Контрольні запитання

1. Типи домішків. Як впливає тип домішку на тип провідності відповідної області напівпровідника?

2. Поняття генерації та рекомбінації.

3. Дати визначення, що таке дрейфовий та дифузійний струми.

4. Дати визначення, що таке pn-перехід (з графічною ілюстрацією).

5. Поняття основний та неосновний носій заряду.

6. Дати визначення, що таке потенціальний бар'єр (з графічною ілюстрацією).

7. У якому випадку струми дифузії і дрейфу pn-переходу рівні, а в якому не рівні?

8. Як формується pn-перехід в напівпровідниковому кристалі?

9. Яка напруга на діоді називається прямою, а яка зворотною?

10. Охарактеризувати вольт-амперну характеристику напівпровідникового діода.

11. На якій ділянці воль-амперної характеристики діод здатен стабілізувати напругу?

12. Причина виникнення теплового пробою pn-переходу.

13. Яким чином має бути підключене зовнішнє джерело напруги, щоб діод перебував у відкритому стані? У закритому стані?

14. Дати визначення, що таке випрямляч.

15. На чому засноване випрямлення напруги в схемах випрямлячів?

16. Які схеми випрямлячів ви знаєте?

17. Чому знаходить обмежене застосування однофазна однопівперіодна схема випрямлення?

18. Які особливості роботи однофазної однопівперіодної схеми випрямлення?

19. В чому основні відмінності мостової схеми випрямляча та схеми з нульовим виводом?

20. Чому в мостовій схемі випрямлення і схемі з нульовим виводом практично рівні коефіцієнти пульсацій?

21. Намалювати графік навантажувальних характеристик мостової схеми випрямлення і схеми з нульовим виводом трансформатора. Пояснити їх відмінності.

22. На чому заснований принцип дії фільтрів на реактивних елементах?

23. Чому L-фільтр більш ефективний при великих струмах, а C-фільтр – при малих?

24. Як визначається коефіцієнт згладжування фільтру?

25. Умови вибору елементів фільтру залежно від типу фільтру.

26. Коефіцієнт фільтрації та коефіцієнт передачі згладжувального фільтру – як вони визначаються та що характеризують?

Лабораторна робота № 2 біполярний транзистор у схемі зі спільним емітером

Мета роботи – експериментальна побудова вхідних і вихідних характеристик біполярного транзистора, увімкненого за схемою зі спільним емітером; експериментальне визначення параметрів транзистора в статичному і динамічному режимах.

Порядок виконання роботи

1. Тумблером "Мережа" увімкнути лабораторний стенд (рис. 2.1). Замкнути ключі і ; ключі , перевести в положення 1 (замкнути).

2. Зняти і побудувати сімейство вхідних статичних характеристик транзистора при постійних значеннях напруг на колекторі :

,

змінюючи струм бази у межах (0...0.6) мА потенціометром (вимірюється міліамперметром РА1).

Напруга виставляється ручкою на виході схеми та контролюється за верхньою шкалою вольтметра PV2, струм бази – ручкою регулювання струму на вході схеми (змінний резистор R₂) та контролюється за міліамперметром РА1 (рис. 2.1). Напруга визначається за нижньою шкалою вольтметра PV1.

Результати вимірювань занести в таблицю 2.1.

Таблиця 2.1. Вхідна характеристика транзистора

Рис. 2.1. Схема вмикання біполярного транзистора в електричне коло (схема зі спільним емітером)

3. Зняти і побудувати сімейство вихідних статичних характеристик транзистора при постійних значеннях струму бази (покази міліамперметра РА1):

,

змінюючи напругу на колекторі у межах (0...10)В ручкою на виході схеми. При цьому ключ перемкнути в положення 2 і вимірювання здійснювати по нижній шкалі вольтметра PV2. Струм І_К вимірюється за показами міліамперметра РА2.

Результати вимірювань занести в таблицю 2.2.

Таблиця 2.2. Вихідні характеристики транзистора

4. Зняти і побудувати вхідну динамічну характеристику транзистора при (для цього ключ розімкнути), встановивши та змінюючи у межах 100 – 600 мкА :

.

Напруга визначається за нижньою шкалою вольтметра PV1.

Результати вимірювань занести в таблицю 2.3.

Таблиця 2.3.Вхідна динамічна характеристика транзистора

5. Зняти і побудувати перехідну динамічну характеристику транзистора при , та змінюючи у межах 100 – 600 мкА:

,

Результати вимірювань занести в таблицю 2.4.

Таблиця 2.4.Перехідна динамічна характеристика транзистора

6. Зняти і побудувати залежність початкового струму від напруги на колекторі при розімкнутій базі ( ), попередньо розімкнувши ключ :

.

Для відключення шунта ключ розімкнути.

Результати вимірювань занести в таблицю 2.5.

Таблиця 2.5. Залежність початкового струму колектора від напруги на колекторі

7. На сімействі вихідних статичних характеристик (п.3) побудувати динамічну навантажувальну характеристику за рівнянням . Прийняти , . Вказати положення робочої точки О для . Визначити струм колектора, напругу колектор-емітер, напругу на навантаженні для обраної робочої точки.

8. На вихідній і перехідній характеристиках транзистора вказати ділянки, що відповідають лінійному і ключовому режимам.