Комбинированный метод.

При совмещении масочного и фотолитографического методов для микросхем, содержащих резисторы, проводники и конденсаторы, используют два варианта:

1) напыление резисторов через маску, напыление проводящей пленки на резистивную; фотолитография проводящего слоя; поочередное напыление через маску нижних обкладок, диэлектрика и верхних обкладок конденсаторов; нанесение защитного слоя (рис. 6, а — ж). На рис. 6, з показан монтаж навесных компонентов с жесткими выводами;

2) напыление резистивной пленки и проводящей пленки на резистивную; фотолитография проводящего и резистив-ного слоев; фотолитография проводящего слоя; напыление через маску нижних обкладок, диэлектрика и верхних обкладок конденсаторов; нанесение защитного слоя (рис. 7, а — ж). Монтаж навесных компонентов представлен на рис. 7, з.

Для схем, не содержащих конденсаторов, применяют один из трех вариантов:

1) напыление через маску резисторов и проводящей пленки; фотолитография проводящего слоя; нанесение защитного слоя;

2) напыление резистивной пленки; фотолитография резистивного слоя; напыление через маску проводников и контактных площадок; нанесение защитного слоя;

3) напыление резистивной пленки, а также контактных площадок и проводников через маску; фотолитография резистивного слоя; нанесение защитного слоя.

Рис. 6. Технологический маршрут производства тонкопленочной ГИС комбинированным методом (масочным и фотолитографическим): а -— напыление резисторов через маску; б — напыление проводящей пленки; в — фотолитография проводящего слоя; напыление через маску; г — нижних обкладок конденсаторов; д — диэлектрика; е — верхних обкладок конденсаторов; ж — нанесение защитного слоя; з —- монтаж навесных компонентов с жесткими выводами.

Рис. 7. Технологический маршрут производства тонкопленочной ГИС комбинированным методом (масочным и двойной фотолитографии); а — напыление сплошных резистивной и проводящей пленок; б — травление проводящего и резистивного слоев; в — селективное травление проводящего слоя; г — напыление через маску нижних обкладок конденсаторов; д — напыление через маску диэлектрика; е — напыление через маску верхних обкладок конденсаторов; ж — нанесение защитного слоя; з — монтаж навесных компонентов.

Электронно-лучевой метод

Электронно-лучевой метод позволяет формировать элементы плат гибридных ИМС гравировкой электронным лучом сплошных резистивных и проводящих слоев, ранее нанесенных на поверхность подложек различными способами. Управляют перемещением электронного луча по поверхности подложки с помощью электрического и магнитного полей по заданной программе. Такой способ наиболее экономичен, если платы содержат резисторы высокой точности и плотно расположенные токоведущие дорожки (проводники).

Рекомендации по применению методов изготовления тонкопленочных гис

Масочный метод применяют при мелкосерийном и серийном производстве. Точность изготовления R и С элементов ±10 %. Фотолитографический метод используют в массовом производстве. Достижимая точность Изготовления резисторов ± 1 %. Комбинированный масочный и фотолитографический методы применяют при серийном и массовом производстве. Максимальная разрешающая способность при изготовлении пленочных элементов 50 мкм, точность изготовления R и С элементов ±1 и ±10 % соответственно. Максимальная точность изготовления резисторов (при подгонке) ± 1 %, конденсаторов ± 5%. Любой из указанных технологических маршрутов производства ГИС содержит сборочные операции: монтаж навесных компонентов на плату (см. рис. 1, д), разварка их выводов, последующая защита и герметизация.