3.2.11*. Исследование характеристики обратной связи в схеме оэ
Характеристика обратной связи Uбэ(Uкэ) в схеме ОЭ показывает, как необходимо изменять напряжение Uбэ при возрастании напряжения Uкэ, чтобы ток Iб оставался постоянным.
Для исследования зависимости Uбэ(Uкэ) установите фиксированное значение Iб, и, удерживая его постоянным по мере возрастания Uкэ от 0 до 20…25 В, снимите значения Uбэ (табл. 8).
Таблица 8
Параметры |
Iб = ? мА |
||
Uкэ, В |
? |
8-10 точек |
? |
Uбэ, В |
? |
? |
? |
Коэффициент обратной связи кб|ОЭ |
? |
||
3.1.12. Постройте характеристику обратной связи Uбэ(Uкэ) в схеме ОЭ и рассчитайте значение коэффициента обратной связи кб|ОЭ.
3.1.13. Исследование характеристики передачи тока в схеме оэ
3.1.14. Для построения серии статических характеристик передачи тока Iк(Iб)|Uкэ в схеме ОЭ первоначально установите произвольное фиксированное значение Uкэ = 10…15 В и, изменяя ток Iб, измеряйте значения тока Iк (табл. 9).
Таблица 9
Параметры |
Uкэ = ? В |
|||
Iб, мА |
? |
8-10 точек |
? |
? |
Iк, мА |
? |
? |
? |
? |
сред |
? |
|||
3.1.14. Рассчитайте значения коэффициента передачи тока сред.
3.1.15. Выключите установку.
4. Отчетные материалы
В лабораторной тетради представляются:
– заполненные таблицы;
– экспериментальные входные и выходные характеристики в схеме ОБ;
– экспериментальные входные и выходные характеристики в схеме ОЭ;
- переходные характеристики и характеристики обратной связи в схемах ОБ и ОЭ;
– расчетные значения и зависимости коэффициента передачи тока и в разных схемах;
– ответы на контрольные вопросы, представленные в приложении.
К защите прилагается РГЗ с задачами по теме: ″Биполярные транзисторы″.
Контрольные вопросы по теме ″транзисторы″
Задача 1
На рисунке приведена схема включения транзистора с общим (ей)
А: эмиттером; Б; базой; В:
коллектором; Г: землей.
Задача 2
Какому из приведенных приборов соответствуют представленные характеристики?
Задача 3.
Какая из схем характеризуется приведенными характеристиками?
А: схема БТ с общим эмитером; Б: схема БТ с общей базой; В: схема БТ с общим коллектором; Г: схема ПТ с общим истоком.
Задача 4
Какому из приведенных приборов соответствуют представленные характеристики?
Задача 5
Какому из приведенных приборов соответствуют представленные характеристики?
Задача 6
Какая из приведенных структур соответствует прибору, условное изображение которого представлено на рисунке?
Задача 7
Какого типа проводимости является база биполярного транзистора, если в активном режиме на коллектор необходимо подавать . А: n; Б: р; В: p-n; Г: ni
Задача 8
Какого типа проводимости является база биполярного транзистора, если в активном режиме на коллектор необходимо подавать +. А: n; Б: р; В: p-n; Г: ni
Задача 9
Какого типа проводимости является канал полевого транзистора, если в активном режиме на его сток необходимо подавать . А: n; Б: р; В: p-n; Г: ni
Задача 10
Какого типа проводимости является канал полевого транзистора, если в активном режиме на его сток необходимо подавать +. А: n; Б: р; В: p-n; Г: ni
Задача 11
Какого типа проводимости является индуцированный канал полевого транзистора, если для его образования на затвор необходимо подавать . А: n; Б: р; В: p-n; Г: ni
Задача 12
На рисунке приведена схема включения транзистора с общим (ей) …
А:
базой; Б: эмиттером; В: землей;
Г: коллектором .
Задача 13
На рисунке приведена схема включения транзистора с общим (ей) …
А:
базой; Б: эмиттером; В: землей;
Г: коллектором .
Задача 14
На рисунке приведена схема включения транзистора с общим (ей) …
А:
базой; Б: эмиттером; В: землей;
Г: коллектором .
Задача 15
Транзистор включен в схему с ОЭ. Входные характеристики представлены на рисунке. В области рабочей точки П параметр h11э равен…
А: 1,2103 См; Б: 0,83 Ом; В: 250 Ом ; Г: 830 Ом
Задача 16
Транзистор включен в схему с ОЭ. Входные характеристики представлены на рисунке. В области рабочей точки П при токе Iб=300 мкА параметр h12э равен…
А: 1,2103 См; Б: 0,83 Ом; В: 250 Ом ; Г: 6103
Задача 17
Транзистор включен в схему с ОЭ. Выходные характеристики представлены на рисунке. В области рабочей точки П при токе Iб=300 мкА параметр h22э равен…
А: 1,2103 Ом; Б: 0,85 103 См; В: 10103 Ом; Г: 0,1103 См
Задача 18
Транзистор включен в схему с ОЭ. Выходные характеристики представлены на рисунке. В области рабочей точки П параметр h21э равен…
А: 15; Б: 0,85 103 См; В: 10103 Ом; Г: 0,1103 См
Задача 19
Транзистор включен в схему с ОЭ. Выходные характеристики представлены на рисунке; рабочая точка П; напряжение питания 14 В. Линия нагрузки по постоянному току:
А: ТН; Б: ЕМ; В: ДС; Г: ГВ
Задача 20
Транзистор включен в схему с ОЭ. Выходные характеристики представлены на рисунке; рабочая точка П; напряжение питания Е = 14 В. Если напряжение питания станет равным Е =10 В, то коллекторный ток IК покоя станет равным…
А: 12 мА; Б: 5 мА; В: 6 мА; Г: 20 мА
Задача 21
Транзистор имеет характеристику, представленную на рисунке. Следовательно, он имеет канал с типом проводимости …
А:
p-n-p;
Б: n-p-n;
В: p; Г: n
Задача 22
Транзистор имеет характеристику, представленную на рисунке. Следовательно, он имеет канал с типом проводимости …
А: встроенный p; Б: встроенный n; В: индуцированный n; Г. индуцированный p
Задача 23
В транзисторе марки КТ315, включенном по схеме с общим эмиттером, ток базы изменился на 0,1 мА. Как при этом изменится ток эмиттера, если коэффициент усиления = 0,975? А: на 4 мА; Б: на 0,4 мА; В: на 40 мА; Г: на 0,1 мА
Задача 24
Для прибора, характеристики которого представлены на рисунках, крутизна S примерно равна…
А: 2000 Ом; Б: 2104 Ом1м1; В. 20 В; Г: 3,8 мА/В.