

-

-

от 18 до 25

от1,5 до 2,0

-

3

Оловянировать

Ванна вини-пластовая

Пинцет с фто-ропластовыми наконечника-ми

Олово дву-хлористое

Кислота серная

Тиомочевина

8 г/л

25 мл/л

40 г/л

от 18 до 25

От 35до 45

Операцию проводить покачиванием подложки

Окончание таблицы 4.1

1

2

3

4

5

6

7

8

9

4

Промыть проточной водой

Раковина-мойка

-

-

от 18 до 25

от 1,5 до 2,0

5

Сушить сжатым воздухом

Пистолет для обдува пластин

-

-

-

1

21

Контроль адгезии пайкой

Электро-паяльник

Электро-плитка

Микроскоп

МБС-9

Фторопластовая плёнка

-

-

-

22

Лужение плат

Электро-паяльник

Электро-плитка

Микроскоп

МБС-9

Флюс

Припой

Фторопластовая плёнка

Бязевая салфетка

-

-

-

-

23

Отмывка плат

Микроскоп МБС-2

Пинцет медицинский

Ацетон

Вата медицинская

-

-

-

-

24

Контроль плат на соответствие требованиям КД

Микроскоп МБС-9

-

-

-

-

Проводится оператором на соответствие требованиям КД

25

Контроль плат ОТК

Микроскоп МБС-9

-

-

-

-

Проводится ОТК на соответствие требованиям КД.

26

Упаковка плат

Прибор «Молния»

Плёнка полиэтиленовая

-

-

-

Упаковку проводить групповым или одиночным методом. Прибор прогреть в течение 5 мин. Скрепление слоёв полиэтилена проводить термосваркой. Вложить маркировочный талон.

Требования к отчету

Отчет должен быть оформлен согласно ГОСТу 7.32-2001 и содержать:

  1. Титульный лист.

  2. Цель работы.

  3. Краткие теоретические сведения по фотолитографии.

  4. Результаты выполнения лабораторной работы представить в виде описания используемых материалов и компонентов.

  5. Основными контролируемыми параметрами являются геометрические размеры, топология и наличие дефектов покрытия.

  6. Выводы по работе.

КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

1 Дайте определение следующих терминов: литография, чувствительный слой, фотолитография, светочувствительный слой, технологический слой, контактная фотолитография, проекционная фотолитография, фотошаблон.

2 Что позволяют литографические процессы в рамках планарно- эпитаксиальной технологии?

3 IIeречислите основные достоинства фотолитографических процессов.

4 Предложите классификационный признак (признаки) и классифицируйте литографические процессы, согласно их классификационных признаков.

5 Объясните основные функции, выполняемые фоторезистом.

6 Поясните разницу между позитивным и негативным фоторезистом.

7 Что такое сухой пленочный фоторезист?

8 Охарактеризуйте технологическую операцию нанесения слоя фоторезиста (назначение, возможности, виды технической реализации, преимущества и недостатки различных видов нанесения жидких (аэрозольных) фоторезистов.

9 Охарактеризуйте технологическую операцию сушки фоторезистивного слоя (назначение, возможности, виды технической реализации, преимущества и недостатки различных видов сушки). Что такое задубливание?

10 Охарактеризуйте технологическую операцию совмещения и экспонирования в цикле литографической обработки поверхности подложек (назначение, возможности, виды технической реализации).

11 Охарактеризуйте технологическую операцию проявления слоя фоторезиста (назначение, возможности, виды технической реализации).

12 Охарактеризуйте химизм и механизм технологической операции проявления негативного фоторезиста.

13 Охарактеризуйте химизм и механизм технологической операции проявления позитивного фоторезиста.

14 Охарактеризуйте технологическую операцию удаления резистивной маски (назначение, цель, возможности, виды технической реализации).