3.6. Основные параметры реальных транзисторов

Транзисторы характеризуются многими параметрами, среди которых с точки зрения эксплуатации в электронных устройствах наиболее важными являются:

 максимально допустимый ток коллектора I_км, значение которого существенно различно для транзисторов с радиатором (теплоотводом) и без него;

 максимально допустимая мощность рассеяния Р_км, различная для транзисторов с радиатором (теплоотводом) и без него;

 максимально допустимое напряжение на коллекторе U_кэм;

 обратный ток коллектора I_кб0, значение которого приводится в справочниках для номинального значения обратного напряжения при заданной температуре; обычно указывается его максимальное значение I_кб0м для максимально допустимой температуре окружающей среды. Следует учитывать, что для германиевых транзисторов обратный (тепловой) ток коллектора с ростом температуры (t, ^oC) изменяется экспоненциально: I_ко(t)= I_ко20e^0,07(t-20), а для кремниевых – данный параметр не является критичным, поскольку абсолютное значение тока I_ко крайне мало (I_ко20 – тепловой ток при 20 ^оС).

Например, у германиевого транзистора МП40 при увеличении температуры от 20 ^оС на T₀ = 40 ^oC значение I_ко возрастает в 10 раз от 25 мкА до 250 мкА. Этот неуправляемый ток является причиной уменьшения U_бэ и собственного входного сопротивления r_бэ;

 емкость коллекторного перехода С_к, которая существенна для работы транзистора на высоких частотах;

 предельная частота f_h21э, при которой коэффициент передачи тока h_21э уменьшается в √2 раз (примерно на 30 %) от своего статического значения при нулевой частоте усиливаемого сигнала (рис. 3.10).

h_21э/√2

Рис. 3.10. Зависимость h_21э от частоты

Уменьшение коэффициента передачи тока h_21э с ростом частоты связано с наличием внутренней обратной связи и шунтирующим действием емкости С_к коллекторного перехода;

 граничная частота f_гр, на которой коэффициент передачи тока h_21э = 1;

 максимальная частота генерации f_м, на которой коэффициент усиления транзистора по мощности практически равен единице: К_Р ≈ 1; другими словами, f_м  наибольшая частота, генерируемая схемой автогенерации сигналов, в которой используется данный транзистор;

 система h- параметров, среди которых наиболее часто приводятся коэффициенты h_21э, h_21б, h_11э, h_22э по схеме включения с общим эмиттером или общей базой.

3.7. Общие сведения об обозначении транзисторов

Биполярные транзисторы маркируются буквенно-цифровым кодом.

Первый элемент (цифра или буква) обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор; второй элемент (буква) определяет подкласс (или группу) транзисторов; третий элемент (цифра) – основные функциональные возможности БТ; четвертый элемент (число) обозначает номер разработки технологического типа транзистора; пятый элемент (буква) условно определяет классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.

Используются следующие символы для обозначения исходного материала: Г (или 1) – германий, К (или 2) – кремний; А (или 3) –соединения галлия; И (или 4) -индий.

Для обозначения подкласса: Т - биполярный транзистор, П - полевой транзистор.

Для обозначения эксплуатационных характеристик: транзисторы малой мощности (Р_к  1 Вт): 1- низкочастотный (f_гр  3 МГц); 2- среднечастотный (f_гр  30 МГц); …, транзисторы большой мощности (Р_к > 1,5 Вт): 7- низкочастотный (f_гр  3 МГц); 8- среднечастотный (f_гр  30 МГц); 9- ВЧ и ВСЧ (f_гр > 30 МГц).

Номер разработки включает двухзначное число 01…99, а иногда  трехзначное число 101…999.

Пятая позиция – буква от А до Я – признак класса (классификатор).

Дополнительная (шестая) позиция  цифра (через дефис), указывает на конструкцию транзистора. Например, буква С – для обозначения наборов общем корпусе (транзисторные сборки), 1 – с гибкими выводами без кристаллодержателя, …, 6 – с контактными площадками на кристаллодержателе, но без выводов.

Например, КТ-2115А-2 кремниевый биполярный транзистор малой мощности, среднечастотный, 115 разработки, класс А, бескорпусный.

В справочниках приводятся и устаревшая маркировка, например, КТ-815 и др.

С детальными сведениями об обозначениях полупроводниковых транзисторов, их параметрами и характеристиками следует ознакомиться при изучении справочников, например, [25], [26].