- •Брянск 2012
- •Введение
- •Техника безопасности
- •Лабораторная работа №1 изучение свойств полупроводниковых излучателей
- •1. Цель и задачи работы
- •2. Описание стендов
- •Порядок выполнения работы
- •Содержание отчета
- •Лабораторная работа №2 изучение свойств полупроводниковых фотодиодов
- •1. Цель и задачи работы
- •2. Описание стенда
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №3 исследование характеристик фототранзисторов и транзисторных оптопар
- •1. Цель и задачи работы
- •2. Описание стенда
- •3. Порядок выполнения работы
- •Содержание отчета
- •2. Описание стенда
- •3. Порядок выполнения работы
- •Содержание отчета
- •5. Контрольные вопросы
- •2. Порядок выполнения работы
- •2. Порядок выполнения работы
- •2. Описание стенда
- •2. Порядок выполнения работы
- •3. Содержание отчета
- •4. Контрольные вопросы
- •Список рекомендуемой литературы
Содержание отчета
Отчет о выполнении работы должен содержать:
1. Семейство ВАХ предложенного образца фотодиода в графическом и табличном видах по результатам измерений по п. 1 (раздел 2).
2. Световые характеристики фотодиода в табличном и графическом видах по результатам измерений по пп. 2, 3 (раздел 2).
3. Описание методики определения оптимального сопротивления нагрузки фотодиода по результатам п. 4 (раздел 2).
4. Спектральную характеристику фотодиода в табличном и графическом видах по результатам п. 5 (раздел 2).
5. Расчет статической вольтовой чувствительности фотодиода по результатам п. 6 (раздел 2).
6. Расчет статической токовой чувствительности фотодиода по результатам п. 7 (раздел 2).
7. Выводы о проделанной работе.
Контрольные вопросы
1. Почему в отличие от обычного диода фотодиод не может выполнять свои функции при прямом смещении?
2. Назовите основные параметры фотодиодов и дайте их определения.
3. В каком режиме работы целесообразнее использовать фотодиод для преобразования световых сигналов в электрические?
4. От каких параметров зависит чувствительность фотодиода?
5. Как объяснить характер спектральной характеристики фотоприемника?
Лабораторная работа №3 исследование характеристик фототранзисторов и транзисторных оптопар
1. Цель и задачи работы
Целью работы является приобретение практических навыков измерения основных параметров фототранзисторов и транзисторных оптопар, изучение их параметров и характеристик.
Задачи работы:
1. Снятие выходных характеристик фототранзистора.
2. Определение темнового тока и интегральной чувствительности фототранзистора.
3. Определение входного напряжения и выходного остаточного напряжения транзисторных оптопар.
4. Определение статического и дифференциального коэффициентов передачи тока транзисторной оптопары.
Продолжительность работы – 6 часов.
2. Описание стенда
На рис. 5 представлена схема электрическая принципиальная лабораторного стенда. Стенд состоит из четырех функциональных блоков: устройства питания, устройства для исследования фототранзистора и двух устройств измерения параметров транзисторных оптопар без управляющего базового электрода и с дополнительным управлением по базе.
При замкнутом ключе S2 исследуются статические характеристики фототранзистора. Набор резисторов R5–R9 позволяет регулировать световой поток Ф. Резисторы R12, R16 служат для управления напряжением Uкэ и измерения тока коллектора соответственно.
При замкнутом ключе S3 определяются входные, выходные и передаточные параметры транзисторной оптопары ОП1. Резистор R10 позволяет управлять режимом работы излучателя.
При замкнутом ключе S4 определяются параметры транзисторной оптопары ОП2 с управляющим базовым электродом. Резистор R11 предназначен для той же цели, что и в случае оптопары ОП1.
3. Порядок выполнения работы
1. Ознакомиться с электрической схемой измерения и панелью управления стенда.
2. Снять семейство выходных характеристик фототранзистора при четырех различных световых потоках Ф, при напряжении Uкэ от 0 до 13 В. Определить темновой ток фототранзистора. Результаты свести в табл. 6.
Рис. 5. Схема электрическая принципиальная стенда для исследования фототранзисторов и транзисторных оптопар
Таблица 6
Форма таблицы для результатов эксперимента 2
Ток коллектора, мА |
Напряжение коллектор-эмиттер, В |
Световой поток 1 |
|
|
|
|
|
Световой поток 2 |
|
|
|
|
|
3. Определить падение напряжения на входном диоде оптопары ОП1 при максимальном входном токе.
4. Определить выходное остаточное напряжение оптопары ОП1 при максимальном входном токе.
5. Снять
зависимость
и определить линейный участок передаточной
характеристики транзисторной оптопары
ОП1.
Результаты свести в табл. 7.
Таблица 7
Форма таблицы для результатов эксперимента п. 5
Входной ток, мА |
Выходной ток, мА |
|
|
6. Повторить п. 5–7 для транзисторной оптопары ОП2 с управлением по базе при трех различных токах. Результаты свести в табл. 8.
Таблица 8
Форма таблицы для результатов эксперимента п. 6
Входной ток, мА |
Выходной ток, мА |
Ток базы №1, мкА |
|
|
|
Ток базы №2, мкА |
|
|
|
7. Построить
зависимость коэффициентов передачи
тока оптопар в относительных единицах:
,
где
–
коэффициент передачи по току на линейном
участке передаточной характеристики.
8. Определить нелинейность передаточной характеристики оптрона в процентах в области малых и больших входных токов:
.
9. Составить отчет.
